Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Код HTS | Емкость при частоте | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Количество каналов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Ток утечки | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Рабочее напряжение | Значение затухания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Функция | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Напряжение пробоя | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Напряжение пробоя-мин. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Максимальное напряжение пробоя | Защита от ЭСР | Направление | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Количество двунаправленных каналов | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Число бит драйвера | Количество входов | Ценности | Количество ячеек | Порядок фильтра | Сопротивление - канал (Ом) | Центральная/частота среза | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Химия батареи | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Условия испытания | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН3825_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8312ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoz8312di-datasheets-3310.pdf | 12-UFDFN Открытая площадка | 18 недель | Нет | 2,3 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | 12 | 12-ДФН-ЭП (3,5х2,5) | 1 мкА | 2,5 В | Да | 2,8 В | 18А 8/20мкс | 9В | 2,5 В Макс. | 5 | 9В | 18А | 2,5 В | 160 Вт | Однонаправленный | 160 Вт | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8010ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Низкий проход | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 0,157Дx0,063Ш 4,00x1,60 мм | 1 (без ограничений) | 5В | RC (Пи) | Соответствует RoHS | 2006 г. | 16-WFDFN Открытая площадка | 0,031 0,79 мм | 16 | 16 недель | 20 мА | Линии передачи данных для мобильных устройств | 8 | Фильтры линии передачи данных | -35 дБ при 800 МГц ~ 2,2 ГГц | Да | R = 100 Ом, C = 28 пФ | 2-й | 100 | Отсечка 90 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ66920Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 8,3 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 50В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22,5 А Та 80 А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1321ДИ-01Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | Лента и катушка (TR) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aoz1321di01l-datasheets-6082.pdf | 4 | 16 недель | Вкл/Выкл | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 5В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | Драйверы периферийных устройств | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н4 | 2А | 1 | Высокая сторона | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIM702H50B | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (0,295 дюйма, ширина 7,50 мм), 19 выводов | 1,5 А | 500 В | 3-фазный инвертор | 1500 В (среднеквадратичное значение) | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5117QI-01 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | Модуль 31-PowerVFQFN | 60 А | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5279QI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | МОП-транзистор | - | Поверхностный монтаж | 39-PowerVFQFN | 60 А | 20 В | 1 фаза | - | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8211ДИ-03 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 0402 (1006 Метрическая единица) | 2 | 18 недель | 2 | EAR99 | 11пФ при 1 МГц | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НИЖНИЙ | 1 | Подавители переходных процессов | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | Нет | 3,7 В | 6А 8/20 мкс | 3,3 В Макс. | 1 | 9,5 В | 6А | 3,3 В | 55 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8831ДТ-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 3-УФДФН | 2 | 18 недель | 0,22 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | НИЖНИЙ | 1 | Р-XBCC-N2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 5,5 В | 90 Вт | 6В | Нет | 15А | 15 В | 5 В Макс. | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8102ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 6-UFDFN Открытая площадка | 1,6 мм | 1,6 мм | 18 недель | 6 | EAR99 | Нет | Ethernet | 4 | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 5,5 В | Да | 6,6 В | 5А 8/20 мкс | 18В | 5А | 5В | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8808ДИ-03 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 10-УФДФН | 18 недель | 10 | Ethernet, HDMI | 10-ДФН (2,5х1) | Да | 3,5 В | 12А 100нс | 8В | 3,3 В Макс. | 4 | 8В | 12А | 3,3 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8006ФИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Рулевое управление (от рельса к рельсу) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8006fi-datasheets-2371.pdf | 10-TFSOP, 10-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | EAR99 | Нет | 1пФ @ 1МГц | Ethernet, HDMI | Подавители переходных процессов | 1 мкА | 5,5 В | Да | 6,6 В | 12А 100нс | 5 В Макс. | 4 | 16 В | 12А | 5В | Однонаправленный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8302CI-05 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 16 недель | 3 | EAR99 | 25пФ при 1 МГц | Ethernet, Телекоммуникации | Двунаправленный | Подавители переходных процессов | 6В | 5В | Нет | 32А 8/20мкс | 14 В | 5 В Макс. | 2 | 14 В | 32А | 5В | 432 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ8212CI-24 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoz8212ci05l-datasheets-7496.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | 11пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 29В | 2,5 А 8/20 мкс | 40В | 24 В Макс. | 100 Вт | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ1954CI-1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ9252ДИ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-SMD, открытая площадка с плоским выводом | 6-ДФН-ЭП (2х4) | Защита аккумулятора | Перегрузка по току | 1 | Литий-ионный/полимерный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5049QI | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МОП-транзистор | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2010 год | Модуль 24-PowerTFQFN | 16 недель | 35А | 1 фаза | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Б65Н1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 52 Вт | 170 нс | 650В | 10А | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 9,2 нК | 15А | 8 нс/73 нс | 81 мкДж (вкл.), 49 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОК20Б120Е2 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 18 недель | 250 Вт | 1200В | 40А | 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | 53,5 нК | 80А | -/123нс | 820 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОКС40Б65Н1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 300 Вт | ТО-247 | 300 Вт | 650В | 2,4 В | 80А | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | 63нК | 120А | 41 нс/130 нс | 1,27 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Б65М1 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | неизвестный | 69 Вт | 69 Вт | 650В | 195 нс | 650В | 1,98 В | 10А | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 1,98 В @ 15 В, 5 А | 14 нК | 15А | 8,5 нс/106 нс | 80 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6185QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | 10-UFQFN | 3В | 16 недель | 4,5 В | 1,65 В | 8Ом | 10 | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 990 МГц | Одинокий | 4 | 2 | 8Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21307 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 2 Вт Та | 2 P-канала (двойной) | 1995 пФ при 15 В | 16 мОм при 9 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 9А Та | 51 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4630 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8-СО | 30 В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 670пФ при 15 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 1,45 В @ 250 мкА | 5А 7А | 20 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSD21313C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 1,7 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 32 мОм при 5,7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,7А Та | 33 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aod11s60-datasheets-6490.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | 16 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Р-ПССО-Г3 | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 208 Вт Тк | 45А | 0,399 Ом | N-канал | 545пФ при 100В | 399 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 11А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 1,4 Вт | 1 | 3,8А | 12 В | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 60 мОм при 3,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 3,2 нК @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 1,44 нФ | 40А | 30 В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 15В | 7,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Та 40А Тс | 26 нК при 10 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4812 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 6А | 0,03 Ом | 50 пФ | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 6,3 нК при 10 В | Стандартный |
