Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4425 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4425-datasheets-6321.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | Нет | 3,1 Вт | 1 | 14А | 25 В | 38В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3800пФ при 20В | 10 мОм при 14 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 14А Та | 63 нК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3419 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 18 недель | 3 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | 1,4 Вт | 1 | 150°С | 11 нс | 22 нс | -3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -500мВ | 1,4 Вт Та | 0,075 Ом | -20В | P-канал | 400пФ при 10В | 85 мОм при 3,5 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 4,4 нК при 4,5 В | 1,8 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6405 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | СК-74, СОТ-457 | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та | 5А | 0,052 Ом | P-канал | 840пФ при 15В | 52 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5А Та | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6601 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,15 Вт | 1,15 Вт | 2 | Другие транзисторы | 2,3А | 12 В | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,4А | Дополняющие N и P-каналы | 285пФ при 15В | 60 мОм при 3,4 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,4 А 2,3 А | 12 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2803 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon2803-datasheets-8820.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 18 недель | 1,5 Вт | 3,8А | 20 В | 1,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 560пФ при 10 В | 70 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3816 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 2,5 Вт | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1100пФ при 10В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 13 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4884 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4884-datasheets-8945.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 10А | 20 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1950пФ при 20В | 13 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 33 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8803 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 1,4 Вт | Другие транзисторы | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 2 P-канала (двойной) | 4750пФ при 6В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 44 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6850 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6850-datasheets-0826.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 1,7 Вт | 56 Вт | 2 | 5А | 25 В | 100В | 2 N-канала (двойной) | 1840пФ при 50В | 35 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 29 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС3864 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 6-XDFN | 2,4 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,3 В @ 250 мкА | 38 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6601Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СК-74, СОТ-457 | совместимый | 30 В | 1,15 Вт | N и P-канал | 390пФ при 15В 409пФ при 15В | 60 мОм при 3 А, 10 В, 135 м Ом при 2,3 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,4 А Та 2,3 А Та | 4,34 нК при 4,5 В, 4,8 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4924 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1885пФ при 15В | 15,8 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 31 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4613 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4613-datasheets-2677.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2 Вт | 6.1А | 30 В | N и P-канал | 630пФ при 15 В | 24 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4618 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4618-datasheets-2526.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 13 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7А | 20 В | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | N и P-канал | 415пФ при 20 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А 7А | 12 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6974А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 8-ДФН (5х6) | 1,037нФ | 30А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 N-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 5,2 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4800Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 6,9А | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 27 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4854L_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5820_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 1,7 Вт | 6-ДФН-ЭП (2х5) | 1,51 нФ | 10А | 20 В | 1,7 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1510пФ при 10 В | 9,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10А | 15 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 9,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4813_002 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1250пФ при 15В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7.1А Та | 19 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ410Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aot410l-datasheets-4388.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 333 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 150А | 25 В | Одинокий | 100В | 1,9 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 7950пФ при 50В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Та 150А Тс | 129 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7406 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-PowerVDFN | 5 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | 16,7 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | С-ПДСО-Ф5 | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Ta 15,5 Вт Tc | 50А | N-канал | 888пФ при 15 В | 17 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 9А Та 25А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОСС32338C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,3 Вт Та | N-канал | 340пФ при 15В | 50 мОм при 4 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Та | 16 нК @ 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6414А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6414a-datasheets-2195.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 8 | 31 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-Ф5 | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,3 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 30А Тс | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP66923 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1725пФ при 50В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 12А Та | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС32100 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 25 В | 6,2 Вт Ta 250 Вт Tc | N-канал | 15200пФ при 12,5 В | 0,73 мОм при 20 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 73А Та 400А Тс | 240 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР21307 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30 В | 5 Вт Та 28 Вт Тс | P-канал | 1995 пФ при 15 В | 11 мОм при 17 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 24А Тк | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6360 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,59 нФ | 85А | 30 В | 6,2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 1590пФ при 15В | 3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 36А Та 85А Тс | 24 нК при 10 В | 3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ66920Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 8,3 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 50В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22,5 А Та 80 А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТЛ66608 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSFN | 60В | 8,3 Вт Ta 500 Вт Tc | N-канал | 14200пФ при 30 В | 0,85 мОм при 20 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 73,5 А Та 400 А Тс | 300 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН1606 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon1606-datasheets-3703.pdf | 3-УФДФН | 18 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 700 мА | 20 В | 900мВт Та | N-канал | 62,5 пФ при 10 В | 275 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 700 мА Та | 850 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В |
