Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQ2309ES-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq2309est1ge3-datasheets-6748.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | ТО-236 (СОТ-23) | 60В | 2 Вт Тс | 125 мОм | P-канал | 265пФ при 25В | 336 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,7 А Тс | 8,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4154dyt1ge3-datasheets-7842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 3,3 МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 3,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25 нс | 70нс | 35 нс | 35 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,5 В | 3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc | 24А | N-канал | 4230пФ при 20 В | 3,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 105 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SIJA72ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sija72adpt1ge3-datasheets-8451.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 40В | 4,8 Вт Ta 56,8 Вт Tc | N-канал | 2530пФ при 20В | 3,42 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 27,9А Та 96А Тс | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD40020E_GE3 | Вишай Силиконикс | 1,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd40020ege3-datasheets-8821.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 недель | ТО-252АА | 40В | 107 Вт Тс | N-канал | 8000пФ при 25В | 2,33 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 100А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4668DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4668dyt1e3-datasheets-9151.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 21 неделя | 8 | Нет | Одинокий | 2,5 Вт | 8-СО | 1,654 нФ | 12нс | 18 нс | 73 нс | 16,2А | 16 В | 25 В | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 10,5 мОм | 25 В | N-канал | 1654пФ при 15В | 10,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16,2 А Тс | 42 нК при 10 В | 10,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD40N06-14L_T4GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd40n0614lge3-datasheets-8291.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | ТО-252АА | 60В | 75 Вт Тс | N-канал | 2105пФ при 25В | 14 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 40А Тс | 51 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQD50P08-28-T4_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqd50p0828ge3-datasheets-4795.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | ТО-252АА | 80В | 136 Вт Тс | P-канал | 6035пФ при 25 В | 28 мОм при 12,5 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 145 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP18N50C-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sihp18n50ce3-datasheets-1241.pdf&product=vishaysiliconix-sihp18n50ce3-6849922 | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 270мОм | 3 | да | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | 223 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 80 нс | 27нс | 44 нс | 32 нс | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 5В | 223 Вт Тс | ТО-220АБ | 72А | N-канал | 2942пФ при 25В | 5 В | 270 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 76 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHJ8N60E-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihj8n60et1ge3-datasheets-1990.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 600В | 2В | 89 Вт Тс | N-канал | 754 пФ при 100 В | 520 мОм при 4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8А Тк | 44 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9210PBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfu9210pbf-datasheets-5149.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 3Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Д-Пак | 170пФ | 8 нс | 12нс | 13 нс | 11 нс | 1,9 А | 20 В | 200В | -4В | 2,5 Вт Та 25 Вт Тс | 220 нс | 3Ом | -200В | P-канал | 170пФ при 25В | 3 Ом при 1,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,9 А Тс | 8,9 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHA24N65EF-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siha24n65efe3-datasheets-3049.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 21 неделя | НЕТ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 39 Вт Тс | ТО-220АБ | 24А | 65А | 0,156 Ом | 691 мДж | N-канал | 2774пФ при 100 В | 156 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 24А Тк | 122 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ464EP-T2_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqj464ept1ge3-datasheets-3981.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 12 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 60В | 45 Вт Тс | N-канал | 2086пФ при 30 В | 17 мОм при 7,1 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 44 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7726DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7726dnt1ge3-datasheets-4456.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 5 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 3,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C5 | 23 нс | 10 нс | 14 нс | 27 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 60А | 0,0095Ом | 20 мДж | N-канал | 1765пФ при 15В | 2,6 В | 9,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 35А Тс | 43 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SIHFL9110TR-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfl9110trpbf-datasheets-9205.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 8 недель | СОТ-223 | 100 В | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | P-канал | 200пФ при 25В | 1,2 Ом при 660 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,1 А Тс | 8,7 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1079xt1ge3-datasheets-6201.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 14 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 330мВт Та | 0,1 Ом | P-канал | 750пФ при 15В | 100 мОм при 1,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,44А Та | 26 нК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ422ЕДК-Т4-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib422edkt1ge3-datasheets-2177.pdf | PowerPAK® SC-75-6 | 14 недель | PowerPAK® SC-75-6 | 20 В | 2,5 Вт Та 13 Вт Тс | N-канал | 30 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,1А Та 9А Тс | 18 нК @ 10 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9520STRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-irf9520spbf-datasheets-1890.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 11 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 390пФ | 9,6 нс | 29нс | 25 нс | 21 нс | -6,8А | 20 В | 100 В | 3,7 Вт Та 60 Вт Тс | 600мОм | P-канал | 390пФ при 25В | 600 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,8 А Тс | 18 нК @ 10 В | 600 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF730STRRPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-irf730spbf-datasheets-3742.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 12 недель | 1,437803г | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 15нс | 14 нс | 38 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 74 Вт Tc | 22А | 1 Ом | 290 мДж | 400В | N-канал | 700пФ при 25В | 1 Ом при 3,3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,5 А Тс | 38 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФИЗ44ГПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfiz44gpbf-datasheets-9525.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 48 Вт | 1 | ТО-220-3 | 2,5 нФ | 19 нс | 120 нс | 86 нс | 55 нс | 30А | 20 В | 60В | 4В | 48 Вт Тс | 28мОм | N-канал | 2500пФ при 25В | 4 В | 28 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Тс | 95 нК при 10 В | 28 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ614ПБФ | Вишай Силиконикс | 1,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-irf614pbf-datasheets-0341.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 36 Вт | 1 | ТО-220АБ | 140пФ | 7 нс | 7,6 нс | 7 нс | 16 нс | 2,7А | 20 В | 250 В | 4В | 36 Вт Тк | 2Ом | N-канал | 140пФ при 25В | 4 В | 2 Ом при 1,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,7 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 2 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHF9540S-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9540spbf-datasheets-4128.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 8 недель | Д2ПАК (ТО-263) | 100 В | 150 Вт Тс | P-канал | 1400пФ при 25В | 200 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 19А Тк | 61 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDR390DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sidr390dpt1ge3-datasheets-4760.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | PowerPAK® SO-8DC | 30 В | 6,25 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 10180пФ при 15В | 0,8 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 69,9 А Та 100 А Тс | 153 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ540СТРЛПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-irl540spbf-datasheets-3549.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 77мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 2,2 нФ | 8,5 нс | 170 нс | 80 нс | 35 нс | 28А | 10 В | 100 В | 3,7 Вт Та 150 Вт Тс | 77мОм | 100 В | N-канал | 2200пФ при 25В | 77 мОм при 17 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 64 нК при 5 В | 77 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHB22N60AEL-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЛЬ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihb22n60aelge3-datasheets-3379.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК (ТО-263) | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 1757пФ при 100 В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 21А Тц | 82 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFPF50 | Вишай Силиконикс | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfpf50pbf-datasheets-6872.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 6 недель | 38.000013г | 3 | 1 | Одинокий | ТО-247-3 | 2,9 нФ | 20 нс | 34 нс | 37 нс | 130 нс | 6,7А | 20 В | 900В | 190 Вт Тс | 1,6 Ом | N-канал | 2900пФ при 25В | 1,6 Ом при 4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,7 А Тс | 200 нК при 10 В | 1,6 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ610 | Вишай Силиконикс | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf610pbf-datasheets-8599.pdf | 200В | 3,3А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 6.000006г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3 Вт | 1 | ТО-220АБ | 140пФ | 8,2 нс | 17нс | 8,9 нс | 14 нс | 3,3А | 20 В | 200В | 36 Вт Тк | 1,5 Ом | 200В | N-канал | 140пФ при 25В | 4 В | 1,5 Ом при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,3 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФД9220 | Вишай Силиконикс | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfd9220-datasheets-7306.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 мм | 3,37 мм | 6,29 мм | 4 | Нет | 1 | 4-DIP, шестигранный, HVMDIP | 340пФ | 8,8 нс | 27нс | 27 нс | 7,3 нс | 560 мА | 20 В | 200В | 1 Вт Та | 1,5 Ом | -200В | P-канал | 340пФ при 25В | 1,5 Ом при 340 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 560 мА Та | 15 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛД120 | Вишай Силиконикс | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irld120pbf-datasheets-0552.pdf | 100 В | 1,3А | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 5 мм | 3,37 мм | 6,29 мм | Содержит свинец | 270мОм | 4 | Нет | 1 | 1,3 Вт | 1 | 4-DIP, шестигранный, HVMDIP | 490пФ | 9,8 нс | 64нс | 64 нс | 21 нс | 1,3А | 10 В | 100 В | 1,3 Вт Та | 270мОм | 100 В | N-канал | 490пФ при 25В | 270 мОм при 780 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 1,3А Та | 12 нК при 5 В | 270 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFPF30 | Вишай Силиконикс | $21,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfpf30pbf-datasheets-6551.pdf | 900В | 3,6А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Содержит свинец | 38.000013г | 3 | 1 | Одинокий | 125 Вт | ТО-247-3 | 1,2 нФ | 14 нс | 25нс | 30 нс | 90 нс | 3,6А | 20 В | 900В | 125 Вт Тс | 3,7 Ом | 900В | N-канал | 1200пФ при 25В | 3,7 Ом @ 2,2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,6 А Тс | 78 нК при 10 В | 3,7 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ644С | Вишай Силиконикс | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 250 В | 14А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | 125 Вт | Д2ПАК | 1,3 нФ | 11 нс | 24 нс | 49 нс | 53 нс | 14А | 20 В | 250 В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 280мОм | 250 В | N-канал | 1300пФ при 25В | 280 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14А Тс | 68 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±20 В |
