| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD66406 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 40В | 6,2 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 1480пФ при 20В | 6,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А Та 60А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6484 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6484-datasheets-7124.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 3,3А | Одинокий | 100В | 2 Вт Та 25 Вт Тс | 12А | N-канал | 942пФ при 50 В | 79 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 3,3 А Та 12 А Тс | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6312 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 5 | 18 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 50 Вт Тс | 130А | 260А | 0,0025Ом | 32 мДж | N-канал | 3100пФ при 15 В | 1,85 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 85А Тс | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2411 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerWDFN | 18 недель | 8-ДФН (2х2) | 2,18 нФ | 20А | 12 В | 5 Вт Та | P-канал | 2180пФ при 6В | 8 мОм при 12 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 20А Та | 30 нК при 4,5 В | 8 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6314 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30 В | 32,5 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 85А Тс | 20 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7410 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Не квалифицирован | 1,7 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 350мВт Та | 0,055 Ом | 25 пФ | N-канал | 285пФ при 15В | 55 мОм при 1,7 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 12 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АО7413 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | СК-70, СОТ-323 | 1,4 А | 20 В | 350мВт Та | P-канал | 400пФ при 10В | 113 мОм при 1,4 А, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | 1,4 А Та | 4,5 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР66406 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 40В | 5 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 1480пФ при 20В | 6,1 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А Та 30А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6266Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 60В | 26 Вт Тс | N-канал | 755пФ при 30 В | 13,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 24А Тк | 10 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ15С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | Нет | 1 | 15А | 30 В | 600В | 27,8 Вт Тс | N-канал | 717пФ при 100 В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 15А Тс | 15,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ284Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob284l-datasheets-8390.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 105А | 80В | 2,1 Вт Та 250 Вт Тс | N-канал | 5154пФ при 40 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 16А Та 105А Тс | 100 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ12Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | 12А | 500В | 250 Вт Тс | N-канал | 1633пФ при 25 В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ288Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 43А | 80В | 2,1 Вт Ta 35,5 Вт Tc | N-канал | 1871 пФ при 40 В | 9,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 10,5 А Та 43 А Тс | 38 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ14Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 14А | Одинокий | 500В | 28 Вт Тс | N-канал | 2297пФ при 25 В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ8Н80 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 18 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 7,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 26А | 433 мДж | N-канал | 1650пФ при 25В | 1,63 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7,4 А Тс | 32 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОВ292 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | ТО-262 | 6,775 нФ | 105А | 100В | 1,9 Вт Та 300 Вт Тс | N-канал | 6775пФ при 50 В | 4,1 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 14,5 А Та 105 А Тс | 126 нК при 10 В | 4,1 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ25С65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | 25А | 650В | 357 Вт Тс | N-канал | 1278пФ при 100 В | 190 мОм при 12,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 25А Тс | 26,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ286Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aot286l-datasheets-7976.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 70А | Одинокий | 80В | 2,1 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 3142пФ при 40В | 6 м Ом при 20 А, 10 В | 3,3 В @ 250 мкА | 13А Та 70А Тс | 63 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ5Н100 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot5n100-datasheets-8226.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 4А | 1000В | 195 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 25В | 4,2 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 23 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ11С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 4-PowerTSFN | 4-ДФН-ЭП (8х8) | 545пФ | 8А | 600В | 8,3 Вт Ta 156 Вт Tc | N-канал | 545пФ при 100В | 500 мОм при 3,8 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 650 мА Та 8А Тс | 11 нК при 10 В | 500 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4701 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4701-datasheets-1648.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 5А | 30 В | 2 Вт Та | P-канал | 952пФ при 15 В | 49 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А Та | 9,5 нК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1422 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aol1422-datasheets-1829.pdf | 3-PowerSMD, плоские выводы | неизвестный | 85А | 30 В | 2,08 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 6800пФ при 15В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 19А Та 85А Тс | 112 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6410 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $7,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6410-datasheets-4574.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 1,452 нФ | 24А | 30 В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 1452пФ при 15В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 24А Тс | 28 нК при 10 В | 12 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6702 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6702-datasheets-6151.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 85А | 30 В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7080пФ при 15 В | 2 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 26А Та 85А Тс | 123 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ450Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 235пФ | 5,8А | 200В | 27 Вт Тс | N-канал | 235пФ при 25В | 700 мОм при 2,9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5,8 А Тс | 4,4 нК при 10 В | 700 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД472А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod472a-datasheets-9959.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Полевой транзистор общего назначения | 46А | Одинокий | 25 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | 55А | N-канал | 2200пФ при 12,5 В | 5,5 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7210 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerWDFN | 8 | Нет | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 50А | 20 В | Одинокий | 30 В | 6,2 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2380пФ при 15 В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 30А Та 50А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ1100Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 500 Вт | 1 | 130А | 20 В | 100В | 2,1 Вт Та 500 Вт Тс | N-канал | 4833пФ при 25 В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 8А Та 130А Тс | 100 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 350 мВт | 1 | 700 мА | 8В | 20 В | 350мВт Та | P-канал | 114пФ при 10В | 470 мОм при 700 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 700 мА Та | 1,44 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ2502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 3,01 нФ | 106А | 150 В | 6,2 Вт Ta 277 Вт Tc | N-канал | 3010пФ при 75В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 5,1 В @ 250 мкА | 16А Та 106А Тс | 60 нК при 10 В | 10,7 мОм | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.