Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО5803Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | СОТ-563, СОТ-666 | 400мВт | Другие транзисторы | 600 мА | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,6А | 2 P-канала (двойной) | 100пФ при 10В | 800 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ900ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz900dtt1ge3-datasheets-5706.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 8 | 15 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | СИЗ900 | 8 | 2 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 48 Вт 100 Вт | 90А | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 1830пФ при 15В | 7,2 мОм при 19,4 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 24А 28А | 45 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ916ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-siz916dtt1ge3-datasheets-5724.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 15 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | СИЗ916 | 2 | Двойной | 27 нс | 83нс | 10 нс | 66 нс | 40А | 2,4 В | 1,2 В | 22,7 Вт 100 Вт | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 1208пФ при 15В | 6,4 мОм при 19 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 16А 40А | 26 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6938 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 33А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1150пФ при 15В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 17А 33А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 35мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ9936 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 10 нс | 15нс | 15 нс | 25 нс | 6А | 20 В | 30В | 1,1 Вт | 35мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6936 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 40А | 30В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 984пФ при 15В | 4,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 22А 40А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8672-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8672tlh-datasheets-5510.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 1,3 Вт | Другие транзисторы | 7,1 нс | 21нс | 32 нс | 37 нс | 3,5 А | 10 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 320пФ при 10В | 85 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6660-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-mch6660tlw-datasheets-8591.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 1,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 20 В | N и P-канал | 128пФ при 10В | 136 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А 1,5А | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2411R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-emh2411rtlh-datasheets-5538.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2 мм | 750 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,4 Вт | 8 | Двойной | 1,4 Вт | Полномочия общего назначения FET | 300 нс | 840 нс | 1,65 мкс | 3,2 мкс | 5А | 12 В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 30В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 36,5 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 5,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2315-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-vec2315tlw-datasheets-6103.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 9 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1 Вт | 8 | Двойной | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,4 нс | 9,8 нс | 36 нс | 65 нс | 2,5 А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -60В | 2 P-канала (двойной) | 420пФ при 20В | 137 мОм при 1,5 А, 10 В | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH5617-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph5617tle-datasheets-5549.pdf | 5-СМД, Крыло Чайки | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | 250 мВт | 5 | Двойной | 250 мВт | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 150 мА | 10 В | 30В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 1,58 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6662-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-mch6662tlw-datasheets-1039.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 2А | 10 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 128пФ при 10В | 160 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8651R-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ech8651rtlh-datasheets-5811.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 10 недель | 8 | 1,5 Вт | ECH8651R | 1,4 Вт | 300 нс | 4 мкс | 10А | 12 В | 24В | 24В | 2 N-канала (двойной) | 14 мОм при 5 А, 4,5 В | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6663-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6663tlh-datasheets-5568.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 3,4 нс | 3,6 нс | 4 нс | 10,5 нс | 1,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 А | 0,188Ом | 30В | N и P-канал | 88пФ при 10 В | 188 мОм при 900 мА, 10 В | 1,8 А 1,5 А | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6994S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 30В | 8,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 187 мг | 21МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8нс | 17 нс | 50 нс | 8,2А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,9А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 800пФ при 15В | 21 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,9 А 8,2 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8675-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8675tlh-datasheets-5585.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,5 Вт | 8 | 1,3 Вт | Другие транзисторы | 8,4 нс | 45нс | 63 нс | 69 нс | 4,5 А | 10 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 670пФ при 10 В | 46 мОм при 3 А, 4,5 В | 7,3 нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО5800Е | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao5800e-datasheets-2525.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 400мВт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 30В | 1,6 Ом при 400 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4618 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4618-datasheets-2526.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 13 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | N и P-канал | 415пФ при 20 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А 7А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDQ7238AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdq7238as-datasheets-5474.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 259,2 мг | 14 | да | 1,1 Вт | Двойной | 2,4 Вт | 2 | 5нс | 5 нс | 27 нс | 14А | 20 В | 1,3 Вт 1,1 Вт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 920пФ при 15 В | 13,2 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А 11А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ1Н05ЕР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf1n05er2-datasheets-0323.pdf | 50В | 1А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 300МОм | 8 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММДФ1N05E | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 30 нс | 25 нс | 40 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 2А | 10А | 300 мДж | 50В | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ9952Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf9952qtr-datasheets-3202.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 2,8А | 16А | 0,1 Ом | 44 мДж | N и P-канал | 190пФ при 15В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н48ФУ,РФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | неизвестный | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 300мВт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 5,4 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 15,1 пФ при 3 В | 3,2 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6318П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fdg6318p-datasheets-5449.pdf | -20В | -500мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 28мг | 780МОм | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 12нс | 12 нс | 6 нс | 500 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,5 А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 83пФ при 10 В | 780 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7342Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7342qtr-datasheets-9882.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 3,4А | 27А | 0,105 Ом | 114 мДж | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 25 В | 105 мОм при 3,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,4А | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2100UCB9-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp2100ucb97-datasheets-5471.pdf | 9-УФБГА, ВЛБГА | Без свинца | 9 | 7 недель | Нет СВХК | 9 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | АЭК-Q101 | 800мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 8,5 нс | 7нс | 28 нс | 47 нс | 3А | -6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,0175Ом | 55 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной), общий источник | 310пФ при 10 В | 100 мОм при 1 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7379Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7379qtr-datasheets-9743.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | МС-012АА | 4,8А | 46А | 0,045 Ом | N и P-канал | 520пФ при 25В | 45 мОм при 5,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,8 А 4,3 А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6N04R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntmd6n04r2g-datasheets-5484.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTMD6N04 | 8 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 15 нс | 55нс | 35 нс | 30 нс | 4,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,29 Вт | 0,034Ом | 40В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 32В | 34 мОм при 5,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7303QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7303q-datasheets-2837.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 2,9 нс | 6,2 нс | 7,8 нс | 15 нс | 5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 4,9А | 0,05 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 515пФ при 25В | 1 В | 50 мОм при 2,7 А, 10 В | 3 В при 100 мкА | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL308PEL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl308pel6327htsa1-datasheets-2737.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСЛ308П | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 5,6 нс | 7,7 нс | 2,8 нс | 15,3 нс | 2А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1А | 0,08 Ом | 7,8 пФ | 2 P-канала (двойной) | 500пФ при 15В | 80 мОм при 2 А, 10 В | 1 В @ 11 мкА | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5810 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 1,6 Вт | 7,7А | 20 В | 1,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1360пФ при 10В | 18 мОм @ 7,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 13,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
