Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CNZ1111 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1112-datasheets-1353.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 6 мкс, 6 мкс | 1,2 В | 0,05 А | 6 мкс | 0,197 (5 мм) | 5 мм | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 5 мм | 0,3 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1011K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1011k-datasheets-1702.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | да | неизвестный | 1 | 6 мкс, 6 мкс | 0,05 А | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 200нА | 30 В | 20 мА | 5 мм | 0,3 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ360Т11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380L11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 3 недели | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375П51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00033 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1999 год | /files/onsemiconductor-qve00033-datasheets-1722.pdf | 4-SMD, плоские выводы | Пересечение объекта | совместимый | 7 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S73PJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s74p-datasheets-1341.pdf | Модуль, Разъем | Пересечение объекта | Без свинца | 3 | неизвестный | 1 | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 50 мА | 15 мкс | 20 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 35В | 35В | 20 мА | 20 мА | 5 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX298 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx298-datasheets-1732.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | неизвестный | 1 | 100мВт | 70 мкс, 70 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 70 мкс | 70 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 4В | 35В | 35В | 20 мА | 940 нм | 3 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1882-012 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1882013-datasheets-7387.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12,95 мм | 50 мА | 6,35 мм | 6,86 мм | Содержит свинец | 10 недель | 4 | Полисульфон | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 82 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 100 нА | 30 В | |||||||||||||||||||||||
| GP1S59J0000F | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 75мВт | 3 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,25 В | 15 мкс | 20 мкс | 0,165 (4,2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 4,2 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-441С1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi441c1-datasheets-1751.pdf | 1,3 В | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 8 мм | 5,2 мм | 4,2 мм | Без свинца | 10 недель | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 1 | 80мВт | 10 мкс, 10 мкс | 50 мА | 1,3 В | 10 мкс | 10 мкс | 0,157 (4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 950 нм | 500нА | 4 мм | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 мА | 50 мА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП1Л52ВДЖ000Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharp-gp1l52vj000f-datasheets-7166.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | Медь, Серебро, Олово | 75мВт | 80 мкс, 70 мкс | 1 | 50 мА | 40 мкс | 30 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 35В | 35В | 40 мА | 50 мА | 35В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1877-001 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 30 мА | 4 недели | Неизвестный | 4 | Поликарбонат | Нет | 75мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,375 (9,52 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100 нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00034 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | /files/onsemiconductor-qve00034-datasheets-1692.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 4 мкс, 4 мкс | 0,315 (8 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1S560J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp1s560-datasheets-1360.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | Нет | 75мВт | 38 мкс, 48 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 90 мкс | 100 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCK5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-qck5-datasheets-1624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Пересечение объекта | 1,4 В | Без свинца | 4 | 100мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 50 мА | 8 мкс | 50 мкс | 0,157 (4 мм) | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1012K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1012k-datasheets-1629.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 1 | НЕТ | 6 мкс, 6 мкс | 0,05 А | 0,197 (5 мм) | 5 мм | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 30 В | 200нА | 30 В | 20 мА | 5 мм | 0,7 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Л51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ370Н11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 10 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ375П11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА |
