Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4822_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 8А | 18 нК при 10 В | Стандартный | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6808_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | СК-74, СОТ-457 | 800мВт | 6-ЦОП | 780пФ | 4,6А | 20 В | 800мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 780пФ при 10 В | 23 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 4,6А | 21 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 23 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7804_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 3,1 Вт | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 888пФ | 9А | 30В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 9А | 18 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО9926BL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 7,6А | 20 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 23 мОм при 7,6 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 12,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4286 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 14А | Одинокий | 100 В | 100 В | 2,5 Вт Та 30 Вт Тс | 0,068Ом | N-канал | 390пФ при 50В | 68 мОм при 5 А, 10 В | 2,9 В @ 250 мкА | 4А Та 14А Тс | 10 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ66916L | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | 100 В | 8,3 Вт Ta 277 Вт Tc | N-канал | 6180пФ при 50В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 35,5 А Та 120 А Тс | 78 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД7С65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod7s65-datasheets-0931.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 7А | 650В | 89 Вт Тс | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 9,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP32314 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1420пФ при 15В | 9 мОм при 14,5 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 14,5 А Та | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7404 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | Без свинца | 16 недель | 40А | 20 В | 3,1 Вт Та 40 Вт Тс | N-канал | 4630пФ при 10 В | 6 м Ом при 20 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 20А Та 40А Тс | 43 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6482 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 28А | 100 В | 2,5 Вт Та 63 Вт Тс | N-канал | 2000пФ при 50В | 37 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 5,5 А Та 28 А Тс | 44 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ1Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | ТО-220 | 160пФ | 1,3А | 600В | 41,7 Вт Тс | N-канал | 160пФ при 25В | 9 Ом при 650 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,3 А Тс | 8 нК @ 10 В | 9 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ5Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | Нет | 104 Вт | 1 | 5А | 30В | 500В | 104 Вт Тс | N-канал | 620пФ при 25В | 1,5 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Тс | 19 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6409А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao6409a-datasheets-1788.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 16 недель | Другие транзисторы | 5,5 А | Одинокий | 20 В | 2,1 Вт Та | P-канал | 905пФ при 10 В | 41 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 5,5 А Та | 11 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4132 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 85А | 30В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4400пФ при 15В | 4 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 85А Тс | 76 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3160 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao3160-datasheets-3761.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 40 мА | 600В | 1,39 Вт Та | N-канал | 15пФ при 25В | 500 Ом при 16 мА, 10 В | 3,2 В @ 8 мкА | 40 мА Та | 1,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ266Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | 45,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 78А | 20 В | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Ta 45,5 Вт Tc | N-канал | 5650пФ при 30 В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 18А Та 78А Тс | 90 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4402G | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 3,1 Вт Та | 20А | 0,0059Ом | N-канал | 3300пФ при 10 В | 5,9 мОм при 20 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 20А Та | 45 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 3,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi4s60-datasheets-4742.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 16 недель | 3 | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 56,8 Вт | 1 | 4А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 56,8 Вт Тс | 4А | 0,9 Ом | 77 мДж | N-канал | 263пФ при 100 В | 900 мОм при 2 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОН6548 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 30В | 7,4 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 4290 пФ при 15 В | 1,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 52А Та 85А Тс | 90 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1240 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 3 | 69А | 40В | 2,1 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 3800пФ при 20В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 19А Та 69А Тс | 50,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОУ4С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 56,8 Вт Тс | 4А | 16А | 0,9 Ом | 77 мДж | N-канал | 263пФ при 100 В | 900 мОм при 2 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОСС21311C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 30В | 1,3 Вт Та | P-канал | 720пФ при 15В | 45 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4.3А Та | 23 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4504 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 6А | 200В | 2,5 Вт Ta 42,5 Вт Tc | N-канал | 328пФ при 100В | 400 мОм при 3 А, 10 В | 3,7 В @ 250 мкА | 1,5 А Та 6 А Тс | 115 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ5Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | 35 Вт | 1 | 5А | 30В | 500В | 35 Вт Тс | N-канал | 620пФ при 25В | 1,5 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Тс | 19 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР21357 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 5 | 18 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 5 Вт Та 30 Вт Тс | 34А | 136А | 0,0078Ом | 76 мДж | P-канал | 2830пФ при 15 В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 21А Та 34А Тс | 70 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon4407-datasheets-7524.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 9А | 12 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 2100пФ при 6В | 20 мОм при 9 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 9А Та | 23 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD2610E | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 2 | да | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | -55°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252 | 46А | 110А | 0,0133Ом | 43 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР36326C | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Ta 20,5 Вт Tc | N-канал | 540пФ при 15В | 9,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 12А Та 12А Тс | 15 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД516 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | 50 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 46А | 20 В | Одинокий | 30В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД450 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod450-datasheets-7952.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | 3 | Нет | 2,1 Вт | 1 | 3,8А | 30В | 200В | 2,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 215пФ при 25В | 700 мОм при 3,8 А, 15 В | 6 В при 250 мкА | 3,8 А Тс | 3,82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
