Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Интерфейс | Оценочный комплект | Приложения | Напряжение питания | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение — вход | Напряжение – нагрузка | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Конфигурация выхода | Ток — пиковый выход | Ток — выход/канал | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Напряжение — выход | Ток - Выход | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | RDS включен (тип.) | Тип нагрузки | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2024 | EPC | $7,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024-datasheets-1632.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 2,1 нФ | 60А | 40В | N-канал | 2100пФ при 20 В | 1,5 мОм при 37 А, 5 В | 2,5 В @ 19 мА | 60А Та | 1,5 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2037 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2037-datasheets-6807.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 100В | N-канал | 14пФ при 50В | 550 мОм при 100 мА, 5 В | 2,5 В @ 80 мкА | 1,7 А Та | 0,12 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2010 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010-datasheets-5932.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 540пФ | 12А | 200В | N-канал | 540пФ при 100В | 25 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 12А Та | 7,5 нК при 5 В | 25 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9002C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9002c-datasheets-3092.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2001С | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9033 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9033-datasheets-4432.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2020 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9515 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9515-datasheets-3780.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2019 | Получатель | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9052 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9052-datasheets-1743.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2012C | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9022 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8002 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9003 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9003-datasheets-1710.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2010 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 200 В, 5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9102 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/epc-epc9102-datasheets-8434.pdf | 12 недель | Да | 36 В~60 В | ЕПК2001 | 12 В | 8А | Совет(ы) | 375 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2801 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 25А | 100В | 7 мОм | 950пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2033ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engrt-datasheets-5638.pdf | 31А | 150 В | 7 мОм | 1,14 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2024ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024engr-datasheets-3014.pdf | 60А | 40В | 1,5 мОм | 2,1 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2115ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2115engrt-datasheets-8359.pdf | 10-ВФБГА | Вкл/Выкл | Преобразователи постоянного тока в постоянный | 4,5 В~5,5 В | 10-BGA (2,9x1,1) | 120 В Макс. | Низкая сторона | 18А | 5А | 70мОм | Индуктивный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2101 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 300пФ при 30В 1200пФ при 30В | 11,5 мОм при 20 А, 5 В, 2,7 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 3 мА, 2,5 В @ 12 мА | 9,5А 38А | 2,7 нК при 5 В, 12 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2107 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2107-datasheets-5106.pdf | 9-ВФБГА | 14 недель | 9-БГА (1,35х1,35) | 100В | 3 N-канала (полумост + синхронная загрузка) | 16пФ при 50В 7пФ при 50В | 320 мОм при 2 А, 5 В, 3,3 Ом при 2 А, 5 В | 2,5 В @ 100 мкА, 2,5 В @ 20 мкА | 1,7 А 500 мА | 0,16 нК при 5 В, 0,044 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2039 | EPC | 1,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2039-datasheets-8000.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 80В | N-канал | 210пФ при 40В | 25 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 6,8А Та | 2,4 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2012 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012-datasheets-5942.pdf | умереть | умереть | 145пФ | 3А | 200В | N-канал | 145пФ при 100В | 100 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та | 1,8 нК при 5 В | 100 мОм | 5В | +6В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9034 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9034-datasheets-3114.pdf | 16 недель | Да | ЕПК2021 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9120 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9120-datasheets-4576.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9067 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9067-datasheets-3800.pdf | 10 недель | Да | Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8009 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9068 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9068-datasheets-2616.pdf | 10 недель | Да | Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8010 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9511 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9511-datasheets-3663.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9048 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9048-datasheets-1173.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2034 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 160 В, 12 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9118 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc9118-datasheets-8718.pdf | 10 недель | Да | 30 В~60 В | ЕПК2001С, ЕПК2021 | 5В | 20А | Совет(ы) | 400 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2815 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 33А | 40В | 4 мОм | 1,2 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2034ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034engrt-datasheets-5749.pdf | 31А | 200В | 10 мОм | 940пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2101RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2101eng-datasheets-5189.pdf | 22 недели | 38А | 60В | 11,5 мОм | 300пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2152ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2110 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 120 В | 2 N-канальных (двойных) с общим источником | 80пФ при 60В | 60 мОм при 4 А, 5 В | 2,5 В при 700 мкА | 3,4А | 0,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
