| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество таймеров | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STM32WB50CGU5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -10°С~85°С ТА | 3 (168 часов) | 2,402–2,48 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stm32wb50cgu5-datasheets-3126.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 7 мм | 48 | 12 недель | ДА | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -100 дБм | 2 Мбит/с | 7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти 128 КБ SRAM | 8,8 мА~12 мА | 30 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 4 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2543RHBT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2543rhbr-datasheets-0347.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 1 мм | 5 мм | Без свинца | 32 | 6 недель | 32 | I2C, SPI, УАРТ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | е4 | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | СС2543 | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие ИБП/UC/периферийные микросхемы | 3В | Не квалифицированный | -98 дБм | 2 Мбит/с | 21,2 мА | 32 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 26 мА~29,4 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 1 КБ | 5 дБм | 3 | 16 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, СПИ, УСАРТ | ГФСК, МСК | И2С; СПИ; УАРТ; УСАРТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф128ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | совместимый | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF52840-QIAA-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 73-VFQFN, двухрядный, открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 73 | 20 недель | 1 | ДА | 1,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Н73 | -103 дБм | 2 Мбит/с | 4,6 мА~5,2 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 4,8 мА~14,8 мА | 8 дБм | 802.15.4, Блютуз | АЦП, I2S, ШИМ, ШИМ, SPI, TWI, UART, USB | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKW30Z160VHM4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 32-VFQFN Открытая колодка | 32 | 13 недель | 5А992 | 8542.31.00.01 | 1 | ДА | 1,45 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -91 дБм | 1 Мбит/с | 6,5 мА~15,4 мА | 160 КБ флэш-памяти 20 КБ SRAM | 8,4 мА~18,5 мА | 5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCR20AVHM | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 41-ВФЛГА | 32 | 10 недель | 5А992 | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | 40 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,7 В | 0,0195 мА | Не квалифицированный | S-XBGA-N32 | -102 дБм | 250 кбит/с | 15 мА~19 мА | 17 мА | 8 дБм | 802.15.4 | СПИ | О-QPSK | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1B132F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ86РФ231-ЗФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-at86rf231zu-datasheets-8638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 12,3 мА | 7 недель | 32 | 1 | да | Олово | Нет | 1,8 В~3,6 В | 8 | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 128Б СОЗУ | 7,4 мА~14 мА | 3 дБм | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р63Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф128ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1,85 В~3,8 В | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2652P1FRGZR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц~2,48 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | да | ТАКЖЕ НОМИНАЛЬНАЯ ЧАСТОТА КРИСТАЛЛА 48 МГц. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2652 | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-N48 | -105 дБм | 2 Мбит/с | 6,9 мА | 352 КБ флэш-памяти 80 КБ ОЗУ | 7,3 мА~85 мА | 26 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | ДА | 19,5 дБм | 8 | 802.15.4, Блютуз | АЦП, GPIO, I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | ДССС, ФСК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 26 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF200SCR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ВФ200 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-wf200cr-datasheets-2902.pdf | 32-QFN Открытая колодка | 12 недель | совместимый | 1,8 В~3,3 В | -96,5 дБм | 72,2 Мбит/с | 16 дБм | Wi-Fi | СДИО, СПИ | 802.11b/г/н | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П131Ф128ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф32ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П131Ф64ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р69Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 22 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф32Р69Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 22 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р63Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 44,5 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР35J17BT-I/7JX | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 137–175 МГц 410–525 МГц 862–1,02 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-atsamr34j18bi7jx-datasheets-0777.pdf | 64-ТФБГА | 6 мм | 6 мм | 64 | 6 недель | ДА | 1,8 В~3,63 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,65 мм | S-XBGA-B64 | -148 дБм | 14,8 мА~15,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 32,5 мА~94,5 мА | 27 | 32 | ДА | ДА | 20 дБм | 32 | 802.15.4 | I2S, SPI, USART, USB | ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЛоРа™ | 27 | 4096 | ДА | ДА | 15 | 3 | 16384 | 32 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC35680FSG-002(ЭЛГ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ТК | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц~2,484 ГГц | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc35681fsg002elc-datasheets-2685.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 16 недель | 1,2 В | -105 дБм | 2 Мбит/с | 5,1 мА~5,6 мА | 128 КБ флэш-памяти 144 КБ | 5,2 мА~26 мА | 8 дБм | Bluetooth | АЦП, HCI, I2C, ШИМ, SPI, UART | Bluetooth версия 5.0 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX7037EGL+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/maximintegrated-max7037egl-datasheets-2916.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 8542.39.00.01 | 3,3 В | НЕ УКАЗАН | MAX7037 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 22 мА | 125 кбит/с | 64 КБ флэш-памяти | 16 мА | 6 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | СПРОСИТЕ, ФСК | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HPA00403RHHR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 300–348 МГц 391–464 МГц 782–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Содержит свинец | 36 | 6 недель | 36 | USB | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Нет | 2В~3,6В | КВАД | 3В | 0,5 мм | HPA00403 | -112 дБм | 500 кбод | 16,2 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 12 | 15,2 мА | 21 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 27 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 10 дБм | 4 | 21 | Общий ИСМ< 1 ГГц | И2С, УСАРТ, USB | 2ФСК, АСК, ГФСК, МСК, ООК | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 18 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2551ETN+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 824–894 МГц 1,85–1,99 ГГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/maximintegrated-max2551etn-datasheets-2786.pdf | 56-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 56 | 6 недель | 1 | ДА | 3В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N56 | 75 мА~120 мА | 218 мА~315 мА | 0 дБм | Сотовая связь | СПИ | GSM, HSPA+, WCDMA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QN9021/ДИ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nxpusainc-qn9021dy-datasheets-2623.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 13 недель | 2,4 В~3,6 В | -95 дБм | 9,2 мА | 128 КБ флэш-памяти | 8,8 мА | 4 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.0 | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П431Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -121 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20732S | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20736s-datasheets-2212.pdf | Модуль 48-СМД | 13 недель | 1,4 В~3,6 В | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.0 | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX7030LATJ+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 315 МГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max7030latj-datasheets-2818.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 10 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,1~3,6 В 4,5~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/5 В | 0,0204 мА | Не квалифицированный | S-XQCC-N32 | -114 дБм | 66 кбит/с | 6,4 мА~6,7 мА | 3,5 мА~11,6 мА | 13,1 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ОК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,4 В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 70 мА~85 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 20 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F143-3-TX30 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 27 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1433tx30-datasheets-2839.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 1,8 В~3,6 В | -137 дБм | 125 кбит/с | 6,5 мА~11 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ SRAM | 7,5 мА~48 мА | 16 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 4ФСК, АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК | Sigfox, беспроводной M-Bus, Z-Wave® | 19 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.