Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR9010TRLPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irfr9010pbf-datasheets-4325.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 500мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 6,1 нс | 47нс | 35 нс | 13 нс | -5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 Вт Тс | 50В | P-канал | 240пФ при 25В | 500 мОм при 2,8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,3 А Тс | 9,1 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| V30419-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7112DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7112dnt1ge3-datasheets-6858.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 7,5 мОм | 8 | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 65 нс | 17,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 60А | 20 мДж | 30В | N-канал | 2610пФ при 15 В | 7,5 мОм при 17,8 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 11,3 А Тс | 27 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI1403BDL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1403bdlt1e3-datasheets-0031.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | 150 мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 568мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 30 нс | 30 нс | 28 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 568мВт Та | P-канал | 150 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 1,4 А Та | 4,5 нК @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD45P03-12_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sqd45p0312ge3-datasheets-8650.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 1,437803г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 71 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 3,495 нФ | 11 нс | 11нс | 19 нс | 29 нс | 50А | 20 В | 30В | -1,5 В | 71 Вт Тс | 12мОм | -30В | P-канал | 3495пФ при 15 В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 83 нК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfp350lc-datasheets-1344.pdf | 400В | 16А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 300мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 190 Вт | 1 | ТО-247-3 | 2,2 нФ | 14 нс | 54нс | 35 нс | 33 нс | 16А | 30В | 400В | 4В | 190 Вт Тс | 300мОм | 400В | N-канал | 2200пФ при 25В | 4 В | 300 мОм при 9,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 16А Тс | 76 нК при 10 В | 300 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR024TRLPBF | Вишай Силиконикс | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu024pbf-datasheets-7718.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 14 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д-Пак | 640пФ | 13 нс | 58нс | 42 нс | 25 нс | 14А | 20 В | 60В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | 100мОм | 60В | N-канал | 640пФ при 25В | 100 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 25 нК при 10 В | 100 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI520GPBF | Вишай Силиконикс | 2,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfi520g-datasheets-4976.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | 270мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 37 Вт | 1 | ТО-220-3 | 360пФ | 8,8 нс | 30 нс | 20 нс | 19 нс | 7.2А | 20 В | 100 В | 37 Вт Тс | 270мОм | N-канал | 360пФ при 25В | 270 мОм при 4,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7,2 А Тс | 16 нК при 10 В | 270 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4864DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4864dyt1ge3-datasheets-0084.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 25А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 0,0035Ом | 20 В | N-канал | 3,5 мОм при 25 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та | 70 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ24СПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irfz24pbf-datasheets-1307.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 8 недель | 3 | Нет | 1 | ТО-263 (Д2Пак) | 640пФ | 13 нс | 58нс | 42 нс | 25 нс | 17А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 60 Вт Тс | 100мОм | 60В | N-канал | 640пФ при 25В | 100 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 17А Тк | 25 нК при 10 В | 100 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHH068N60E-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihh068n60et1ge3-datasheets-1662.pdf | 8-PowerTDFN | 14 недель | PowerPAK® 8 x 8 | 600В | 202 Вт Тс | N-канал | 2650пФ при 100 В | 68 мОм при 15 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 80 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-sihp6n40de3-datasheets-4566.pdf | ТО-220-3 | 10,51 мм | 9,01 мм | 4,65 мм | 3 | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 104 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 12 нс | 11нс | 8 нс | 14 нс | 6А | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 3В | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 1 Ом | N-канал | 311пФ при 100 В | 1 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 6А Тк | 18 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISS06DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siss06dnt1ge3-datasheets-3122.pdf | PowerPAK® 1212-8S | 14 недель | PowerPAK® 1212-8S (3,3х3,3) | 30В | 5 Вт Та 65,7 Вт Тс | N-канал | 3660пФ при 15В | 1,38 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 47,6А Та 172,6А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA72DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sisa72dnt1ge3-datasheets-7795.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 19 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 52 Вт Тс | N-канал | 3240пФ при 20В | 3,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 60А Тс | 30 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD40081EL_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd40081elge3-datasheets-4084.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | ТО-252АА | 40В | 71 Вт Тс | P-канал | 9950пФ при 25 В | 8,5 мОм при 25 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 210 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQS407ENW-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqs407enwt1ge3-datasheets-8401.pdf | PowerPAK® 1212-8Вт | 12 недель | PowerPAK® 1212-8Вт | 30В | 62,5 Вт Тс | P-канал | 4572пФ при 20 В | 10,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 16А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9Z34STRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-irf9z34strrpbf-datasheets-5811.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 8 недель | 1,437803г | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 40 | 3,7 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 120 нс | 58 нс | 20 нс | -18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 72А | -60В | P-канал | 1100пФ при 25В | 140 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 34 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR210TRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-irfr210trrpbf-datasheets-3671.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 1,5 Ом | 3 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Д-Пак | 140пФ | 8,2 нс | 17нс | 8,9 нс | 14 нс | 2,6А | 20 В | 200В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 1,5 Ом | 200В | N-канал | 140пФ при 25В | 1,5 Ом @ 1,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,6 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM10250E_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm10250ege3-datasheets-6271.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | ТО-263 (Д2Пак) | 250В | 375 Вт Тс | N-канал | 4050пФ при 25В | 30 мОм при 15 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 65А Тс | 75 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7421DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si7421dnt1e3-datasheets-6759.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 10 нс | 13нс | 42 нс | 57 нс | -9,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -3В | 1,5 Вт Та | 6,4А | 30А | 0,025 Ом | -30В | P-канал | 25 мОм при 9,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6.4А Та | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM200N04-1M1L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm200n041m1lge3-datasheets-6936.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 12 недель | ТО-263-7 | 40В | 375 Вт Тс | N-канал | 20655пФ при 25 В | 1,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 200А Тс | 413 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia811adjt1ge3-datasheets-0720.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 260 | 6 | 1 | 40 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 45нс | 10 нс | 20 нс | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 1,8 Вт Ta 6,5 Вт Tc | 4,5 А | -20В | P-канал | 345пФ при 10В | 116 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 13 нК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5448DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si5448dut1ge3-datasheets-3652.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 850 мкм | 14 недель | EAR99 | е3 | Олово (Sn) | 260 | 1 | 30 | 3,1 Вт | 150°С | 10 нс | 15 нс | 15,9А | 20 В | 31 Вт Тс | 40В | N-канал | 1765пФ при 20В | 7,75 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Тс | 20 нК @ 4,5 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4842BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4842bdyt1ge3-datasheets-3156.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 125 нс | 190 нс | 13 нс | 38 нс | 28А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | 30В | 3 Вт Та 6,25 Вт Тс | 20А | 0,0042Ом | N-канал | 3650пФ при 15В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 28А ТЦ | 100 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA00DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sira00dpt1ge3-datasheets-3704.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5,99 мм | 1,07 мм | 5 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 4мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Одинокий | 6,25 Вт | 1 | Р-ПДСО-С5 | 18 нс | 14нс | 11 нс | 67 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,1 В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | 400А | 30В | N-канал | 11700пФ при 15В | 1,1 В | 1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 100А Тс | 220 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7430DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7430dpt1ge3-datasheets-4795.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 45мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 16 нс | 12нс | 7 нс | 20 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,5 В | 5,2 Вт Та 64 Вт Тс | 7.2А | 50А | 20 мДж | 150 В | N-канал | 1735пФ при 50В | 45 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 43 нК при 10 В | 8В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| SI8824EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8824edbt2e1-datasheets-8952.pdf | 4-XFBGA | 4 | 44 недели | Неизвестный | 60мОм | 4 | EAR99 | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,9 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 800мВ | 500мВт Та | N-канал | 400пФ при 10В | 75 мОм при 1 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 6 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8483DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si8483dbt2e1-datasheets-9921.pdf | 6-УФБГА | 1,5 мм | 310 мкм | 1 мм | 6 | 21 неделя | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 | Одинокий | 2,77 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 нс | 20нс | 20 нс | 80 нс | -16А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -400мВ | 2,77 Вт Ta 13 Вт Tc | 25А | 0,035 Ом | P-канал | 1840пФ при 6В | 26 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 16А Тс | 65 нК при 10 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF740BPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irf740bpbf-datasheets-1180.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | Нет | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | 1 | Одинокий | 1 | 14 нс | 27нс | 24 нс | 50 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 5В | 147 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,6 Ом | N-канал | 526пФ при 100 В | 600 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 30 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI9530GPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-irfi9530gpbf-datasheets-1713.pdf | -100В | -7,7А | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 300мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 38 Вт | 1 | ТО-220-3 | 860пФ | 2,5 кВ | 12 нс | 52нс | 39 нс | 31 нс | -7,7А | 20 В | 100 В | -4В | 42 Вт Тс | 300мОм | -100В | P-канал | 860пФ при 25В | -4 В | 300 мОм при 4,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7,7 А Тс | 38 нК при 10 В | 300 мОм | 10 В | ±20 В |
