Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ш8М41ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m41tb1-datasheets-1301.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M41 | 2 Вт | 2,6А | 80В | N и P-канал | 600пФ при 10В | 130 мОм при 3,4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,4 А 2,6 А | 9,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ500AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj500aept1ge3-datasheets-1233.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 48 Вт | N и P-канал | 1850пФ при 20В | 27 мОм при 6 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 30А Ц | 38,1 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HP8S36TB | РОМ Полупроводник | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 6 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 29 Вт | 12А | 48А | 0,0133Ом | 5,3 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 6100пФ при 15В | 2,4 мОм при 32 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 27А 80А | 47 НК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5902bdct1e3-datasheets-1153.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 14 недель | 84,99187мг | 65мОм | 8 | Нет | 3,12 Вт | СИ5902 | 2 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 220пФ | 4 нс | 12нс | 12 нс | 10 нс | 4А | 20 В | 30В | 3,12 Вт | 65мОм | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 15В | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А Тк | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 65 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М24ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m24gzetb-datasheets-0736.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 45В | 1,4 Вт Та | N и P-канал | 550пФ 1700пФ при 10В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В, 63 м Ом при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А Та | 9,6 нк, 18,2 нк при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5517DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si5517dut1ge3-datasheets-1188.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 6 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 8,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5517 | 8 | 40 | 2,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 8 нс | 35 нс | 55 нс | 40 нс | 7,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,039 Ом | 20 В | N и P-канал | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А | 16 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К13-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk7k1360ex-datasheets-1145.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 40А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 213А | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной) | 2163пФ при 25 В | 10 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 30,1 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7620S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fdms7620s-datasheets-1122.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 750 мкм | 6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 211мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 2,5 Вт | 2,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 6,6 нс | 1,8 нс | 1,5 нс | 17,4 нс | 12,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 1 Вт | 0,0101А | 31 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 608пФ при 15 В | 20 мОм при 10,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,1 А 12,4 А | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К10СГЗЕТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8k10sgzetb-datasheets-1252.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 30В | 1,4 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 660пФ 830Ф при 10В | 24 мОм при 7 А, 10 В, 19,6 м Ом при 8,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А Та 8,5А Та | 16,8 нк, 17,8 нк при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP4050SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp4050ssdq13-datasheets-1272.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | 1,25 Вт | 8-СО | 674пФ | 4А | 40В | 1,25 Вт | 2 P-канала (двойной) | 674пФ при 20 В | 50 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А | 13,9 нк при 10 В | Стандартный | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4948beyt1ge3-datasheets-1222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 120МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4948 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2,4 Вт | 2 | 10 нс | 15нс | 35 нс | 50 нс | -2,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 120 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,4А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ951EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sqj951ept1ge3-datasheets-1217.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | 8 | 56 Вт | 56 Вт | 2 | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,68 нФ | 30А | 20 В | 30В | 56 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1680пФ при 10В | 17 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30А | 50 НК при 10 В | Стандартный | 17 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К15-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/nexperiausainc-buk7k1580ex-datasheets-1336.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | 80В | 68 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2457пФ при 25 В | 15 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 23А Та | 35,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ926ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-siz926dtt1ge3-datasheets-1074.pdf | 8-PowerWDFN | 800 мкм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 150°С | 20,2 Вт 40 Вт | 25В | 2 N-канала (двойной) | 925 пФ при 10 В 2150 пФ при 10 В | 4,8 мОм при 5 А, 10 В, 2,2 м Ом при 8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Ц 60А Ц | 19 нк при 10 В, 41 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К6Р2-40Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k6r240e115-datasheets-1170.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 68 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 6 нс | 7,1 нс | 19,8 нс | 44,4 нс | 40А | 10 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 166 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3281пФ при 25 В | 6 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 35,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ992EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sqj992ept1ge3-datasheets-1026.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | Неизвестный | 47мОм | 8 | EAR99 | 34 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 34 Вт | 2 | Р-ПССО-Г4 | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 60А | 2 N-канала (двойной) | 446пФ при 30 В | 56,2 мОм при 3,7 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К13-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k1360ex-datasheets-1178.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 40А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 190А | 0,0125Ом | 2 N-канала (двойной) | 2953пФ при 25 В | 12,5 мОм при 10 А, 5 В | 2,1 В при 1 мА | 22,4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-sq4282eyt1ge3-datasheets-1207.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | 8-СОИК | 10 нс | 11нс | 8 нс | 34 нс | 8А | 20 В | 30В | 3,9 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2367пФ при 15 В | 12,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8А Тк | 47 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC6320K6-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-tc6320k6g-datasheets-1076.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 4,89 мм | 1,37 мм | 3,91 мм | 8 | 16 недель | 37,393021мг | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | 260 | TC6320 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 15нс | 15 нс | 20 нс | 5,2А | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7Ом | 200В | N и P-канал | 110пФ при 25В | 7 Ом при 1 А, 10 В | 2 В при 1 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCAB21490L1 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-fcab21490l1-datasheets-1000.pdf | 10-СМД, без свинца | 16 недель | 10-СМД | 3,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 3570пФ при 10 В | 1,4 В @ 1,11 мА | 25 НК при 4 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8M51TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/rohmsemiconductor-qs8m51tr-datasheets-1008.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 20 недель | 8 | EAR99 | Нет | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | *M51 | 8 | 2 | 10 нс | 1,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 6А | 0,355 Ом | N и P-канал | 290пФ при 25В | 325 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2А 1,5А | 4,7 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS8DNF3LL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts8dnf3ll-datasheets-0996.pdf | 30В | 8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12,7 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 | 4.535924г | 20мОм | 8 | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС8ДН | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 32нс | 11 нс | 21 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 800пФ при 25В | 20 мОм при 4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3660С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdms3660s-datasheets-1033.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,9 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 171 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,5 Вт | ПЛОСКИЙ | ФДМС3660С | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 7,7 нс | 19 нс | 30А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1 Вт | 13А | 70 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1765пФ при 15В | 1,5 В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 30А 60А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ560EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj560ept1ge3-datasheets-1042.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 60В | 34 Вт Тс | N и P-канал | 1650пФ при 25В | 12 МОм при 10 А, 10 В, 52,6 МОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30А Тк 18А Тк | 30 нк при 10 В, 45 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4901НФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4901nft1g-datasheets-1002.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 8 | 9 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 2 | 17,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт 1,2 Вт | 13,5А | 60А | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 1150пФ при 15В | 6,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 10,3 А 17,9 А | 9,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6021SPDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6021spdq13-datasheets-0867.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 17 недель | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 32А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,025 Ом | 64 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1143пФ при 25 В | 25 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,2А 32А | 20,1 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ260EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj260ept1ge3-datasheets-0863.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной асимметричный | 60В | 27 Вт Тк 48 Вт Тк | 15,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 25В 2500пФ при 25В | 19 мОм при 6 А, 10 В, 8,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Тк 54А Тк | 20 нк при 10 В, 40 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К3ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k3tb1-datasheets-0871.pdf | СОП | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 600пФ | 7А | 30В | 25мОм | 30В | 24 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS5DNF60L | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ II | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sts5dnf60l-datasheets-0875.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТС5Д | 8 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 28нс | 10 нс | 45 нс | 5А | 15 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,055 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1030пФ при 25В | 45 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K24FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/rohm-sp8k24fratb-datasheets-8655.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 45В | 45В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 6А | 24А | 0,037Ом | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | 25 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А Та | 21,6 НК при 5 В | Стандартный |
