| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Тип телекоммуникационных микросхем | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Частота (макс.) | Направление | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип памяти микросхем | Включение выхода | Управление автобуса | Возможность ретрансляции | Поддержка ФВФТ | Поддержка программируемых флагов | Напряжение – перемещение | Временной цикл | Ток — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT72P51369L5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l5bb-datasheets-7087.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L6BBI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l6bbi8-datasheets-6970.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L6BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l6bbi-datasheets-6840.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L6BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l6bb8-datasheets-6735.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L6BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l6bb-datasheets-6666.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L5BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l5bb8-datasheets-6552.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51359L5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51359l5bb-datasheets-6414.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 64КХ36 | 36 | 2359296 бит | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L6BBI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51349l6bbi8-datasheets-6331.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L6BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51349l6bbi-datasheets-6124.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L6BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/integrateddevicetechnology-idt72p51349l6bb8-datasheets-6041.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L6BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51349l6bb-datasheets-5949.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L5BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/integrateddevicetechnology-idt72p51349l5bb8-datasheets-5838.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51349L5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51349l5bb-datasheets-5769.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L6BBI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l6bbi8-datasheets-5644.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L6BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l6bbi-datasheets-5569.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L6BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l6bb8-datasheets-5447.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L6BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l6bb-datasheets-5352.pdf | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСИ572-10ГИЛ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi57210gil-datasheets-5344.pdf | 21 мм | 1,81 мм | 21 мм | Содержит свинец | 399 | 399 | нет | 1,81 мм | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 399 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSI564A-10GILY | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 2,66 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi564a10gily-datasheets-5242.pdf | ФКБГА | 21 мм | 21 мм | Содержит свинец | 399 | 399 | нет | 2,3 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 399 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L5BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l5bb8-datasheets-5223.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72P51339L5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51339l5bb-datasheets-5048.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 200 МГц | 16КХ36 | 36 | 589824 бит | 0,1 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 72В51446Л7-5ББ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51446l75bb-datasheets-4731.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3,15 В | 256 | 1,76 мм | Свинец, Олово | Двойной | 133 МГц | Однонаправленный | Нет | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80HCPS1616CHRI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1616chri-datasheets-2943.pdf | ФКБГА | 21 мм | 3,34 мм | 21 мм | Содержит свинец | 400 | 18 недель | 400 | нет | 3,34 мм | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1В | 400 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 12,5/3,3 В | 4730мА | Не квалифицированный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X90100M8I | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 5 (48 часов) | 1,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-x90100m8i-datasheets-2266.pdf | МСОП | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | -40°С | 5,5 В | 2,7 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 40 | Не квалифицированный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT72V51543L7-5BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72v51543l75bbi-datasheets-1250.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 3,6 В | 3,15 В | 256 | 1 Мб | EAR99 | АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ШИРИНА ПАМЯТИ: 9-БИТ | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | Двойной | 20 | ФИФО | Не квалифицированный | Однонаправленный | 4 нс | 64КХ18 | 18 | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 9 | 0,01 А | 18б | синхронный | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 72В51443Л7-5ББИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51443l75bbi-datasheets-0551.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 1,724105г | 3,6 В | 3,15 В | 256 | 1,1 Мб | 1,76 мм | Свинец, Олово | 100 мА | Двойной | 133 МГц | Однонаправленный | 4 нс | 18б | синхронный | Однонаправленный | Нет | Да | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSI572-10GCLV | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 2 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi57210gclv-datasheets-0456.pdf | БГА | 21 мм | 21 мм | Без свинца | 399 | 10 недель | 399 | да | 1,81 мм | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 399 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 70°С | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80HCPS1848HM | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | 2,83 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1848hm-datasheets-0250.pdf | ФКБГА | 29 мм | 29 мм | Содержит свинец | 784 | 784 | нет | 2,75 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1В | 1 мм | 784 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 70°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСИ578-10ГИЛ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 2,55 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi57810gil-datasheets-0026.pdf | ФКБГА | 27 мм | 27 мм | Содержит свинец | 675 | 5 недель | 675 | нет | 2,41 мм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 675 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,23,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAP002DG | Энергетическая интеграция | $3,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Интегральная схема (ИС) | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 105°С | -10°С | 230В | 1,75 мм | Соответствует RoHS | СОИК | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 540,001716мг | Нет СВХК | 230В | 8 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,27 мм | 8 | ДРУГОЙ | 40 | 825В | 21,7 мкА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.