| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОВФ412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 30А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 3220пФ при 50В | 15,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 7,8 А Та 30 А Тс | 54 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6292 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6292-datasheets-8245.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | Полномочия общего назначения FET | 85А | Одинокий | 100В | 7,3 Вт Ta 156 Вт Tc | N-канал | 3830пФ при 50В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 24А Та 85А Тс | 63 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ284Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aot284l-datasheets-8394.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 105А | 80В | 2,1 Вт Та 250 Вт Тс | N-канал | 5154пФ при 40 В | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 16А Та 105А Тс | 100 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4706 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 3,1 Вт | 1 | 16,5А | 12 В | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 5000пФ при 15В | 6,8 мОм при 16,5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 16,5 А Та | 77 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1432 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 3-PowerSMD, плоские выводы | 44А | 25В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 1716пФ при 12,5 В | 8,5 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Та 44А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД484 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 25А | 30 В | 2,1 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1220пФ при 15В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Тс | 21 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6450 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 52А | 100В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 50В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9А Та 52А Тс | 52 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2918Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 58А | 100В | 2,1 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 3430пФ при 50В | 7 м Ом при 20 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 13А Та 58А Тс | 53 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6428 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | 8 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 43А | 80А | 0,0145Ом | N-канал | 770пФ при 15 В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 43А Тс | 17,8 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОД425 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Другие транзисторы | 50А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 71 Вт Тс | P-канал | 2200пФ при 15В | 17 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 9А Та 50А Тс | 38 нК при 10 В | 5В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ298Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | 58А | 20 В | 100В | 2,1 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 1670пФ при 50В | 14,5 мОм при 20 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 9А Та 58А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4772 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $9,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4772-datasheets-1155.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 6А | Одинокий | 30 В | 2 Вт Та | 6А | N-канал | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А Та | 6,3 нК при 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2904 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 2,785 нФ | 70А | 100В | 2,7 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 2785пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 10,5 А Та 70 А Тс | 52 нК при 10 В | 10 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД510 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60 Вт | 1 | 70А | 20 В | 30 В | 7,5 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 2719пФ при 15 В | 2,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 45А Та 70А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6520 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 50А | 30 В | 1,9 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 11А Та 50А Тс | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ12Н60ФДЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 12А | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 25В | 650 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК8Н80 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 7,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 245 Вт Тс | 26А | 433 мДж | N-канал | 1650пФ при 25В | 1,63 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7,4 А Тс | 32 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОК10Н90 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-247-3 | совместимый | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Одинокий | 900В | 403 Вт Тк | 10А | N-канал | 3160пФ при 25В | 980 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 75 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7760 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 5,52 нФ | 75А | 25В | 4,1 Вт Ta 34,5 Вт Tc | N-канал | 5520пФ при 12,5 В | 2 МОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 33А Та 75А Тс | 76 нК при 10 В | 2 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ20С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 20А | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT11C60PL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | ТО-220 | 2,333 нФ | 11А | 600В | 298 Вт Тс | N-канал | 2333пФ при 100 В | 420 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 50 нК при 10 В | 420 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $17,61 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | ТО-251 | 522пФ | 4А | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 522пФ при 100 В | 2,1 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 нК при 10 В | 2,1 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6780 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 85А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 9600пФ при 15В | 1,7 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 30А Та 85А Тс | 76 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1448 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aol1448-datasheets-4048.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 30 Вт | 1 | Не квалифицирован | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2 Вт Та 30 Вт Тс | 90А | 20 мДж | N-канал | 770пФ при 15 В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 11А Та 36А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АОН7424 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $14,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 36 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 18А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | 40А | N-канал | 3450пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 18А Та 40А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4202Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4202l-datasheets-1395.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2200пФ при 15В | 5,3 мОм при 19 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 19А Та | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4435_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,4 нФ | 10,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В при 250 мкА | 10,5 А Та | 24 нК при 10 В | 14 мОм | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД504 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod504-datasheets-1489.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 46А | 25В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1333пФ при 15 В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4421_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SMD, плоский вывод | 8-ДФН (3х2) | 1,12 нФ | 8А | 30 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 1120пФ при 15В | 26 мОм при 8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 8А Та | 21 нК при 10 В | 26 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ518_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoi518-datasheets-8648.pdf | 951пФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 8 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 22,5 нК при 10 В | 8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.