| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Количество вариантов SPI | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | ОЗУ (слова) | Граничное сканирование | ОЗУ (байты) | Количество каналов I2C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC13213R2 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-mc13213-datasheets-2313.pdf | 71-ВФЛГА Открытая площадка | 9 мм | 9 мм | 71 | 10 недель | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 2В~3,4В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 250 | 2,7 В | 0,5 мм | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б71 | -92 дБм | 250 кбит/с | 37 мА | 60 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 30 мА | 3 дБм | 802.15.4 | I2C, СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б732Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p732f256gm32c0-datasheets-2562.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | Неизвестный | 32 | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА~9,8 мА | 768 КБ флэш-памяти, 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32КБ | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф128ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2564RVMT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 76-VQFN, двухрядный, открытая колодка | 8 мм | 900 мкм | 8 мм | Без свинца | 76 | Нет СВХК | 76 | УАРТ | NRND (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 850 мкм | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | ДА | 2,2 В~4,8 В | КВАД | 260 | 3,6 В | 0,6 мм | СС2564 | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20736A1KML2G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | WICED | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20736a1kml2g-datasheets-2527.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 13 недель | 5А992.С | CYW20736A1KML2G | 8542.31.00.01 | 1,4 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P432F1024GL125-C | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,94 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 125-ВФБГА | 7 мм | 7 мм | 125 | 8 недель | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | С-ПБГА-Б125 | -95 дБм | 2000 Мбит/с | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 19 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth версия 5.0 | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1005-E-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | 0,95 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | НЕ УКАЗАН | 1,9 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | 0,95 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | Без свинца | 42 | 10 недель | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | НЕ УКАЗАН | 1,9 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 20 дБм | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4431-B1-FM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 240–930 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-si4432b1fm-datasheets-2046.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4 мм | 3В | 4 мм | 20 | 42,949528мг | Неизвестный | 20 | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 20 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | Не квалифицирован | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 17 мА~30 мА | 13 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК, ООК | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC57H687C-GITM-E4 | Квалкомм | $13,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 120-ЛФБГА | 120 | 1,8 В~3,6 В | -90 дБм | 8 МБ флэш-памяти | 5 дБм | Bluetooth | Bluetooth v2.1 +EDR, класс 2 и 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф128Р60Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9,1 мм | 900 мкм | 9,1 мм | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 1 | 41 | ВСПЫШКА | РУКА | 32КБ | 32б | 13 дБм | 4 | 2 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20706UA2KFFB4G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 49-ТФБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96,5 дБм | 2 Мбит/с | 12,5 мА | 848 КБ ПЗУ 352 КБ ОЗУ | 26,5 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1015-C-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1063-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,4 В | 0,5 мм | 40 | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA128RFR2-ЗУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-atmega256rfr2zu-datasheets-1023.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 850 мкм | 9 мм | 64 | 8 недель | 64 | СПИ, ЮСАРТ | да | Олово | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АТМЕГА128РФР2 | Микроконтроллеры | 2/3,3 В | Не квалифицирован | -100 дБм | 2 Мбит/с | 5 мА~12,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 8 мА~14,5 мА | 8 | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 8 | 3,5 дБм | Да | 6 | 38 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 35 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32КБ | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P333F256GM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b232f256gm48c0-datasheets-1511.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 34,1 мА | 31 | 32КБ | 19,5 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC13213 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-mc13213-datasheets-2313.pdf | 71-ВФЛГА Открытая площадка | 9 мм | 9 мм | 71 | 10 недель | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 2В~3,4В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 250 | 2,7 В | 0,5 мм | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б71 | -92 дБм | 250 кбит/с | 37 мА | 60 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 30 мА | 3 дБм | 802.15.4 | I2C, СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3585-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3585rtr-datasheets-1703.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | 48 | 8 недель | 150,507618мг | АЦП, I2C, SPI, UART | Нет | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 1,25 В | 0,5 мм | 4 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~30 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~45 мА | ВСПЫШКА | РУКА | 32КБ | 32б | 8 дБм | 2 | 802.15.4 | АЦП, SPI, TWI, UART | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127LQI-BL453 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | Без свинца | 56 | 18 недель | I2C, ИК-порт, LIN, SPI, SSP, UART, USART | 5А992.Б | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 25 мА | S-XQCC-N56 | -91 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 16 КБ SRAM | 14,2 мА~20 мА | Внутренний | 36 | ВСПЫШКА | Обнаружение/сброс понижения напряжения, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБ | Да | 4 | 36 | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 16000 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС2420РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС2420 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,81,8/3,3 В | -95 дБм | 250 кбит/с | 18,8 мА | 8,5 мА~17,4 мА | 0 дБм | 802.15.4 | СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4721-B20-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К | Поднос | 3 (168 часов) | 76 МГц~108 МГц | 0,6 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si4721b20gm-datasheets-2364.pdf | 20-UFQFN Открытая площадка | 20 | 8 недель | 16,499422мг | 20 | 2-проводной, СПИ | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | 20 | 16,8 мА~19,8 мА | 18,3 мА~18,8 мА | УКВ | И2С, СПИ | FM-радио | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,4 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2630F128РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1350f128rgzr-datasheets-7708.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | Нет СВХК | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | е4 | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС2630 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 250 кбит/с | 5,9 мА~6,1 мА | 128 КБ флэш-памяти 28 КБ | 6,1 мА~9,1 мА | 31 | ДМА, I2C | 20 КБ | 16 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | ДССС, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20736S | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | WICED | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20736s-datasheets-2212.pdf | Модуль | 13 недель | да | 5А992.С | 8542.31.00.01 | 1,4 В~3,6 В | 60 КБ ОЗУ | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JN5164/001,515 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-jn5168001515-datasheets-1127.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | 40 | 13 недель | ДА | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | 40 | Микроконтроллеры | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | S-PQCC-N40 | -96 дБм | 1 Мбит/с | 17 мА | 160 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 32 КБ ОЗУ | 15,3 мА | 22 | 32 МГц | 32 | ДА | НЕТ | ДА | 2,5 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | ЗигбиПРО® | 20 | 163840 | 32768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -121 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 31 | 32КБ | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Флекс Геккон | 32 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.