Транзисторные оптические датчики(1354)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Тип	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Пакет/ключи	Метод измерения	Длина	Входной ток	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Код Pbfree	Контактное покрытие	Материал корпуса	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Количество функций	Код JESD-609	Терминальные отделки	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Время ответа	Количество элементов	Количество цепей	Выходное напряжение	Выходной ток	Прямой ток	Прямое напряжение	Прямой ток-Макс.	Время подъема	Осень (тип.)	Расстояние внедрения	Размер зазора	Конфигурация вывода	Обратное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Обратное напряжение (постоянный ток)	Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения	Длина волны	Темный ток	Темный ток-Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ширина слота-ном.	Номинальный ток коллектора в состоянии включения
РПИ-441С1	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/rohmsemiconductor-rpi441c1-datasheets-1751.pdf	1,3 В	Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта	8 мм		5,2 мм	4,2 мм		Без свинца	10 недель		4	да	Медь, Серебро, Олово		Нет		1	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	80мВт	1	80мВт	10 мкс, 10 мкс					50 мА	1,3 В		10 мкс	10 мкс	0,157 (4 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА				950 нм		500нА			4 мм	1 мА
ОПБ370Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380Л51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта																															0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
ОПБ375Т51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта																															0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
CNZ1111	Электронные компоненты Panasonic	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2004 г.	/files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1112-datasheets-1353.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца				да				неизвестный	1						6 мкс, 6 мкс						1,2 В	0,05А	6 мкс		0,197 (5 мм)	5 мм	Фототранзистор		30 В			20 мА	50 мА					200нА			5 мм	0,3 мА
ОПБ380Л55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта																															0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
CNA1011K	Электронные компоненты Panasonic	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2008 год	/files/panasonicelectroniccomComponents-cna1011k-datasheets-1702.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта										да				неизвестный	1						6 мкс, 6 мкс							0,05А			0,197 (5 мм)		Фототранзистор						50 мА		30 В			200нА	30 В	20 мА	5 мм	0,3 мА
ОПБ380Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта																															0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
ОПБ360Т11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца			4											100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380L11Z	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца	3 недели		4				Нет							100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ365П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ375П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ365Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
QVE00033	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				1999 год	/files/onsemiconductor-qve00033-datasheets-1722.pdf		4-SMD, плоские выводы	Пересечение объекта														совместимый							7 мкс										0,079 (2 мм)		Фототранзистор						50 мА						30 В	20 мА
GP1S73PJ000F	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Прикрепить	Оснастка	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	1997 год	/files/sharpmicroelectronics-gp1s74p-datasheets-1341.pdf		Модуль, Разъем	Пересечение объекта						Без свинца			3					неизвестный	1					75мВт	3 мкс, 4 мкс					50 мА			15 мкс	20 мкс	0,197 (5 мм)		Фототранзистор		35В		35В	20 мА								20 мА	5 мм
EE-SX298	Omron Electronics Inc., подразделение EMC	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	Непригодный			Соответствует RoHS	2003 г.	/files/omronelectronicsincemcdiv-eesx298-datasheets-1732.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца			4					неизвестный	1					100мВт	70 мкс, 70 мкс	1				50 мА	1,2 В		70 мкс	70 мкс	0,118 (3 мм)		Фотодарлингтон	4В	35В		35В	20 мА				940 нм					3 мм	0,5 мА
ОПБ830W55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~80°К	Масса	1 (без блокировки)	80°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	1997 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта			10,8 мм						4			Пластик								100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
GP1S196HCZSF	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж, крыло чайки	-25°К~85°К	Трубка	3 (168 часов)			Соответствует RoHS	2006 г.			4-СМД	Пересечение объекта						Без свинца			4		Медь, Олово		Нет		1	е6	Олово/Висмут (Sn/Bi)			100мВт	50 мкс, 50 мкс		1			30 мА			150 мкс	150 мкс	0,043 (1,1 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА				930 нм				20 мА	1,1 мм	20 мА
ОПБ360П11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта	18,47 мм		10,8 мм	6,35 мм			10 недель		4				Нет					100мВт		100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ370П11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
GP1S56TJ000F	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)	85°С	-25°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/sharp-gp1s56tj000f-datasheets-7163.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца	18 недель		4		Медь, Серебро, Олово		Нет							75мВт	38 мкс, 48 мкс	1			20 мА	50 мА	1,2 В		90 мкс	110 мкс	0,079 (2 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА	50 мА						35В	20 мА
ОПБ370П55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта									4											100мВт						50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ365Л55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта									4											100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ГП1Л52ВДЖ000Ф	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	3 (168 часов)	85°С	-25°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/sharp-gp1l52vj000f-datasheets-7166.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца			4		Медь, Серебро, Олово									75мВт	80 мкс, 70 мкс	1				50 мА			40 мкс	30 мкс	0,118 (3 мм)		Фотодарлингтон	6В	35В		35В	40 мА	50 мА						35В	40 мА
НОА1877-001	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Масса	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	Соответствует RoHS	1997 год			Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта		30 мА					4 недели	Неизвестный	4			Поликарбонат	Нет							75мВт	15 мкс, 15 мкс	1		30 В	30 мА	50 мА	1,6 В		15 мкс	15 мкс	0,375 (9,52 мм)		Фототранзистор	3В	30 В	400мВ	30 В	30 мА	50 мА	3В			100нА		30 В	30 мА
QVE00034	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				2003 г.	/files/onsemiconductor-qve00034-datasheets-1692.pdf		Модуль, контакты ПК, тип слота	Пересечение объекта																					4 мкс, 4 мкс										0,315 (8 мм)		Фототранзистор						50 мА						30 В	20 мА
ОПБ375Н55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта									4											100мВт		1				50 мА					0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
GP1S560J000F	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)	85°С	-25°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/sharpmicroelectronics-gp1s560-datasheets-1360.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца			4				Нет							75мВт	38 мкс, 48 мкс	1			20 мА	50 мА	1,2 В		90 мкс	100 мкс	0,079 (2 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА	50 мА						35В	20 мА
QCK5	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	1999 год	/files/onsemiconductor-qck5-datasheets-1624.pdf		4-СМД, Крыло Чайки	Пересечение объекта					1,4 В	Без свинца			4											100мВт	8 мкс, 50 мкс	1				50 мА			8 мкс	50 мкс	0,157 (4 мм)		Фототранзистор	5В	30 В		30 В					940 нм

Транзисторные оптические датчики(1354)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии