Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Ток утечки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Количество входов | Выход | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Максимальный ток сигнала | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Напряжение питания, двойное (В±) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4965DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4965dyt1ge3-datasheets-2286.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет | 2 Вт | Двойной | 8-СО | 35 нс | 45нс | 90 нс | 170 нс | 8А | 8В | 8В | 2 Вт | 21мОм | 2 P-канала (двойной) | 21 мОм при 8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 55 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG428DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 20 мкА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-dg428dje3-datasheets-5967.pdf | 18-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 37,4 мм | Без свинца | 100 мкА | 18 | 12 недель | 1.270087г | Неизвестный | 36В | 13В | 150Ом | 18 | да | 1 | 100 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 900мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | 2,54 мм | ДГ428 | 18 | 8 | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 1 | Не квалифицирован | 300 нс | 1 мкА | 300 нс | 22В | Мультиплексор | 250 нс | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 100Ом | 75 дБ | 5Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 225 нс | 12 В ± 15 В | 0,03 А | 8:1 | 500пА | 11пФ 40пФ | 150 нс, 150 нс | 1 шт. | 5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5915BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5915bdct1e3-datasheets-2313.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 8 | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5915 | 8 | Двойной | 40 | 1,7 Вт | 2 | Не квалифицирован | 12нс | 12 нс | 20 нс | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 4А | 10А | 0,07 Ом | 8В | 2 P-канала (двойной) | 420пФ при 4В | 70 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 14 нК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ302БДЖ-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 230 мкА | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg303bdye3-datasheets-5523.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 В | 1 мА | 14 | 10 недель | 1,620005г | Неизвестный | 36В | 13В | 30Ом | 14 | да | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ302 | 14 | 4 | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | ДПСТ | 150 нс | 130 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 62 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 1нА | 14пФ 14пФ | 300 нс, 250 нс | 8 шт. | -74 дБ при 500 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6933DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6933dqt1e3-datasheets-2333.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 1 Вт | 2 | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 33 нс | 3,5 А | 20 В | 30В | 1 Вт | 45мОм | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 30 нК при 10 В | Ворота логического уровня | 45 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG723DN-T1-GE4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg723dqt1ge3-datasheets-5589.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 2,05 мм | 550 мкм | 2,05 мм | Без свинца | 2мкА | 12 недель | 50,008559мг | Неизвестный | 5,5 В | 1,8 В | 4,5 Ом | 8 | Нет | 1 мкА | 842 МВт | 2 | 2 | 8-ТДФН (2х2) | 366 МГц | СПСТ | 30 нс | 35 нс | Одинокий | 4,5 Ом | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | SPST - НО/НЗ | 250пА | 8пФ 9пФ | 30 нс, 35 нс | 2,2 ПК | 200мОм | -90 дБ @ 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7236DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7236dpt1ge3-datasheets-1565.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 46 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7236 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Мощность FET общего назначения | Р-XDSO-C6 | 10 нс | 15нс | 10 нс | 60 нс | 20,7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 80А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 4000пФ при 10В | 5,2 мОм при 20,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 60А | 105 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG308ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 10 мкА | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg309dyt1e3-datasheets-1594.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 15 В | 10 мкА | 16 | 13 недель | 36В | 13В | 100Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | 1нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ308 | 16 | 1 | 40 | 600мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 4 | Не квалифицирован | СПСТ | 200 нс | 150 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 100Ом | 78 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 1:1 | СПСТ - НЕТ | ±15 В | 11пФ 8пФ | 200 нс, 150 нс | -10ПК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7925DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7925dnt1e3-datasheets-2425.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 1,3 Вт | Двойной | 1,3 Вт | PowerPAK® 1212-8 двойной | 50 нс | 50 нс | 70 нс | 4,8А | 8В | 12 В | 1,3 Вт | 42мОм | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 42 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,8А | 12 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 42 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ441БДН-Т1-Е4 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg442bdyt1e3-datasheets-1247.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 1 мкА | 16 | 12 недель | 57,09594 мг | 36В | 13В | 90Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е4 | ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО ПО НИКЕЛЮ | 850мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | 0,65 мм | ДГ441 | 16 | 1 | 30 | 850мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | СПСТ | 220 нс | 120 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 80Ом | 90 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 220 нс, 120 нс | -1ПК | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5975DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5975dct1ge3-datasheets-2325.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1,1 Вт | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 10 нс | 20нс | 20 нс | 31 нс | 3.1А | 8В | 12 В | 1,1 Вт | 86мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 86 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 450 мВ @ 1 мА (мин) | 3.1А | 9 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 86 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG469EY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 3 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg470eyt1e3-datasheets-7560.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 6мкА | 8 | 14 недель | 540,001716мг | 36В | 12 В | 8Ом | 8 | да | Нет | 1 | 3 мкА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | ДГ469 | 8 | 1 | 40 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 166 нс | 108 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 4,5 В | -15В | 2 | 1 | 6Ом | 57 дБ | 0,4 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | SPDT | ±4,5 В~15 В | 500пА | 37пФ 85пФ | 166 нс, 108 нс | 58ПК | 120 м Ом | -63 дБ при 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sis412dnt1ge3-datasheets-3828.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,17 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | Неизвестный | 24МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 15,6 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 150°С | S-XDSO-C5 | 5 нс | 12нс | 10 нс | 15 нс | 8,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 3,2 Вт Ta 15,6 Вт Tc | 30А | 30В | N-канал | 435пФ при 15В | 1 В | 24 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG444DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg444dyt1e3-datasheets-1287.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 1 мкА | 16 | 13 недель | 665,986997мг | Нет СВХК | 36В | 13В | 85Ом | 16 | да | Нет | 4 | 1 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | Инвертирование | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ444 | 16 | 1 | 40 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 512/+-15В | СПСТ | 250 нс | 140 нс | 22В | 20 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 30 мА | 4 | 85Ом | 50Ом | 60 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 5В~36В ±5В~20В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 250 нс, 140 нс | -1ПК | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1499DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1499dht1e3-datasheets-4944.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | Неизвестный | 78мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 8 нс | 40 нс | 60 нс | 46 нс | 1,6А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | 8В | -800мВ | 2,5 Вт Ta 2,78 Вт Tc | P-канал | 650пФ при 4В | -800 мВ | 78 мОм при 2 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 1,6 А Тс | 16 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG405DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 5 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg403dje3-datasheets-0863.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,43 мм | 4,45 мм | 7,87 мм | 15 В | Без свинца | 1 мкА | 16 | 12 недель | 1,627801г | 36В | 13В | 55Ом | 16 | да | Нет | 2 | 10нА | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | 265 | 15 В | ДГ405 | 16 | 2 | 40 | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | ДПСТ, СПДТ | 150 нс | 100 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | 72 дБ | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | -90 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4816DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4816dyt1ge3-datasheets-2280.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 22МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4816 | 8 | 2 | 40 | 7,7 Вт | 2 | Мощность FET общего назначения | 15 нс | 5нс | 12 нс | 44 нс | 5.3А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт 1,25 Вт | 30В | 2 N-канала (полумост) | 2 В | 22 мОм при 6,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,3 А 7,7 А | 12 нК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG9411DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 10нА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg9411dlt1e3-datasheets-6511.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 1 мкА | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Нет СВХК | 5,5 В | 2,25 В | 12Ом | 6 | да | Олово | Нет | 1 | 10нА | е3 | Неинвертирующий | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | ДГ9411 | 6 | 1 | 40 | 250мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 11 нс | 7 нс | Одинокий | 2 | 50 мА | 1 | 12Ом | 12Ом | 73 дБ | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 45нс | 2:1 | 2,25 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 7пФ 20пФ | 11нс, 7нс | 10 шт. | -70 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ962EP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sqj962ept1ge3-datasheets-6203.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 4 | Неизвестный | 60мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 5 нс | 11нс | 6 нс | 16 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 8А | 5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 475пФ при 25В | 60 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 14 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ405ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/vishaysiliconix-dg405dy-datasheets-7457.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,43 мм | 4,45 мм | 7,87 мм | 15 В | 1 мкА | 16 | 8 недель | 1,627801г | 36В | 13В | 45Ом | 16 | нет | неизвестный | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 450мВт | 16 | 450мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | 150 нс | 100 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 45Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 2:1 | ДПСТ - НЕТ | ±15 В | 500пА | 12пФ 12пФ | 150 нс, 100 нс | 60ПК | -90 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4128dyt1ge3-datasheets-4479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 10,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2,4 Вт Та 5 Вт Тс | 0,024 Ом | N-канал | 435пФ при 15В | 24 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10,9А Та | 12 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ419ЛДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | БИКМОС | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg417dyt1e3-datasheets-1245.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 1 мкА | 8 | 540,001716мг | 12 В | 2,7 В | 20Ом | 8 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 400мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 41 нс | 32 нс | 6В | Двойной, Одинарный | 3В | 2 | 1 | 20Ом | 35Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 75нс | НО/НЗ | 2,7 В~12 В ±3 В~6 В | 2:1 | SPDT | 1нА | 5пФ | 43нс, 31нс | 1 шт. | -71 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИШ617ДН-Т1-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sish617dnt1ge3-datasheets-8132.pdf | PowerPAK® 1212-8SH | 14 недель | PowerPAK® 1212-8SH | 30В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | P-канал | 1800пФ при 15В | 12,3 мОм при 13,9 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,9 А Та 35 А Тс | 59 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ441ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 30 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg442dyt1-datasheets-7418.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 100 мкА | 16 | 665,986997мг | 36В | 13В | 85Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1,27 мм | 16 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 250 нс | 120 нс | 22В | 15 В | Двойной, Одинарный | 7В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 85Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | Северная Каролина | 12 В ± 15 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 4пФ 4пФ | 220 нс, 120 нс | -1ПК | 4 Ом (макс.) | -100 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИС435ДНТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sis435dntt1ge3-datasheets-8943.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 14 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,7 Вт | 1 | С-ПДСО-С5 | 30 нс | 30 нс | 100 нс | 30А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 3,7 Вт Та 39 Вт Тс | 0,0054Ом | 20 мДж | -20В | P-канал | 5700пФ при 10 В | 5,4 мОм при 13 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 30А Тс | 180 нК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ190АП/883 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~125°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg190ap883-datasheets-7597.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 30Ом | 16 | 2 | 900мВт | 2 | 16-ДИП | 18В | 10 В | 4 | 4 | 30Ом | 2:1 | SPDT | ±15 В | 1нА | 9пФ 6пФ | 150 нс, 130 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7114ADN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si7114adnt1ge3-datasheets-9992.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | 5 | 14 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 30 | 3,7 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C5 | 20 нс | 14 нс | 10 нс | 20 нс | 18,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3В | 3,7 Вт Та 39 Вт Тс | 35А | 60А | 0,0075Ом | 45 мДж | N-канал | 1230пФ при 15В | 7,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 35А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2002DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg2002dlt1ge3-datasheets-7638.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1 | СК-70-6 | 7,8 Ом | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | 1нА | 5пФ | 8нс, 6нс | 5 шт. | -69 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ730ПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-irf730pbf-datasheets-1564.pdf | 400В | 5,5 А | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | Без свинца | 12 недель | 6.000006г | Неизвестный | 1 Ом | 3 | Нет | 55А | 400В | 1 | Одинокий | 74 Вт | 1 | ТО-220АБ | 700пФ | 10 нс | 15нс | 14 нс | 38 нс | 5,5 А | 20 В | 400В | 4В | 74 Вт Тс | 530 нс | 1 Ом | 400В | N-канал | 700пФ при 25В | 4 В | 1 Ом @ 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,5 А Тс | 38 нК при 10 В | 1 Ом | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ201БДК | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | 16 | 25 В | 4,5 В | 85Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 15 В | 16 | 900мВт | Мультиплексор или коммутаторы | +-15 В | 22В | 4,5 В | -15В | 4 | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 85Ом | 100мОм | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 300 нс | Северная Каролина | 4,5 В~25 В ±4,5 В~22 В | 1:1 | СПСТ - НК | 500пА | 5пФ 5пФ | 300 нс, 200 нс | 1 шт. | 2 Ом | -95 дБ при 100 кГц |
