Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОСС32334C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 30 В | 1,3 Вт Та | N-канал | 600пФ при 15В | 20 мОм при 6,2 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 6.2А Та | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7534 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon7534-datasheets-2290.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 18 недель | 8 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 23 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3 Вт Та 23 Вт Тс | 26 мДж | N-канал | 1037пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та 30А Тс | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| АОНС32304 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30 В | 6,2 Вт Та 78 Вт Тс | N-канал | 5970пФ при 15 В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 40А Та 140А Тс | 130 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД256 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 19А | 150 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 1165пФ при 75В | 85 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 3А Та 19А Тс | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4411 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицирован | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | 8А | 0,032Ом | 135 пФ | P-канал | 760пФ при 15В | 32 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А Та | 16 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| АОД2Н60А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 2А | Одинокий | 600В | 57 Вт Тс | 2А | N-канал | 295пФ при 25В | 4,7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOW66616 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 6,2 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 2870пФ при 30 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 33А Та 140А Тс | 60 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4486 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4486-datasheets-2593.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 4.2А | 20 В | Одинокий | 100В | 3,1 Вт Та | N-канал | 942пФ при 50 В | 79 мОм при 3 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 4.2А Та | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АО3407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 520пФ при 15В | 52 мОм при 4,1 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 4.1А Та | 11 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7405 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,4 А | 30 В | 350мВт Та | P-канал | 409пФ при 15В | 150 мОм при 1,6 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 1,4 А Та | 5,06 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ9Н40 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-220-3 | 18 недель | 400В | 132 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 25В | 800 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 16 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD296A | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6298 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | Нет | 78 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 46А | 20 В | Одинокий | 100В | 7,4 Вт Та 78 Вт Тс | N-канал | 1307пФ при 50В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 14,5 А Та 46 А Тс | 23 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3254 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-261-4, ТО-261АА | 18 недель | 150 В | 4,1 Вт Та | N-канал | 675пФ при 75В | 63 мОм при 5 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5А Та | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD294A | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $11,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 28 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6458 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 18 недель | 8 | 83 Вт | 1 | 14А | 30 В | 250 В | 2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 1240пФ при 25В | 170 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,2 А Та 14 А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД464 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | 2,3 Вт | 1 | 40А | 25В | 105В | 2,3 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2445пФ при 25В | 28 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Тс | 46 нК при 10 В | 6В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 18 недель | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПССО-Г2 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 104 Вт Тс | 4А | 235 мДж | N-канал | 640пФ при 25В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 14,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| АОИ9Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 9А | 500В | 178 Вт Тс | N-канал | 1160пФ при 25В | 860 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 24 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД3Н40 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 2,6А | Одинокий | 400В | 50 Вт Тс | N-канал | 225пФ при 25В | 3,1 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,6 А Тс | 5,1 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Нет | 104 Вт | 1 | 5А | 30 В | 500В | 104 Вт Тс | N-канал | 670пФ при 25В | 1,6 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Тс | 14 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7415 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao7415-datasheets-7723.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2А | 20 В | 630мВт Та | P-канал | 620пФ при 10 В | 100 мОм при 2 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2А Та | 6 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7462 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 2,5 А | Одинокий | 300В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 240пФ при 25В | 1,5 Ом при 900 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 900 мА Та 2,5 А Тс | 5,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1404Г | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 3-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 20 В | 6,2 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 3300пФ при 10 В | 4,6 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 30А Та 46А Тс | 45 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP21311C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 720пФ при 15В | 42 мОм при 6 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6А Та | 23 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ262Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 140А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 9800пФ при 30 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 20А Та 140А Тс | 115 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК5Н100Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-247-3 | 18 недель | 4А | 1000В | 195 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 25В | 4,2 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 23 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ10Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | ТО-262Ф | 1,6 нФ | 10А | 600В | 25 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11Н70 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 11А | 700В | 50 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 25В | 870 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 45 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ7С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | Нет | 25 Вт | 1 | 7А | 600В | 25 Вт Тс | N-канал | 372пФ при 100 В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 7А Тк | 8,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
