Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43ЛР32400Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 90 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 95 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ020B-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX1 | 1 | 800 мкс | 2097152 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128Б-25ЭБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 13,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 8542.32.00.36 | 1 | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 0,54 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is25lp128jkle-datasheets-3204.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-55БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 55нс | 67108864 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ020-JVLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | SPI, серийный | 1,65 В~1,95 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 1 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18160-33ВБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416DALL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 48-ТФБГА | 1,65 В~2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16200Д-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 10 | С-ПБГА-Б54 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 33554432 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16800Г-75БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm16800g6bli-datasheets-4412.pdf | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 54-ТФБГА (8х8) | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16160Д-8БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16160d8tli-datasheets-4423.pdf | 54-ТФБГА | 13 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 125 МГц | 8542.32.00.24 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 10 | Р-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 6нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45ВМ16800Э-75БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,000015А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-3БПЛА25-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | Соответствует ROHS3 | 168-ВФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ1М16БЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve1m16bll70bli-datasheets-4769.pdf | 48-ТФБГА | 48 | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 70нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616ДАЛЛ-55ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 44 | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8/2 В | 0,015 мА | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 0,000007А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55HLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 32 | 1,65 В~2,2 В | 32-ЦОП I | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ42М18К-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ42М18К-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP032D-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ25632БЛЛ-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv25632bll10bi-datasheets-1410.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 90 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 8Мб 256К х 32 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ32 | 32 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512БЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr16512bl125kbli-datasheets-7588.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 10 мм | 96 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-6Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128БЛЛ-55Т2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,8 В | 32 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Л-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV51216EBLL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 45нс | 8388608 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128EBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 36-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 36 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 45нс | 4194304 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43QR16256A-083RBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,14 В~1,26 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 1,2 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР85120А-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 8 недель | 78 | 4ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 0,018А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418А-6.5Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 3,3 В | 165 | 18 Мб | 2 | 250 мА | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный |
