Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Чувствительность (дБм) | Тип потребительской микросхемы | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Прямое напряжение | Стиль объектива | Яркость света | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество таймеров | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P333F256GM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b232f256gm48c0-datasheets-1511.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | Неизвестный | 48 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 34,1 мА | 31 | 32 КБ | 19,5 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П432Ф1024ГЛ125-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 256 КБ | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 283–350 МГц 425–525 МГц 850–960 МГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,4 В | 0,5 мм | -116 дБм | 500 кбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4438-C2A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 425–525 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/siliconlabs-si4438c2agm-datasheets-1959.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4 мм | 3,3 В | 20 | 8 недель | 16,499422мг | Неизвестный | 20 | 1 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -124 дБм | 500 кбит/с | 13,7 мА | 75 мА | 20 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П232Ф512ГМ48-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | ПОТРЕБИТЕЛЬСКАЯ ЦЕПЬ | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, УАРТ, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si4420d1ft-datasheets-1963.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 недель | 57,747979мг | 16 | 2 | 2,2 В~5,4 В | -109 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 13 мА~24 мА | 8 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2560BRVMT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 76-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 мм | 900 мкм | 8 мм | 4,8 В | 76 | 6 недель | 76 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 850 мкм | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~4,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,6 В | 0,6 мм | СС2560 | НЕ УКАЗАН | -95 дБм | 13,7 мА | 4 Мбит/с | 112,5 мА | 10 дБм | Bluetooth | УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2650F128RSMT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1350f128rgzr-datasheets-7708.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 1 мм | 4 мм | Без свинца | 32 | 6 недель | 32 | I2C, SPI, УАРТ | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | РСМ (S-PVQFN-N32) | е4 | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | СС2650 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 1 Мбит/с | 5,9 мА~6,1 мА | 128 КБ флэш-памяти 28 КБ | 6,1 мА~9,1 мА | 10 | 20 КБ | 48 МГц | 16 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 5 дБм | КОРТЕКС-М3 | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | ДССС, О-QPSK, ГФСК | 6LoWPAN, Bluetooth v5.1, Zigbee® | 10 | 1 | 28 | ДА | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 1 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1000PW | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,7 мм | 1,2 мм | 4,4 мм | 3В | Содержит свинец | 4,5 мм | 28 | 117,508773мг | Нет СВХК | 28 | 1 | NRND (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1 мм | Золото | Нет | 1 | 9,6 мА | е4 | 2,1 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1000 | 28 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -110 дБм | 76,8 кбод | 7,4 мА~9,6 мА | 5,3 мА~26,7 мА | 10 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | УАРТ | ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43143KMLG | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | 0°С~65°С | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 56-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 56 | 13 недель | 5А992.С | 8542.31.00.01 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,2 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | 30 | S-XQCC-N56 | -97 дБм | 150 Мбит/с | 68 мА~94 мА | 256 КБ ПЗУ 448 КБ ОЗУ | 368 мА~427 мА | 21 дБм | Wi-Fi | I2C, I2S, SPI, UART | 802.11b/г/н | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е16А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1609.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 8 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 16 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 42 | 10 недель | 42 | I2C, SPI, УАРТ | Золото | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П432Ф1024ГМ48-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKW31Z512VHT4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nxpusainc-mkw41z512vht4-datasheets-1065.pdf | 48-VFQFN | 48 | 13 недель | 5А992 | 8542.31.00.01 | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 105°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -102 дБм | 6,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 6мА | 4 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕМ357-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/siliconlabs-em357rtr-datasheets-1581.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 3,6 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | Нет | 1 | 3,6 В | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 1,25 В | 0,5 мм | 48 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 22 мА~28,5 мА | 192 КБ флэш-памяти 12 КБ ОЗУ | 21,5 мА~43,5 мА | ВСПЫШКА | РУКА | 12 КБ | 32б | 8 дБм | 3 | 24 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1284RFR2-ЗУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atmega2564rfr2zu-datasheets-9690.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 2,4 ГГц | 48 | 8 недель | 2-проводной, I2C, SPI, USART | да | Олово | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | АТМЕГА1284РФР2 | Микроконтроллеры | 2/3,3 В | 2мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N48 | -100 дБм | 2 Мбит/с | 5 мА~12,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 8 мА~14,5 мА | 33 | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 8 | ДА | НЕТ | ДА | НЕТ | 3,5 дБм | Да | 6 | 33 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4432-B1-FM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 240–930 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si4432b1fm-datasheets-2046.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4 мм | 3В | 4 мм | 85 мА | 20 | 8 недель | 42,949528мг | Неизвестный | 20 | Нет | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 3В | 0,5 мм | 20 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 20 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК, ООК | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC3220SM2ARGKT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc3220sf12argkt-datasheets-9749.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 1 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | 64 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | 5А992С | ТАКЖЕ ВКЛЮЧАЕТ СЕТЕВОЙ ПРОЦЕССОР WI-FI. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС3220 | НЕ УКАЗАН | -96 дБм | 54 Мбит/с | 59 мА | 256 КБ ОЗУ | 12 | 223 мА | 27 | I2C | 256 КБ | 80 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 18 дБм | Wi-Fi | I2C, SPI, УАРТ | ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н | 21 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДФ7020BCPZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 431–478 МГц 862–956 МГц | 19 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7020bcpz-datasheets-2069.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка, CSP | 7 мм | 830 мкм | 7 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | СПИ, серийный | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 19 мА | е3 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | АДФ7020 | 48 | 40 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -119,2 дБм | 200 кбит/с | 19 мА~21 мА | 14,8 мА~28,5 мА | 13 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1081-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,4 В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 70 мА~85 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 20 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,4 В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 70 мА~85 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 20 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В131Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | Неизвестный | 32 | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | -121 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 32 КБ | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 19,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б132Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32 КБ | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДФ7021BCPZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 80–650 МГц 862–950 МГц | 23,3 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7021bcpzrl7-datasheets-0281.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка, CSP | 7 мм | 830 мкм | 7 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | SPI, последовательный порт, UART | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | АДФ7021 | 48 | 40 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -130 дБм | 32,8 кбит/с | 17,5 мА~26,4 мА | 13,5 мА~32,3 мА | 13 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 2ФСК, 2ГФСК, 3ФСК, 4ФСК, ФХСС, ГМСК, МСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1062-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2,4 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | НЕТ | НЕТ | 13 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC3100R11MRGC | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 1 мм | 9 мм | Красный | Без свинца | 64 | 6 недель | 227,391525мг | Нет СВХК | 64 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 880 мкм | 5А992С | Олово | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | СС3100 | НЕ УКАЗАН | -95,7 дБм | 16 Мбит/с | 53 мА | 160 мА~272 мА | 32б | 1,85 В | рассеянный | 300 мкд | 18,3 дБм | Wi-Fi | СПИ, УАРТ | ССК, ДССС, ОФДМ | 802.11b/г/н |
