Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Точность | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Минимальное входное напряжение | Дифференциальный выход | Выходное напряжение | Падение напряжения | Тип выхода | Напряжение – нагрузка | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Напряжение пробоя | Пороговое напряжение | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Мощность - Макс. | Выходное напряжение 1 | Рассеиваемая мощность-Макс. | Количество сигнальных линий | Встроенная защита | Ток — пиковый выход | Выходной ток на канал | Ток-питание (макс.) | Ток — выход/канал | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Ток – состояние покоя (Iq) | Падение напряжения1-ном. | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Функции управления | Вход | Ток - Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Допуск по напряжению-Макс. | Входное напряжение Абсолютное-Макс. | Напряжение пробоя стока к источнику | Минимальный предел тока | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Выключить Time-Max (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Тип нагрузки | Тип двигателя - Шаговый | Тип двигателя - переменный, постоянный ток | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПССР | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИРФЗ34СТРЛ | Вишай Силиконикс | $8,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfz34strlpbf-datasheets-9466.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | Д2ПАК | 1,2 нФ | 30А | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Тс | 46 нК при 10 В | 50 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2592DN-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2592dnt1ge4-datasheets-0045.pdf | 10-UFQFN | 10 недель | 10 | неизвестный | Потребительское аудио | 1,6 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ АУДИО/ВИДЕО | НЕ УКАЗАН | Переключатель обнаружения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ2203СТРЛ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl2203strr-datasheets-4876.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | нет | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,8 Вт Та 130 Вт Тс | 92А | 0,01 Ом | N-канал | 3500пФ при 25В | 7 м Ом при 60 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 100А Тс | 110 нК при 4,5 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4339-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | Одинокий | Другие транзисторы | -50В | СОЕДИНЕНИЕ | -57В | N-канал | 7пФ при 15В | 600 мВ при 100 нА | 50В | 500 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛ640СТРЛ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irl640strlpbf-datasheets-2956.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Д2ПАК | 1,8 нФ | 8 нс | 83нс | 52 нс | 44 нс | 17А | 10 В | 200В | 3,1 Вт Ta 125 Вт Tc | 180мОм | 200В | N-канал | 1800пФ при 25В | 180 мОм при 10 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Тк | 66 нК при 5 В | 180 мОм | 4В 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ТО-206АА (ТО-18) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛЗ34СТРЛ | Вишай Силиконикс | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irlz34spbf-datasheets-5430.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 1,6 нФ | 30А | 60В | 3,7 Вт Та 88 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 50 мОм при 18 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 30А Тс | 35 нК при 5 В | 50 мОм | 4В 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4393-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | -40В | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 мА при 20 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF644NS | Вишай Силиконикс | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irf644nspbf-datasheets-8681.pdf | 250В | 14А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Содержит свинец | 1,437803г | 3 | 1 | Одинокий | Д2ПАК | 1,06 нФ | 10 нс | 21нс | 17 нс | 30 нс | 14А | 20 В | 250В | 150 Вт Тс | 240мОм | N-канал | 1060пФ при 25В | 240 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Тс | 54 нК при 10 В | 240 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5545JTX01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-71-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5858DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5858dut1e3-datasheets-5983.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 1 | PowerPAK® ChipFet двойной | 520пФ | 20 нс | 65нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 8В | 20 В | 2,3 Вт Ta 8,3 Вт Tc | 39мОм | 20 В | N-канал | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Тк | 16 нК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 39 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6463BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6463bdqt1ge3-datasheets-2888.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4958 мм | 1,0414 мм | 3,0988 мм | Без свинца | 8 | 15мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,05 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,05 Вт | 1 | Другие транзисторы | 35 нс | 40 нс | 40 нс | 190 нс | -7,4А | 8В | 20 В | 6.2А | -20В | P-канал | 15 мОм при 7,4 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 6.2А Та | 60 нК при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST5484-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | Неизвестный | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23 | 5пФ | 1 мА | -25В | -25В | 350 мВт | 300Ом | N-канал | 5пФ при 15В | 300 мВ при 10 нА | 25 В | 1 мА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9424BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9424bdyt1e3-datasheets-6263.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 25МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 нс | 40 нс | 40 нс | 130 нс | -7,1А | 9В | КРЕМНИЙ | 1,25 Вт Та | 5,6А | 20 В | P-канал | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 5,6А Та | 40 нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4860JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA450DJ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sia450djt1e3-datasheets-6346.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 3 | 6 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 15 Вт | 1 | Не квалифицирован | S-XDSO-F3 | 22нс | 19 нс | 23 нс | 1,52 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,3 Вт Ta 15 Вт Tc | 1,5 А | 240В | N-канал | 167пФ при 120 В | 40,5 нс | 23,25 нс | 2,9 Ом при 700 мА, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 1,52 А Тс | 7,04 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP5638CS-TR-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SCSI | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | 1 (без ограничений) | 35 мА | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-sip5670cgt1e3-datasheets-2411.pdf | 48-LQFP | 7,1 мм | 1,45 мм | 7,1 мм | 5,25 В | 15 | 108Ом | 48 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,25 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | 0,5 мм | СИП56* | 48 | 40 | Автобусные Терминаторы | 3/5 В | Не квалифицирован | ДА | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ47Н10-24Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum47n1024le3-datasheets-6710.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | ТО-263 (Д2Пак) | 2,4 нФ | 40 нс | 80 нс | 15 нс | 47А | 20 В | 100 В | 3,75 Вт Ta 136 Вт Tc | 21мОм | 100 В | N-канал | 2400пФ при 25В | 24 мОм при 40 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 47А ТЦ | 60 нК при 10 В | 24 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC788ACD-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | VRPower® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-sic788acdt1ge3-datasheets-7256.pdf | Модуль 40-PowerWFQFN | 19 недель | ШИМ | EAR99 | 8542.39.00.01 | Схема начальной загрузки, эмуляция диода, флаг состояния | Синхронные понижающие преобразователи | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | НЕ УКАЗАН | 4,5 В~18 В | Половина моста | Перегрев, прострел, UVLO | 50А | Индуктивный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5410DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5410dut1ge3-datasheets-0171.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 3 | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 1 | 30 | 3,1 Вт | 1 | Р-XDSO-N3 | 25 нс | 15нс | 12 нс | 25 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | 30А | 40В | N-канал | 1350пФ при 20В | 18 мОм при 6,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC779ACD-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | ДрМОС | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sic769acdt1ge3-datasheets-3780.pdf | Модуль 40-PowerWFQFN | 21 неделя | ШИМ | Схема начальной загрузки, эмуляция диода, флаг состояния | Синхронные понижающие преобразователи | 4,5 В~5,5 В | PowerPAK® MLP66-40 | 3В~16В | Половина моста | Перегрев, прострел, UVLO | 35А | 35А | Индуктивный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ419ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib419dkt1ge3-datasheets-0341.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | 95,991485мг | Неизвестный | 6 | 1 | 2,45 Вт | 1 | PowerPAK® SC-75-6L Одиночный | 562пФ | 16 нс | 42нс | 9 нс | 28 нс | -9А | 8В | 12 В | 12 В | -1В | 2,45 Вт Ta 13,1 Вт Tc | 89мОм | -12В | P-канал | 562пФ при 6В | -1 В | 60 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 11,82 нК при 5 В | 60 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC532CD-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | VRPower® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Силовой МОП-транзистор | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sic532cdt1ge3-datasheets-4895.pdf | PowerPAK® MLP4535-22L | 16 недель | ШИМ | Схема начальной загрузки, эмуляция диода | Синхронные понижающие преобразователи | 4,5 В~5,5 В | POWERPAK® MLP4535-22L | 35А | 4,5 В~24 В | Половина моста | УВЛО | 35А | 30А | 30А | Индуктивный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR892DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sir892dpt1ge3-datasheets-0488.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 15 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 3,2 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C5 | 30 нс | 18нс | 25 нс | 40 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,6 В | 5 Вт Та 50 Вт Тс | 30А | 70А | 25 В | N-канал | 2645пФ при 10 В | 3,2 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 50А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9986CY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | Силовой МОП-транзистор | 2мА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si9986cyt1e3-datasheets-3299.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | Параллельно | 2 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Общего назначения | 3,8 В~13,2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,5 В | СИ9986 | 40 | 1,5 А | 10,7 В | 3,8 В~13,2 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | ПЕРЕХОДНЫЙ | 1А | КМОП | Биполярный | Матовый двигатель постоянного тока, звуковая катушка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7748DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7748dpt1ge3-datasheets-0280.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 5 | 13 недель | 506,605978мг | 4,8 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 4,8 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C5 | 36 нс | 16 нс | 16 нс | 44 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 4,8 Вт Та 56 Вт Тс | 23,5А | 45 мДж | 30В | N-канал | 3770пФ при 15 В | 4,8 мОм при 15 А, 10 В | 2,7 В при 1 мА | 50А Тс | 92 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI91871DMP-30-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si91871dmp30e3-datasheets-0868.pdf | PowerPAK® MLP33-5 | 3,1 мм | 1,15 мм | 3,05 мм | 6В | 6В | Позитивный | 2,3 Вт | СИ91871 | PowerPAK® MLP33-5 | 2В | 3В | 130 мВ | Зафиксированный | 1 | Позитивный | 275 мкА | 150 мкА | Давать возможность | 300 мА | 3В | 500 мА | 1 | Перегрев, обратная полярность, короткое замыкание | 0,415 В при 300 мА | 60 дБ ~ 30 дБ (1 кГц ~ 100 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3418EEV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sq3418eevt1ge3-datasheets-0124.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 48мОм | 6 | EAR99 | Нет | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 5 Вт | 1 | 8 нс | 8нс | 7 нс | 15 нс | 8А | 20 В | 2В | 7,4А | 20А | 7 мДж | 40В | N-канал | 660пФ при 25В | 32 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 11 нК при 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-26-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sip21106dr33e3-datasheets-7391.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 5 | 19,986414мг | да | EAR99 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 6В | е3 | Матовый олово (Sn) | 187мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | СИП21106-26 | 5 | 1 % | 10 | Другие регуляторы | Р-ПДСО-Г5 | 150 мА | 2,2 В | 2,6 В | 160 мВ | Зафиксированный | 1 | Позитивный | 2,6 В | 85 мкА | 0,16 В | Давать возможность | 4% | 6,5 В | 170 мА | 1 | Перегрев, короткое замыкание | 0,22 В при 150 мА | 75 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 100 кГц) |
