Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОТ2618Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 23А | 60В | 2,1 Вт Ta 41,5 Вт Tc | N-канал | 950пФ при 30 В | 19 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А Та 23А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР32320C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30 В | 3,1 Вт Ta 11 Вт Tc | N-канал | 650пФ при 15В | 21 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 9,5 А Та 12 А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД3Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | Нет | 56,8 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 2,5 А | 30 В | Одинокий | 600В | 56,8 Вт Тс | N-канал | 370пФ при 25В | 3,5 Ом при 1,25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН6794 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 85А | 30 В | 6,2 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 39А Та 85А Тс | 37,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД240 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | 150 Вт | 1 | 70А | 20 В | 40В | 2,7 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 20 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 70А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ66916Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 100В | 8,3 Вт Ta 277 Вт Tc | N-канал | 6180пФ при 50В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 35,5 А Та 120 А Тс | 78 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2409 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 6-UDFN Открытая площадка | 16 недель | 6 | 2,8 Вт | 1 | 8А | 20 В | 30 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 530пФ при 15В | 32 мОм при 8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 8А Та | 14,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ11С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | ТО-220-3Ф | 646пФ | 11А | 650В | 31 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 100 В | 399 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 13,2 нК при 10 В | 399 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2910Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | ТО-220-3Ф | 1,19 нФ | 22А | 100В | 2,1 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 1190пФ при 50В | 24 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 22А Тк | 15 нК при 10 В | 24 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ11Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | ТО-262 | 1,99 нФ | 11А | 600В | 272 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 25 В | 700 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 37 нК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | СК-70, СОТ-323 | 3 | 18 недель | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | 1,2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 630мВт Та | 0,135 Ом | P-канал | 540пФ при 10В | 135 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,2 А Та | 6,2 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||
| АОБ409Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aob409l-datasheets-4394.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 83,3 Вт | 1 | 31,5А | 20 В | 60В | 2,1 Вт Ta 83,3 Вт Tc | P-канал | 2953пФ при 30 В | 38 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 5А Та 31,5А Тс | 52 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2910Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aob2910l-datasheets-4615.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 30А | 100В | 2,1 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1190пФ при 50В | 23,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 6А Та 30А Тс | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerWDFN | 16 недель | 8 | 83 Вт | 1 | 50А | 20 В | 30 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2994 пФ при 15 В | 1,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 46А Та 50А Тс | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4268 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 60В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2500пФ при 30В | 4,8 мОм при 19 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 19А Та | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2210 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod2210-datasheets-6049.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 18А | 200В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2065пФ при 100В | 105 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 3А Та 18А Тс | 40 нК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6220 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6220-datasheets-0728.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 100В | 113,5 Вт Тс | N-канал | 4525пФ при 50В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 95 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6774 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 3нФ | 85А | 30 В | 6,2 Вт Та 48 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 15В | 2,05 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 44А Та 85А Тс | 60 нК при 10 В | 2,05 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4N60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi4n60-datasheets-7129.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 18 недель | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСИП-Т3 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 104 Вт Тс | ТО-251А | 4А | 235 мДж | N-канал | 640пФ при 25В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 14,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| АОИ4126 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi4126-datasheets-7238.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 3 | Полномочия общего назначения FET | 43А | Одинокий | 100В | 3 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 24 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7,5 А Та 43 А Тс | 42 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2N60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | ТО-251 | 295пФ | 2А | 600В | 57 Вт Тс | N-канал | 295пФ при 25В | 4,7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нК при 10 В | 4,7 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОУ3Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 18 недель | Нет | 56,8 Вт | 1 | ТО-251-3 | 370пФ | 2,5 А | 30 В | 600В | 56,8 Вт Тс | N-канал | 370пФ при 25В | 3,5 Ом при 1,25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 12 нК при 10 В | 3,5 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АО7411 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 18 недель | 6 | 630мВт | 1 | Другие транзисторы | 1,8 А | 8В | Одинокий | 20 В | 630мВт Та | P-канал | 524 пФ при 10 В | 120 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 1,8 А Та | 6,24 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АО4306 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6596 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,15 нФ | 35А | 30 В | 5 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20А Та 35А Тс | 30 нК при 10 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4453 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 9А | 12 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 1370пФ при 6В | 19 мОм при 9 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 9А Та | 18 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ480Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot480l-datasheets-8174.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 333 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 180А | 25В | Одинокий | 80В | 1,9 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 7820пФ при 40 В | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15А Та 180А Тс | 140 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ15С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 15А | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 717пФ при 100 В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 15А Тс | 15,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ12Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | 12А | 500В | 28 Вт Тс | N-канал | 1633пФ при 25 В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ13Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $4,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 250 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 13А | 30 В | Одинокий | 500В | 250 Вт Тс | N-канал | 1633пФ при 25 В | 510 мОм при 6,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 13А Тк | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
