Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С32200Э-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 1 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 160 мА | 86 | 86 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 160 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51218А-7.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТФБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 9 Мб | нет | 2 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 18 | 0,05А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р83200Б-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 66 | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Э-6Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 90 | 90 | неизвестный | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП12836Б-200Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 119-ББГА | 3,3 В | 119 | 4 Мб | 4 | 210 мА | 3,135 В~3,465 В | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Э-7БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,3 В | 90 | 90 | 64 Мб | Нет | 140 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ51216БЛЛ-10МА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 48 | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 54-ТФБГА | 54 | 54 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-75ЭБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 128 Мб | 150 мА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 90-ЛФБГА (13x11) | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-75ЭТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 130 мА | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С81600Э-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 128Мб 16М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 16MX8 | 8 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400Ф-6БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 54 | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ41М36-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 165 | 36 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 10 | 0,5 мА | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 250 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ25616БЛЛ-55ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wv25616bll55blitr-datasheets-7455.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | Параллельно | 2,5 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 55нс | ПСРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | ДРАМ - ЭДО | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16100b50tlitr-datasheets-5898.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 16 Мб | 180 мА | 3В~3,6В | 44-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-5Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 50 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-50ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-60КЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | АСИНХРОННЫЙ | 3,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16105b60kl-datasheets-5976.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 42 | 42 | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТЫЙ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-7ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,14 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г50 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Д-6Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-6Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400d6t-datasheets-6028.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,15 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-6Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 3,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16100b50klitr-datasheets-6065.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 42 | 42 | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Б-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 180 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С81600Д-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 128 Мб | 120 мА | 3В~3,6В | 128Мб 16М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно |
