Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДГ721ДН-Т1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/vishaysiliconix-dg723dqt1ge3-datasheets-5589.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 2,05 мм | 550 мкм | 2,05 мм | 2мкА | 8 | 6 недель | 50,008559мг | Нет СВХК | 5,5 В | 1,8 В | 4,5 Ом | 8 | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 2 | е4 | 842 МВт | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 8 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | 2 | 366 МГц | 30 нс | 35 нс | Одинокий | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 4,5 Ом | 47 дБ | 0,3 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 40 нс | 55нс | НЕТ | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ - НЕТ | 250пА | 8пФ 9пФ | 30 нс, 35 нс | 2,2 ПК | 200 м Ом | -90 дБ @ 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7224DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7224dnt1ge3-datasheets-5443.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,3 мм | 1,04 мм | 3,3 мм | 6 | 25 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7224 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Мощность FET общего назначения | S-XDSO-C6 | 20 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,8 Вт 23 Вт | 6А | 0,035 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 570пФ при 15В | 35 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2788ADN-T1-E4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2788adnt1ge4-datasheets-3411.pdf | 16-UFQFN | 12 недель | 2 | 16-миниQFN (1,8х2,6) | 338 МГц | 500мОм | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 100 нА | 50 мкс, 1 мкс | -245пК | 50мОм | -61 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMA511DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-smma511djt1ge3-datasheets-2383.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | Нет СВХК | 70 | да | EAR99 | Нет | 6,5 Вт | С ИЗГИБ | 6 | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C6 | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 0,04 Ом | N и P-канал | 400пФ при 6В | 400 мВ | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 нК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg444bdnt1e4-datasheets-2687.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,13 мм | 7,62 мм | 1 мкА | 16 | 10 недель | 36В | 13В | 160Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ445 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | СИ9936 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 15нс | 10 нс | 25 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 13 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ445БДН-Т1-Е4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg444bdnt1e4-datasheets-2687.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 57,09594 мг | 36В | 13В | 160Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е4 | ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО ПО НИКЕЛЮ | 850мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | 0,65 мм | ДГ445 | 16 | 1 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | Не квалифицирован | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si3442bdvt1e3-datasheets-3334.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 57мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 20мВт | 1 | Мощность FET общего назначения | 35 нс | 50 нс | 15 нс | 20 нс | 3А | 12 В | КРЕМНИЙ | 1,8 В | 860мВт Та | 3А | 20 В | N-канал | 295 пФ при 10 В | 1,8 В | 57 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3А Та | 5нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ202БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdyt1e3-datasheets-0360.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | Без свинца | 50 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | Неизвестный | 25 В | 4,5 В | 160Ом | 16 | да | Нет | 4 | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 15 В | ДГ202 | 16 | 1 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2303CDS-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si2303cdst1ge3-datasheets-4410.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 190мОм | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150°С | 4 нс | 37нс | 37 нс | 11 нс | -2,7 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -3В | 1 Вт Та 2,3 Вт Тс | -30В | P-канал | 155пФ при 15В | -3 В | 190 мОм при 1,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,7 А Тс | 8 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411HSDY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg411hsdnt1e4-datasheets-3972.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 13 недель | 547,485991мг | 44В | 13В | 80Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ411 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 105 нс | 105 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 91 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 90 нс | Северная Каролина | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 12пФ 12пФ | 105 нс, 80 нс | 22 шт. | -88 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 35мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ9936 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 10 нс | 15нс | 15 нс | 25 нс | 6А | 20 В | 30В | 1,1 Вт | 35мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А | 13 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407БДН-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg406bdnt1e3-datasheets-9186.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 12 недель | 1,182714г | 36В | 7,5 В | 100Ом | 28 | да | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ407 | 28 | 8 | 40 | 450мВт | 2 | Не квалифицирован | 125 нс | 94 нс | 20 В | Мультиплексор | 148 нс | Двойной, Одинарный | 5В | -15В | 16 | 60Ом | 86 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 6пФ 54пФ | 107 нс, 88 нс | 11 шт. | 3 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | Без свинца | 14 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 4 | 14-ДИП | 110пФ | 830 мА | 20 В | 30В | 2 Вт | 1,75 Ом | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В @ 1 мА | 830 мА | Ворота логического уровня | 1,75 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ2012ДЛ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 1 мкА | 6 | Нет СВХК | 5,5 В | 1,8 В | 1,8 Ом | 6 | да | Олово | Нет | 1 | 10нА | е3 | Неинвертирующий | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2В | ГД2012 | 6 | 1 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 63 нс | 45 нс | Одинокий | 2 | 100 мА | 1 | 1,8 Ом | 1 Ом | 63 дБ | 0,25 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 500пА | 20пФ | 38нс, 32нс | 20 шт. | 250 м Ом (макс.) | -64 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3483DDV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si3483ddvt1ge3-datasheets-6957.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 14 недель | 6-ЦОП | 30В | 2 Вт Та 3 Вт Тс | P-канал | 580пФ при 15В | 31,2 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6,4А Та 8А Тс | 14,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +16В, -20В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ407ДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg406dnt1e3-datasheets-9986.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 мкА | 28 | 1,182714г | Неизвестный | 44В | 7,5 В | 50Ом | 28 | нет | 1 | 50 мкА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 28 | 8 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 600 нс | 300 нс | 20 В | 350 нс | Двойной, Одинарный | 5В | 16 | 100Ом | 100Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 8:1 | 500пА | 8пФ 65пФ | 200 нс, 150 нс | 15 шт. | 5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen III | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4103dyt1ge3-datasheets-7798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 8-СО | 30В | 2,5 Вт Ta 5,2 Вт Tc | P-канал | 5200пФ при 15В | 7,9 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Та 16А Тс | 140 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ417ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 8 | 8 недель | 930,006106мг | 36В | 13В | 35Ом | 8 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | 2,54 мм | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 1 | 35Ом | 20мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA64DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | 0,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sira64dpt1re3-datasheets-8296.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30В | 27,8 Вт Тс | N-канал | 3420пФ при 15В | 2,1 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Тс | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АА/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 30Ом | 10 | Да | 2 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 18В | 10 В | 2 | 2 | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3458BDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si3458bdvt1e3-datasheets-9757.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 5 нс | 12нс | 10 нс | 18 нс | 4.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 2 Вт Та 3,3 Вт Тс | 3,2А | 60В | N-канал | 350пФ при 30В | 3 В | 100 мОм при 3,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4.1А Тс | 11 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ200АБК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | 14-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 14 недель | 70Ом | 2 | 14-ЦЕРДИП | 70Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 2нА | 9пФ 9пФ | 440 нс, 340 нс | -10ПК | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9630PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-irf9630pbf-datasheets-1286.pdf | -200В | -6,5А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 800МОм | 3 | 1 | Одинокий | 74 Вт | 1 | ТО-220АБ | 700пФ | 12 нс | 27нс | 24 нс | 28 нс | -6,5А | 20 В | 200В | 4В | 74 Вт Тс | 300 нс | 800мОм | -200В | P-канал | 700пФ при 25В | -4 В | 800 мОм при 3,9 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,5 А Тс | 29 нК при 10 В | 800 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ202БАК-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdy-datasheets-7652.pdf | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 19,305 мм | 7,62 мм | 16 | 14 недель | 85Ом | неизвестный | 4 | е0 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | 4 | Не квалифицирован | Р-CDIP-T16 | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 200 нс | 300 нс | НЕТ | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ44ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfz44pbf-datasheets-2178.pdf | 60В | 50А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 28мОм | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 150 Вт | 1 | ТО-220АБ | 1,9 нФ | 14 нс | 110 нс | 92 нс | 45 нс | 50А | 20 В | 60В | 60В | 4В | 150 Вт Тс | 28мОм | 60В | N-канал | 1900пФ при 25В | 4 В | 28 мОм при 31 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 50А Тс | 67 нК при 10 В | 28 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ301ААК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg300aak883-datasheets-7683.pdf | 14-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 19,56 мм | 3,94 мм | 7,62 мм | 15 В | 500 мкА | 14 | 15 недель | 1.200007г | 36В | 13В | 50Ом | 14 | нет | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 825 МВт | 15 В | 14 | 825 МВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | 300 нс | 250 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 2 | 50Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | SPDT | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛИЗ34ГПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-irliz34gpbf-datasheets-3432.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 50мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 42 Вт | 1 | ТО-220-3 | 1,6 нФ | 14 нс | 170 нс | 56 нс | 30 нс | 20А | 10 В | 60В | 2В | 42 Вт Тс | 50мОм | N-канал | 1600пФ при 25В | 2 В | 50 мОм при 12 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 20А Тс | 35 нК при 5 В | 50 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ201АКК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/vishay-dg201ack-datasheets-8408.pdf | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 16 | 14 недель | 175Ом | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 15 В | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 4 | Не квалифицирован | Р-XDIP-T16 | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 175Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 600 нс | Северная Каролина | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 5пФ 5пФ | 600 нс, 450 нс | 20 шт. | -90 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP460LCPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-irfp460lcpbf-datasheets-4357.pdf | 500В | 20А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 12 недель | 38.000013г | Неизвестный | 270мОм | 3 | 20А | 500В | 1 | Одинокий | 280 Вт | 1 | ТО-247-3 | 3,6 нФ | 18 нс | 77нс | 43 нс | 40 нс | 20А | 30В | 500В | 4В | 280 Вт Тс | 270мОм | 500В | N-канал | 3600пФ при 25В | 4 В | 270 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20А Тс | 120 нК при 10 В | 270 мОм | 10 В | ±30 В |
