Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43Р83200Ф-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 256 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128BLL-55HLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3,3 В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,8 В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Л-6ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 8 недель | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200ДЖ-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160ДЖ-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $2,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 6 недель | да | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160ДЖ-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 256 Мб | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 130 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128F-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $2,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16800Э-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 128 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 240 мА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-37КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | 8 недель | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,26 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 500пс | 266 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ032B-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 1 мс | 33554432 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ032B-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 1 мс | 33554432 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16320Е-25ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400 нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS34ML02G084-TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 256MX8 | 8 | 25нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Х-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32400G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Х-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32400Х-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | 3В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16160Ф-5БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,88 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 100 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16160К-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 12 недель | 54 | 2,3 В~3 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $14,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160ДЖ-7БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160Г-7БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | АЭК-Q100 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS45S16160G-6CTLA1-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР81280Б-15ГБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16160Ф-5БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Ф-7БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 100 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 370 мА | 66 | 8 недель | 66 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К25616ЭЛ-45ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,8 мм | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 45нс | 4194304 бит | 45 нс |
