Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Тип телекоммуникационных микросхем | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальное двойное напряжение питания | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Частота (макс.) | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Направление | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип памяти микросхем | Включение выхода | Управление автобуса | Возможность ретрансляции | Поддержка ФВФТ | Поддержка программируемых флагов | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Временной цикл | Первичная тактовая частота/номинальная кварцевая частота | Выходная тактовая частота-Макс. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ТСИ578А-10ГИЛ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi578a10gil-datasheets-8896.pdf | ФКБГА | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TSI620-10GCL | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 2,26 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-tsi62010gcl-datasheets-8436.pdf | 27 мм | 27 мм | Содержит свинец | 675 | 675 | нет | 2,13 мм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | 675 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 70°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
83ПН161АКИЛФТ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-83pn161akilft-datasheets-7905.pdf | 7 мм | 5 мм | Без свинца | 10 недель | 10 | 900 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
843242АГЛФТ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-843242aglft-datasheets-7896.pdf | ЦСОП | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 16 | 16 | да | 1 мм | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 16 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Тактовые генераторы | 3,3 В | Не квалифицированный | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, ДРУГОЕ | 31,25 МГц | 625 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80ХВПС1616РМИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hvps1616rmi-datasheets-7478.pdf | ФКБГА | 20 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80ХВПС1616РМ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Соответствует RoHS | 20 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80KSW0004AR | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 3,42 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0004ar-datasheets-7321.pdf | ФКБГА | 19 мм | 19 мм | Содержит свинец | 324 | 19 недель | 324 | нет | 3,27 мм | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | 324 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 70°С | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88P8344BHGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 2,44 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-88p8344bhgi-datasheets-6922.pdf | 35 мм | 35 мм | 820 | 820 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 820 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,96 В | 1,68 В | 30 | Другие микропроцессорные ИС | 1,83,3 В | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HCPS1432RMI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 2,83 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1432rmi-datasheets-6651.pdf | 25 мм | 25 мм | Содержит свинец | 576 | 576 | нет | 2,6 мм | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 1 мм | 576 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HCPS1432ЧМИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | 2,83 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1432hmi-datasheets-6378.pdf | ФКБГА | 25 мм | 25 мм | Содержит свинец | 576 | 576 | нет | 2,6 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1 мм | 576 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HCPS1432HM | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | 2,83 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1432hm-datasheets-6258.pdf | ФКБГА | 25 мм | 25 мм | Содержит свинец | 576 | 576 | нет | 2,6 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1В | 1 мм | 576 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 70°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51777L7-5BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51777l75bbi-datasheets-3554.pdf | БГА | 376 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | ФИФО | 1,8 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | 133 МГц | 256КХ40 | 40 | 10485760 бит | 0,12 А | 3,8 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HSPS1616CRMI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hsps1616crmi-datasheets-3356.pdf | ФКБГА | 21 мм | 2,75 мм | 21 мм | Содержит свинец | 400 | 18 недель | 400 | нет | 2,75 мм | 5А002.А.1.А | Медь, Серебро, Олово | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1В | 400 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 1,05 В | 0,95 В | НЕ УКАЗАН | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HSPS1616CRM | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hsps1616crm-datasheets-3249.pdf | ФКБГА | 21 мм | 2,75 мм | 21 мм | Содержит свинец | 400 | 18 недель | 400 | нет | 2,75 мм | 5А002.А.1.А | Медь, Серебро, Олово | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1В | 400 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,05 В | 0,95 В | НЕ УКАЗАН | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8430S10BYI-03LF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8430s10byi03lf-datasheets-2591.pdf | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 12 недель | 48 | да | 1 мм | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Тактовые генераторы | 3,3 В | 150 мА | Не квалифицированный | ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР, СПЕЦИАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР | 25 МГц | 133 333 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51777L7-5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51777l75bb-datasheets-2388.pdf | БГА | 376 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | ФИФО | 1,8 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | 133 МГц | 256КХ40 | 40 | 10485760 бит | 0,12 А | 3,8 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51549L6BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51549l6bb8-datasheets-2266.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 32КХ36 | 36 | 1179648 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HCPS1848CHMGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1848chmgi-datasheets-2250.pdf | 29 мм | 29 мм | Без свинца | 20 недель | 784 | да | 2,75 мм | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 | 784 | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51777L6BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51777l6bb-datasheets-1088.pdf | БГА | 376 | нет | EAR99 | 8542.32.00.71 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | ФИФО | 1,8 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 256КХ40 | 40 | 10485760 бит | 0,12 А | 3,6 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HA4344BCBZ96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-ha4344bcbz96-datasheets-1047.pdf | СОИК | 9,9 мм | 3,9 мм | 5В | 16 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 16 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 15,5 мА | Р-ПДСО-G16 | 5,5 В | Двойной | 4,5 В | -5В | 70 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X90100M8IZT1 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 5 (48 часов) | 85°С | -40°С | 1,1 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-x90100m8izt1-datasheets-0219.pdf | МСОП | 3 мм | 3 мм | 8 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 2,7 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 40 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLS32AIA020A2USON10XTMA2 | Инфинеон | 2,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51769L6BBI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51769l6bbi8-datasheets-9979.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72T6480L7-5BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72t6480l75bb-datasheets-9762.pdf | БГА | 19 мм | 19 мм | 324 | не_совместимо | 8542.31.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 324 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 2,625 В | 2,375 В | 30 | Модераторы памяти | 2,53,3 В | 650 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
72В51243Л7-5ББИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51243l75bbi-datasheets-8922.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | Содержит свинец | 256 | 256 | нет | 1,76 мм | EAR99 | АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ШИРИНА ПАМЯТИ: 9-БИТ | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | 3,45 В | 3,15 В | НЕ УКАЗАН | ФИФО | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | 133 МГц | 64КХ18 | 1179648 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,01 А | 4 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51769L6BBI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51769l6bbi-datasheets-8807.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51769L6BB8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51769l6bb8-datasheets-7690.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.71 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,9 В | 1,7 В | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО | ДА | 6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
80HCPS1616CRM | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1616crm-datasheets-1621.pdf | ФКБГА | 21 мм | 2,75 мм | 21 мм | Содержит свинец | 400 | 18 недель | 400 | нет | 2,75 мм | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1В | 400 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | Другие телекоммуникационные микросхемы | 12,5/3,3 В | 4730мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
72В51443Л6ББ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-72v51443l6bb8-datasheets-9634.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3,15 В | 256 | 1,1 Мб | 1,76 мм | Свинец, Олово | 100 мА | Двойной | 166 МГц | Однонаправленный | 3,7 нс | 18б | синхронный | Однонаправленный | Нет | Да | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT72P51769L6BB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51769l6bb-datasheets-6571.pdf | БГА | 256 | 256 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ФИФО | 1,8 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | 166 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,1 А | 3,7 нс | ДРУГОЕ ФИФО |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.