Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество вариантов SPI | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество таймеров | Количество аналого-цифровых преобразователей | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CYW20732S | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20736s-datasheets-2212.pdf | Модуль 48-СМД | 13 недель | 1,4 В~3,6 В | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.0 | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX7030LATJ+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 315 МГц | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max7030latj-datasheets-2818.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 10 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,1 В~3,6 В 4,5 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/5 В | 0,0204 мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | -114 дБм | 66 кбит/с | 6,4 мА~6,7 мА | 3,5 мА~11,6 мА | 13,1 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ОК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1061-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 мм | 3,6 В | 36 | 8 недель | 92,589543мг | 36 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,4 В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 70 мА~85 мА | 1 | 11 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | НЕТ | 20 дБм | Да | 4 | 8 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F143-3-TX30 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 27 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1433tx30-datasheets-2839.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 1,8 В~3,6 В | -137 дБм | 125 кбит/с | 6,5 мА~11 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ SRAM | 7,5 мА~48 мА | 16 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 4ФСК, АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК | Sigfox, беспроводной M-Bus, Z-Wave® | 19 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM43602KMLG | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | 1 (без блокировки) | 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | 22 недели | 1,3 Гбит/с | Wi-Fi | 256-КАМ | 802.11ac | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DA14531-00000OG2 | Диалог Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/dialogsemiconductorgmbh-da1453100000og2-datasheets-2618.pdf | 17-XFBGA, WLCSP | 12 недель | 1,1 В~3,3 В | -94 дБм | 2,2 мА | 48 КБ ОЗУ 144 КБ ПЗУ | 3,5 мА | 2,5 дБм | Bluetooth | АЦП, GPIO, I2C, SPI, UART | Bluetooth v5.1 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127LQI-BL493 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PSOC® 4 CY8C4xx8 БЛЕ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 48 МГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 56 | 18 недель | 5,5 В | 1,71 В | 56 | I2C, ИК-порт, LIN, SPI, SSP, UART, USART | 5А992.Б | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 25 мА | 128 КБ | Внутренний | 36 | ВСПЫШКА | Обнаружение/сброс понижения напряжения, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | РУКА | 16 КБ | 32б | МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ПЕРИФЕРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО | Да | 4 | 16000 | I2C, SPI, УАРТ | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ3596-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | I2C, SPI, UART, USB | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р63Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9,1 мм | 900 мкм | 9,1 мм | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 1 | 41 | ВСПЫШКА | РУКА | 32КБ | 32б | 20 дБм | 4 | 2 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCC-3021-0-80PQFN-TR-00-0 | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 80-ВФКФН | 2 Мбит/с | Bluetooth | Bluetooth версия 5.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П432Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127LQI-BL483 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 56 | 18 недель | 56 | I2C, ИК-порт, LIN, SPI, SSP, UART, USART | 5А992.Б | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 25 мА | -91 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 16 КБ SRAM | 14,2 мА~20 мА | Внутренний | 36 | ВСПЫШКА | Обнаружение/сброс понижения напряжения, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБ | Да | 4 | 36 | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 16000 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ3592-РТ | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | I2C, SPI, UART, USB | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 119 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/siliconlabs-si4464b1bfmr-datasheets-8556.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4 мм | 20 | 8 недель | Неизвестный | 20 | 1 | 1 | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 18 мА | 13 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ12П432Ф1024ГЛ125-С | Кремниевые лаборатории | $11,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gm48c-datasheets-9790.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ ОЗУ | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF200CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ВФ200 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-wf200cr-datasheets-2902.pdf | 32-QFN Открытая колодка | 12 недель | совместимый | 1,8 В~3,3 В | -96,5 дБм | 72,2 Мбит/с | 16 дБм | Wi-Fi | СДИО, СПИ | 802.11b/г/н | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е18А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | Нет СВХК | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 32КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 262144 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф256Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32КБ | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MKW21D512VHA5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 63-ВФЛГА | 8 мм | 8 мм | 63 | 13 недель | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 40 | Другие ИБП/UC/периферийные микросхемы | 155 мА | Не квалифицирован | -102 дБм | 250 кбит/с | 15 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ SRAM | 19 мА | 27 | 50 МГц | ДА | ДА | ДА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 32КБ | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 85 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 20 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф256ГМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДФ7023BCPZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 431–464 МГц 862–928 МГц | 22,6 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7023bcpz-datasheets-2639.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка, CSP | 5 мм | 750 мкм | 5,1 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 5 мм | 32 | 8 недель | 32 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | 5А992.С | Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | 2,2 В~3,6 В | КВАД | 225 | 3В | АДФ7023 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2/3,3 В | -116 дБм | 300 кбит/с | 12,8 мА | 4 КБ ПЗУ 2,5 КБ ОЗУ | 8,7 мА~32,1 мА | 13,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф256ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е18А-МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1609.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 12 недель | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16 | 262144 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 6 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф64ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1П132Ф128ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2015 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ1В132Ф32ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,85 В~3,8 В | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F5135IRGZT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 7 мм | 48 | 6 недель | 139,989945мг | 48 | I2C, SPI, УАРТ | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 900 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | СС430F5135 | 48 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 2 КБ | 12 | 15 мА~36 мА | 30 | ВСПЫШКА | МСП430 | 2 КБ | 16б | 13 дБм | Да | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 1 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC13213R2 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-mc13213-datasheets-2313.pdf | 71-ВФЛГА Открытая площадка | 9 мм | 9 мм | 71 | 10 недель | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | ДА | 2В~3,4В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 250 | 2,7 В | 0,5 мм | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б71 | -92 дБм | 250 кбит/с | 37 мА | 60 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 30 мА | 3 дБм | 802.15.4 | I2C, СПИ | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 32 |
