Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7309DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si7309dnt1ge3-datasheets-4775.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 3,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 10 нс | 15нс | 33 нс | 30 нс | -8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 3,2 Вт Ta 19,8 Вт Tc | 8А | 20А | -60В | P-канал | 600пФ при 30В | 115 мОм при 3,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А Тк | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA06DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sira06dpt1ge3-datasheets-5133.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 6,25 мм | 1,12 мм | 5,26 мм | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 2,5 мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 24 нс | 20 нс | 30 нс | 40А | 20 В | 1,1 В | 5 Вт Та 62,5 Вт Тс | 30 В | N-канал | 3595пФ при 15 В | 2,5 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР166ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-sir166dpt1ge3-datasheets-6062.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 4МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 28 нс | 21нс | 16 нс | 44 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 5 Вт Та 48 Вт Тс | 70А | 30 В | N-канал | 3340пФ при 15 В | 1,2 В | 3,2 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 40А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SIHG018N60E-GE3 | Вишай Силиконикс | $14,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihg018n60ege3-datasheets-7162.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | ТО-247АС | 600В | 524 Вт Тс | N-канал | 7612пФ при 100 В | 23 мОм при 25 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 99А Тк | 228 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6423DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si6423dqt1e3-datasheets-8718.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | Неизвестный | 8,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,05 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 нс | 75нс | 75 нс | 270 нс | -9,5А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 1,05 Вт Та | -12В | P-канал | -400 мВ | 8,5 мОм при 9,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 400 мкА | 8.2А Та | 110 нК при 5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ620СТРЛПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-irl620spbf-datasheets-5093.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 8 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Д2ПАК | 360пФ | 4,2 нс | 31 нс | 17 нс | 18 нс | 5.2А | 10 В | 200В | 3,1 Вт Та 50 Вт Тс | 800мОм | 200В | N-канал | 360пФ при 25В | 800 мОм при 3,1 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,2 А Тс | 16 нК при 5 В | 800 мОм | 4В 10В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR164ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir164adpt1ge3-datasheets-0929.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30 В | 5 Вт Та 62,5 Вт Тс | N-канал | 3595пФ при 15 В | 2,2 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 35,9 А Та 40 А Тс | 77 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHP5N50D-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sihp5n50dge3-datasheets-1990.pdf | ТО-220-3 | 10,51 мм | 9,01 мм | 4,65 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 104 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 11нс | 11 нс | 14 нс | 5.3А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 3В | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | N-канал | 325пФ при 100В | 1,5 Ом при 2,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 5,3 А Тс | 20 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4116dyt1e3-datasheets-4103.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 8,6 мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 13 нс | 11нс | 15 нс | 50 нс | 18А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600мВ | 2,5 Вт Та 5 Вт Тс | 25 В | N-канал | 1925пФ при 15В | 1,4 В | 8,6 мОм при 10 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 18А Тк | 56 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SISS94DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siss94dnt1ge3-datasheets-8335.pdf | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | 200В | 5,1 Вт Ta 65,8 Вт Tc | N-канал | 350пФ при 100В | 75 мОм при 5,4 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5,4 А Та 19,5 А Тс | 21 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHD6N80AE-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Э | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sihd6n80aege3-datasheets-8701.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Д-ПАК (ТО-252АА) | 800В | 62,5 Вт Тс | N-канал | 422пФ при 100 В | 950 мОм при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5А Тс | 22,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISS72DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siss72dnt1ge3-datasheets-9075.pdf | PowerPAK® 1212-8S | 14 недель | PowerPAK® 1212-8S (3,3x3,3) | 150 В | 5,1 Вт Ta 65,8 Вт Tc | N-канал | 550пФ при 75В | 42 мОм при 7 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7А Та 25,5А Тс | 22 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ520ЛПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-irl520lpbf-datasheets-9748.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,54 мм | 8,76 мм | 4,7 мм | 3 | 12 недель | 6.000006г | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Нет | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Мощность FET общего назначения | 9,8 нс | 64нс | 27 нс | 21 нс | 9.2А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60 Вт Тс | 0,27 Ом | 100 В | N-канал | 490пФ при 25В | 270 мОм при 5,5 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 9,2 А Тс | 12 нК при 5 В | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR010TRPBF | Вишай Силиконикс | 1,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfr010pbf-datasheets-4965.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 14 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д-Пак | 250пФ | 10 нс | 50 нс | 19 нс | 13 нс | 8.2А | 20 В | 50В | 25 Вт Тс | 200мОм | 60В | N-канал | 250пФ при 25В | 200 мОм при 4,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8,2 А Тс | 10 нК @ 10 В | 200 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7634BDP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7634bdpt1ge3-datasheets-3414.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 506,605978мг | 5,4 мОм | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 30 нс | 12нс | 12 нс | 34 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 5 Вт Та 48 Вт Тс | 22,5А | 70А | 45 мДж | 30 В | N-канал | 3150пФ при 15В | 5,4 мОм при 15 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 40А Тс | 68 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA22DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sira22dpt1re3-datasheets-1727.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 1,17 мм | 14 недель | EAR99 | S17-0173-Одиночный | неизвестный | 1 | 5 Вт | 150°С | 18 нс | 35 нс | 60А | 83,3 Вт Тс | 25 В | N-канал | 7570пФ при 10 В | 0,76 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Тс | 155 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +16В, -12В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUP70040E-GE3 | Вишай Силиконикс | $3,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup70040ege3-datasheets-2588.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4В | 375 Вт Тс | ТО-220АБ | 480А | 0,004 Ом | 266 мДж | N-канал | 5100пФ при 50В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 120А Тс | 120 нК при 10 В | 7,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8819EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si8819edbt2e1-datasheets-3014.pdf | 4-XFBGA | 30 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 В | 900мВт Та | P-канал | 650пФ при 6В | 80 мОм при 1,5 А, 3,7 В | 900 мВ при 250 мкА | 2,9А Та | 17 нК при 8 В | 1,5 В 3,7 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHFR320-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfu320pbf-datasheets-8190.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 8 недель | Д-ПАК (ТО-252АА) | 400В | 2,5 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 350пФ при 25В | 1,8 Ом @ 1,9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,1 А Тс | 20 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA66DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sisa66dnt1ge3-datasheets-4203.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 14 недель | PowerPAK® 1212-8 | 30 В | 52 Вт Тс | N-канал | 3014пФ при 15В | 2,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 1 мА | 40А Тс | 66 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1404BDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1404bdht1ge3-datasheets-5004.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 недель | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 1,9 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,32 Вт Ta 2,28 Вт Tc | 0,238Ом | N-канал | 100пФ при 15В | 238 мОм при 1,9 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 1,9 А Та 2,37 А Тс | 2,7 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4176dyt1e3-datasheets-5845.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 8-СО | 490пФ | 12А | 30 В | 2,4 Вт Та 5 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 15В | 20 мОм при 8,3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12А Тс | 15 нК при 10 В | 20 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQA401EJ-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqa401ejt1ge3-datasheets-7141.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 850 мкм | 12 недель | C-07431-ОДИНОЧНЫЙ | 1 | 13,6 Вт | 175°С | PowerPAK® SC-70-6 Одиночный | 20 нс | 19 нс | -3,75А | 12 В | 20 В | 13,6 Вт Тс | 85мОм | -20В | P-канал | 330пФ при 10В | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,75 А Тс | 5,5 нК @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9Z20 | Вишай Силиконикс | $4,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9z20-datasheets-8159.pdf | -50В | -9,7А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Содержит свинец | 13 недель | 6.000006г | 3 | 1 | Одинокий | ТО-220АБ | 480пФ | 8,2 нс | 57нс | 25 нс | 12 нс | 9,7А | 20 В | 50В | 40 Вт Тс | 280мОм | P-канал | 480пФ при 25В | 280 мОм при 5,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9,7 А Тс | 26 нК при 10 В | 280 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9620СПБФ | Вишай Силиконикс | 1,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf9620spbf-datasheets-8880.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 8 недель | 1,437803г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 350пФ | 15 нс | 25нс | 15 нс | 20 нс | 3,5 А | 20 В | 200В | 3 Вт Та 40 Вт Тс | 1,5 Ом | -200В | P-канал | 350пФ при 25В | 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3,5 А Тс | 22 нК при 10 В | 1,5 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФЗ34СТРЛПБФ | Вишай Силиконикс | $9,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz34strlpbf-datasheets-9466.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 11 недель | 3 | Нет | Д2ПАК | 1,2 нФ | 13 нс | 100 нс | 52 нс | 29 нс | 30А | 20 В | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | 50МОм | N-канал | 1200пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Тс | 46 нК при 10 В | 50 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7423DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7423dnt1e3-datasheets-7837.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 14 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | Одинокий | Другие транзисторы | 11 нс | 10 нс | 50 нс | 74 нс | 11,7А | 20 В | 30 В | -1В | 1,5 Вт Та | 7,4А | P-канал | -1 В | 18 мОм при 11,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7.4А Та | 56 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIHFL110TR-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfl110trpbf-datasheets-6072.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 8 недель | СОТ-223 | 6,9 нс | 16 нс | 9,4 нс | 15 нс | 1,5 А | 20 В | 100 В | 2 Вт Та 3,1 Вт Тс | N-канал | 180пФ при 25В | 540 мОм при 900 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,5 А Тс | 8,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIRA00DP-T1-RE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | 14 недель | ПауэрПАК® СО-8 | 30 В | 104 Вт Тс | N-канал | 11700пФ при 15В | 1 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 100А Тс | 220 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM120N02-1M3L_GE3 | Вишай Силиконикс | 2,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqm120n021m3lge3-datasheets-2272.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | ТО-263 (Д2Пак) | 20 В | 375 Вт Тс | N-канал | 14500пФ при 10В | 1,3 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 120А Тс | 290 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
