Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОБ264Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Полномочия общего назначения FET | 140А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 30 В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 19А Та 140А Тс | 94 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7200 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 40А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 62 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 15,8 А Та 40 А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7246 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 5 | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | С-ПДСО-Ф5 | 34,5А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 3,1 Вт Ta 34,7 Вт Tc | 95А | 0,015 Ом | 20 мДж | N-канал | 1610пФ при 30 В | 15 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 34,5А Тс | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||
| АОБ442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 150 Вт | 1 | 105А | 20 В | 40В | 3,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 5600пФ при 20В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 21А Та 105А Тс | 90 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7754 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 8 | 70 Вт | 1 | 32А | 20 В | 30 В | 3,1 Вт Та 70 Вт Тс | N-канал | 1975 пФ при 15 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 24А Та 32А Тс | 40 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6506 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 36А | 30 В | 4,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2719пФ при 15 В | 2,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 33А Та 36А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7702Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | 8-PowerVDFN | совместимый | 30 В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | N-канал | 810пФ при 15 В | 9,5 мОм при 13,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,5 А Та 20 А Тс | 24 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4578 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 20А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1128пФ при 15В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2412-datasheets-0795.pdf | 4-SMD, без свинца | 4,5 А | 20 В | 550мВт Та | N-канал | 1842пФ при 10В | 23 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Та | 32 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ514 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi514-datasheets-9644.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 46А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1187пФ при 15 В | 5,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17А Та 46А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7536 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7536-datasheets-3363.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 8-ДФН-ЭП (3,3х3,3) | 2,35 нФ | 68А | 30 В | 4,1 Вт Ta 32,5 Вт Tc | N-канал | 2350пФ при 15 В | 4,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Та 68А Тс | 40 нК при 10 В | 4,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ7Т60П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 965пФ | 7А | 600В | 38 Вт Тс | N-канал | 965пФ при 100 В | 1,1 Ом @ 3,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 7А Тк | 25 нК при 10 В | 1,1 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2210Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 2,065 нФ | 13А | 200В | 8,3 Вт Ta 36,5 Вт Tc | N-канал | 2065пФ при 100В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 13 А Тс | 40 нК при 10 В | 90 мОм | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2610 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | ТО-251А | 2,007 нФ | 46А | 60В | 2,5 Вт Ta 71,5 Вт Tc | N-канал | 2007пФ при 30В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 46А Тс | 30 нК при 10 В | 10,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7422Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-PowerVDFN | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 20А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | 40А | N-канал | 2940пФ при 15В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОУ7С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 16 недель | 3 | 83 Вт | 1 | 7А | 30 В | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 372пФ при 100 В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 7А Тк | 8,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ12Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $8,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12А | 650В | 278 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 25В | 720 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 48 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4407Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4407l-datasheets-1414.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 2500пФ при 15В | 14 мОм при 10 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Та | 45 нК при 10 В | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4413Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3500пФ при 15В | 7 м Ом при 15 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 61 нК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ414_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | 2,2 нФ | 51А | 100В | 2,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,6 А Та 51 А Тс | 34 нК при 10 В | 25 мОм | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6368П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_050 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 33 нК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Т60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-220-3 Полный пакет | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10А | Одинокий | 600В | 43 Вт Тс | N-канал | 1346пФ при 100 В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 325пФ | 2А | 600В | 31 Вт Тс | N-канал | 325пФ при 25В | 4,4 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11,4 нК при 10 В | 4,4 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ20С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aob20c60-datasheets-2384.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ДА | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Одинокий | 600В | 463 Вт Тс | 20А | N-канал | 3440пФ при 100В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 74 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4710L_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4710l101-datasheets-2556.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2376пФ при 15 В | 11,8 мОм при 12,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12,7А Та | 43 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6748_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7202_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7202-datasheets-0729.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 3,1 Вт Та 36 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6454А_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 8-PowerSMD, плоские выводы | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-220-3 | совместимый | НЕТ | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | 11А | N-канал | 2000пФ при 100В | 440 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
