Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV102416ALL-20MI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 1,8 В | 48 | 48 | 16 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 60 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | 0,75 мм | 48 | 2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 20нс | 0,02 А | 16б | 20 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК93200-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б2И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 2,41 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 22 мм | 14 мм | 119 | 119 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ6416ДБЛЛ-45Б2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 48 | 48 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 1 | 8мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 45нс | 0,000004А | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ1М16ДБЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 16 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | Другие микросхемы памяти | 0,028 мА | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВ51216ДБЛЛ-70ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 44 | 44 | 8 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | Другие микросхемы памяти | 0,028 мА | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dbll45tlitr-datasheets-2461.pdf | 36-ТФБГА | 8 мм | 36 | 48 | 4 Мб | 1 | Нет | 1 | 20 мА | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | Р-ПБГА-Б36 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 0,000007А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ4М16БЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | да | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 225 | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Другие микросхемы памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 70нс | 67108864 бит | 0,00001А | 70 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК96400-25Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,97 мА | Не квалифицирован | 576Мб 64М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | ДРАМ | Параллельно | 64MX9 | 9 | 603979776 бит | 0,048А | ОБЩИЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ025B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 256КХ1 | 1 | 800 мкс | 262144 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3В | 15 мА | 8 | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | 12 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 21б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 2 мс | 0,00003А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LD020-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,3 В | 15 мА | 8 | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 100 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 5 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100С-50ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16100c50tli-datasheets-9984.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 мА | 44 | 44 | 16 Мб | 1 | EAR99 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640А-3БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 1,2 В | 134 | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16128А-3ДБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr16128a3dbli-datasheets-4491.pdf | 84-ЛФБГА | 84 | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640А-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS71LD32160WP128-3BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЭШ-НОР, ДРАМ-ЛПДДР2 | Соответствует ROHS3 | БГА | 1,2 В 1,8 В | 168-БГА | 128 МБ флэш-памяти, 512 МБ оперативной памяти | Энергонезависимый | 133 МГц | ФЛЕШ, ОЗУ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-ИЮЛЬ-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 8-UFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512КХ1 | 1 | 800 мкс | 524288 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP016-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is25wp016jble-datasheets-4147.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128-RGLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16160Д-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16160d7bl-datasheets-4406.pdf | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 143 МГц | 1 | 110 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32400Г-75БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm32400g75bi-datasheets-4414.pdf | 90-ТФБГА | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Э-75ЭТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42sm16800e75etli-datasheets-4454.pdf | 54-ТФБГА | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-25БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 400 МГц | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-25БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32400Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm32400g75bi-datasheets-4414.pdf | 90-ТФБГА | 2,3 В~2,7 В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616ДБЛЛ-55ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 2,3 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wvc4m16all7010bli-datasheets-2508.pdf | 54-ВФБГА | 8 мм | 7 мм | 54 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 104 МГц | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 70нс | 67108864 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ22М18К-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640БЛ-125ДЖБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 |
