Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Уровень скрининга | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Количество битов | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДГ417БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg418bdqt1e3-datasheets-1717.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 20 В | 1 мкА | 8 | 12 недель | 930,006106мг | 36В | 13В | 35Ом | 8 | да | Нет | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | 15 В | 2,54 мм | ДГ417 | 8 | 1 | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | СПСТ | 89 нс | 80 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 25Ом | 82 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 250пА | 12пФ 12пФ | 89нс, 80нс | 38ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA485DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sia485djt1ge3-datasheets-3092.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 3 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 15,6 Вт Тс | 1,6А | 2А | 2,7 Ом | 0,1 мДж | P-канал | 155пФ при 75В | 2,6 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,6 А Тс | 6,3 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG3257DN-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-dg3257dnt1ge4-datasheets-5873.pdf | 6-XFDFN | 19 недель | неизвестный | 1 | 714 МГц | 6Ом | 2:1 | 1,65 В~5,5 В | SPDT | 3пФ 9пФ | 50 нс, 45 нс | 4 шт. | 600 м Ом | -32 дБ при 240 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8499DB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si8499dbt2e1-datasheets-4241.pdf | 6-УФБГА | Без свинца | 6 | 21 неделя | Нет СВХК | 32МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 2,77 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 30 нс | 55 нс | 7,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -500мВ | 2,77 Вт Ta 13 Вт Tc | 20А | -20В | P-канал | 1300пФ при 10 В | 32 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 16А Тс | 30 нК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG412HSDY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg411hsdnt1e4-datasheets-3972.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | 44В | 13В | 80Ом | 16 | да | Нет | 4 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ412 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | СПСТ | 105 нс | 105 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 35Ом | 91 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 90 нс | НЕТ | 12 В ± 5 В ~ 20 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 12пФ 12пФ | 105 нс, 80 нс | 22 шт. | -88 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ900ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz900dtt1ge3-datasheets-5706.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 8 | 15 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | СИЗ900 | 8 | 2 | 2 | Мощность FET общего назначения | 10 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 48 Вт 100 Вт | 90А | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 1830пФ при 15В | 7,2 мОм при 19,4 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 24А 28А | 45 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG333ALDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg333adwe3-datasheets-5131.pdf | ЦСОП | 20 | 15 недель | Нет СВХК | 40В | 5В | 45Ом | 20 | Нет | 4 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 0,635 мм | 4 | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | 20-ЦСОП | 22В | 4В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | 72 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 5В~40В ±4В~22В | 2:1 | SPDT | 250пА | 8пФ | 175 нс, 145 нс | 10 шт. | 2 Ом (макс.) | -80 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | ПДИП | 14 | 18 недель | 14 | EAR99 | 8541.29.00.75 | НЕТ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 4 | Не квалифицирован | 14-ДИП | 830 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 0,83 А | 3А | 1 Ом | 35 пФ | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 30 нс | 30 нс | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ429ДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 20 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg428dje3-datasheets-5967.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,69 мм | 9,04 мм | 100 мкА | 8 недель | 722,005655мг | 36В | 13В | 150Ом | 20 | Нет | 800мВт | ДГ429 | 2 | 800мВт | 2 | 20-ПЛСС (9х9) | 300 нс | 300 нс | 22В | Мультиплексор | 250 нс | Двойной, Одинарный | 7В | 2 | 8 | 100Ом | 12 В ± 15 В | 4:1 | СП4Т | 500пА | 11пФ 20пФ | 150 нс, 150 нс | 1 шт. | 5Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5997DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si5997dut1ge3-datasheets-6859.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 6 | 84,99187мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | неизвестный | 10,4 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С6 | 10 нс | 5.1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,2 В | 6А | 0,054 Ом | 2 P-канала (двойной) | 430пФ при 15В | 54 мОм при 3 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 14,5 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG1412EQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg1413ent1ge4-datasheets-3369.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | Без свинца | 1 мкА | 16 | 172,98879мг | Неизвестный | 24В | 4,5 В | 1,8 Ом | 16 | Нет | 4 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | ДГ1412 | 1 | 4 | 210 МГц | 150 нс | 120 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -5В | 1,8 Ом | 80 дБ | 0,08 Ом | 380 нс | 510 нс | 4,5 В~24 В ±4,5 В~15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 550пА | 11пФ 24пФ | 150 нс, 120 нс | -20пК | 80 м Ом | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4058dyt1ge3-datasheets-7329.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 В | 5,6 Вт Тс | N-канал | 690пФ при 50В | 26 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 10,3 А Тс | 18 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ418ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 1 мкА | 8 | 6 недель | 540,001716мг | 36В | 13В | 35Ом | 8 | нет | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | 175 нс | 145 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 1 | 35Ом | 20мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НЕТ | 250пА | 8пФ 8пФ | 175 нс, 145 нс | 60ПК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRC06DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sirc06dpt1ge3-datasheets-8330.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30 В | 5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 2455пФ при 15В | 2,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 32А Та 60А Тс | 58 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ181АА | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg180aa-datasheets-7546.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 9,4 мм | 4,7 мм | 9,4 мм | 15 В | 1,5 мА | 30Ом | 10 | 450мВт | 2 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 150 нс | 130 нс | 18В | 15 В | Двойной | 10 В | 2 | 2 | 30Ом | 30Ом | 1:1 | СПСТ - НК | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3460BDV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysiliconix-si3460bdvt1e3-datasheets-9746.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 27мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 2А | 5 нс | 15нс | 5 нс | 25 нс | 8А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 2 Вт Та 3,5 Вт Тс | 8А | 20А | N-канал | 860пФ при 10 В | 1 В | 27 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8А Тк | 24 нК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ186АА/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg186ap883-datasheets-7590.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 10 | 10Ом | 10 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 10 | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1 | Не квалифицирован | 38535К/М;38534Х;883Б | 18В | 10 В | 2 | 10Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | SPDT | ±15 В | 10нА | 21пФ 17пФ | 400 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ510СПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysiliconix-irf510spbf-datasheets-1259.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | Неизвестный | 540мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Д2ПАК | 180пФ | 6,9 нс | 16 нс | 9,4 нс | 15 нс | 5,6А | 20 В | 100 В | 4В | 3,7 Вт Та 43 Вт Тс | 540мОм | 100 В | N-канал | 180пФ при 25В | 4 В | 540 мОм при 3,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,6 А Тс | 8,3 нК при 10 В | 540 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ201БАК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishay-dg201bak-datasheets-8307.pdf | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 50 мкА | 16 | 25 В | 4,5 В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 900мВт | 15 В | 16 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФБГ20ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfbg20pbf-datasheets-2027.pdf | 1кВ | 1,4 А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 19,89 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 11Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 54 Вт | 1 | 150°С | ТО-220АБ | 500пФ | 9,4 нс | 17нс | 31 нс | 58 нс | 1,4 А | 20 В | 1000В | 4В | 54 Вт Тс | 11Ом | 1кВ | N-канал | 500пФ при 25В | 4 В | 11 Ом при 840 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,4 А Тс | 38 нК при 10 В | 11 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ201БДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg201bdy-datasheets-7652.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Содержит свинец | 50 мкА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | 25 В | 4,5 В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | 100 мкА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 30 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 12/+-15 В | СПСТ | 300 нс | 200 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFIBE30GPBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-irfibe30gpbf-datasheets-3231.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 10,63 мм | 9,8 мм | 4,83 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3Ом | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 35 Вт | 1 | ТО-220-3 | 1,3 нФ | 12 нс | 33нс | 30 нс | 82 нс | 2.1А | 20 В | 800В | 4В | 35 Вт Тс | 3Ом | 800В | N-канал | 1300пФ при 25В | 3 Ом @ 1,3 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 2,1 А Тс | 78 нК при 10 В | 3 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ303БДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg303bdye3-datasheets-5523.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,75 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 1 мА | 14 | 8 недель | 338,011364мг | 36В | 13В | 50Ом | 14 | нет | неизвестный | 2 | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 14 | 1 | SPDT | 30 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 62 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | ДПСТ - НО/НЗ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP460APBF | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-irfp460apbf-datasheets-4261.pdf | 500В | 20А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 25,11 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | 38.000013г | Неизвестный | 270мОм | 3 | Нет | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 40 | 280 Вт | 1 | 150°С | 18 нс | 55нс | 39 нс | 45 нс | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 280 Вт Тс | 80А | 960 мДж | 500В | N-канал | 3100пФ при 25 В | 2 В | 270 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20А Тс | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ309БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg309bdqt1-datasheets-7732.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 1 мкА | 16 | 1,627801г | Неизвестный | 44В | 4В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 470мВт | 15 В | 16 | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 200 нс | 150 нс | 22В | Двойной, Одинарный | 4В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 100Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 300 нс | Северная Каролина | 4В~44В ±4В~22В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 200 нс, 150 нс | 1 шт. | 1,7 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISS98DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТандерФЕТ® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-siss98dnt1ge3-datasheets-4984.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200В | 57 Вт Тс | N-канал | 608пФ при 100В | 105 мОм при 7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 14,1 А Тс | 14 нК при 7,5 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ384БДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg390bdje3-datasheets-5350.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 В | 1 мА | 8 недель | 36В | 13В | 50Ом | 16 | нет | неизвестный | 230 мкА | 470мВт | 16 | 2 | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | 50Ом | 50Ом | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 5нА | 14пФ 14пФ | 150 нс, 130 нс (тип.) | 10 шт. | -74 дБ при 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7315DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7315dnt1ge3-datasheets-6383.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Олово | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,8 Вт | 1 | С-ПДСО-С5 | 8 нс | 9нс | 8 нс | 23 нс | -8,9А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | -150 В | P-канал | 880пФ при 75В | 315 мОм при 2,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8,9 А Тс | 30 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ387ААА/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-dg384aak883-datasheets-7766.pdf | ТО-100-10 Металлическая банка | 36В | 13В | 50Ом | 10 | Нет | 1 | 450мВт | 2 | ТО-100-10 | 22В | 7В | 2 | 2 | 50Ом | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 10 шт. | -74 дБ при 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ610ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/vishaysiliconix-irf610pbf-datasheets-8599.pdf | 200В | 3,3А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 1,5 Ом | 3 | Нет | 200В | 1 | Одинокий | 36 Вт | 1 | ТО-220АБ | 140пФ | 8,2 нс | 17нс | 8,9 нс | 14 нс | 3,3А | 20 В | 200В | 4В | 36 Вт Тк | 310 нс | 1,5 Ом | 200В | N-канал | 140пФ при 25В | 4 В | 1,5 Ом при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,3 А Тс | 8,2 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В |
