Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециализированные микросхемы(2368)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальное двойное напряжение питания | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Частота (макс.) | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Время доступа | Организация | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Тип памяти микросхем | Включение выхода | Управление автобуса | Возможность ретрансляции | Поддержка ФВФТ | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Переключение | Нормальное положение | Временной цикл | Первичная тактовая частота/номинальная кварцевая частота | Выходная тактовая частота-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 72Т6360Л7-5ББ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72t6360l75bb-datasheets-5302.pdf | БГА | 19 мм | 19 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 2,625 В | 2,375 В | 324 | нет | 1,76 мм | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 324 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HA4344BCBZ | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-ha4344bcbz-datasheets-4545.pdf | СОИК | 9,9 мм | 3,9 мм | 5В | 16 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 16 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 15,5 мА | Р-ПДСО-G16 | 5,5 В | Двойной | 4,5 В | -5В | 70 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HA4201CBZ96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-ha4201cbz96-datasheets-3808.pdf | СОИК | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 8 | да | ВИДЕО ПРИМЕНЕНИЕ | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 8 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | Р-ПДСО-Г8 | 5,5 В | Двойной | 4,5 В | -5В | 85 дБ | СДЕЛАЙТЕ ПЕРЕД РАЗРЫВОМ | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DLP9500UVFLNCM | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | Без свинца | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 72В51253Л6ББ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51253l6bb8-datasheets-2184.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | 576 КБ | нет | 1,76 мм | EAR99 | АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ШИРИНА ПАМЯТИ: 9-БИТ | Свинец, Олово | 8542.32.00.71 | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Двойной | 20 | ФИФО | 166 МГц | 3,7 нс | 128КХ18 | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,01 А | 18б | синхронный | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | Однонаправленный | Нет | Да | 6 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| TSI577-10GILV | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi57710gilv-datasheets-0941.pdf | БГА | 21 мм | 21 мм | Без свинца | 399 | 4 недели | 399 | да | 1,81 мм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 399 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSI578A-10GILV | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSI578A-10GCLV | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi578a10gclv-datasheets-8450.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EVC80KSW0005 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-evc80ksw0005-datasheets-8334.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 852S41AYLFT | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-852s41aylft-datasheets-8256.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8440258АКИ-45ЛФТ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8440258aki45lft-datasheets-8135.pdf | 5 мм | 5 мм | 32 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 2,625 В | 2,375 В | 30 | Тактовые генераторы | 2,5 В | 125 мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 156,25 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8440258АКИ-45ЛФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8440258aki45lf-datasheets-8014.pdf | 5 мм | 5 мм | 32 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 2,625 В | 2,375 В | 30 | Тактовые генераторы | 2,5 В | 125 мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 156,25 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 843241BGLFT | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-843241bglft-datasheets-7911.pdf | 5 мм | 4,4 мм | 16 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ТА 3,3 В ПИТАНИЕ | 8542.39.00.01 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 300 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 843241BGLF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-843241bglf-datasheets-7821.pdf | 5 мм | 4,4 мм | 16 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ТА 3,3 В ПИТАНИЕ | 8542.39.00.01 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 300 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 841402ДКИЛФТ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | КМОП | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-841402dkilft-datasheets-7726.pdf | 5 мм | 5 мм | 32 | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Тактовые генераторы | 3,3 В | 156 мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 400 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0005BRI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0005bri8-datasheets-7510.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0005BR8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0005br8-datasheets-7419.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0004RMI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0004rmi8-datasheets-7292.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 844201БКИ-45ЛФТ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-844201bki45lft-datasheets-7278.pdf | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 12 недель | 16 | да | 1 мм | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 16 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,63 В | 2,97 В | 30 | Тактовые генераторы | 3,3 В | 95 мА | Не квалифицирован | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 25 МГц | 125 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0004RMI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0004rmi-datasheets-7198.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0003RMI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0003rmi8-datasheets-7104.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0003RMI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0003rmi-datasheets-7006.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002RMI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0002rmi8-datasheets-6894.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002RMI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0002rmi-datasheets-6782.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002RM8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0002rm8-datasheets-6692.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002RM | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0002rm-datasheets-6586.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 72В51256Л7-5ББ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51256l75bb8-datasheets-6425.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | 2 Мб | нет | 1,76 мм | EAR99 | АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ШИРИНА ПАМЯТИ: 9-битная и 18-битная. | Свинец, Олово | 8542.32.00.71 | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Двойной | 20 | ФИФО | 133 МГц | 4 нс | 64КХ36 | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,01 А | 36б | синхронный | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | Однонаправленный | Нет | Да | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002HMGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 19 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80KSW0002HMG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 19 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80ХВПС1616РМ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hvps1616rm8-datasheets-6073.pdf |
