Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Количество каналов | Максимальная температура перехода (Tj) | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение — вход | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Снижение сопротивления до источника | Напряжение — выход | Ток - Выход | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2036 | EPC | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2036-datasheets-9662.pdf | умереть | 815 мкм | 14 недель | 1 | 150°С | умереть | 90пФ | 1,7 А | 100В | 62мОм | 100В | N-канал | 90пФ при 50В | 65 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А Та | 0,91 нК при 5 В | 65 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК2035 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2035-datasheets-0897.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 115пФ | 1А | 60В | N-канал | 115пФ при 30В | 45 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 800 мкА | 1А Та | 1,15 нК при 5 В | 45 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2014 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2014-datasheets-5968.pdf | умереть | 14 недель | Контур матрицы (5 припоев) | 325пФ | 10А | 40В | N-канал | 325пФ при 20В | 16 мОм при 5 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 10А Та | 2,8 нК при 5 В | 16 мОм | 5В | +6В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9205 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9205-datasheets-3132.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2045 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5,5 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9129 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9129-datasheets-4964.pdf | 15 недель | Беспроводное питание/зарядка | EPC2016C, EPC2019, EPC2038, EPC8010 | Передатчик и приемник | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9514 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9514-datasheets-4241.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2016C | Получатель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9001C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9001c-datasheets-2734.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2015C | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9054 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9054-datasheets-3792.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2010С | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9010 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9010-datasheets-4144.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2016 | Максимальный выходной ток 100 В, 7 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9115 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc9115-datasheets-9269.pdf | 10 недель | Да | 48В~60В | ЕПК2020, ЕПК2021 | 12 В | 5А | Совет(ы) | 300 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2818 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 12А | 150 В | 25 мОм | 540пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2040ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2040engrt-datasheets-5821.pdf | 3,4А | 15 В | 28 мОм | 100пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2105RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2105eng-datasheets-5266.pdf | 22 недели | 38А | 80В | 14,5 мОм | 300пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2108 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2108-datasheets-2121.pdf | 9-ВФБГА | 14 недель | 9-БГА (1,35х1,35) | 60В 100В | 3 N-канала (полумост + синхронная загрузка) | 22пФ при 30В 7пФ при 30В | 190 мОм при 2,5 А, 5 В, 3,3 Ом при 2,5 А, 5 В | 2,5 В @ 100 мкА, 2,5 В @ 20 мкА | 1,7 А 500 мА | 0,22 нК при 5 В, 0,044 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2106 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 100В | 2 N-канала (полумост) | 75пФ при 50В | 70 мОм при 2 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А | 0,73 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2045 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2045-datasheets-0152.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 100В | N-канал | 685пФ при 50В | 7 МОм при 16 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 16А Та | 6,5 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2040 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2040-datasheets-2966.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 15 В | N-канал | 105пФ при 6В | 30 мОм при 1,5 А, 5 В | 2,5 В @ 1 мА | 3,4А Та | 0,93 нК при 5 В | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2001 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2001-datasheets-5861.pdf | умереть | Контур матрицы (11 шт. припоя) | 950пФ | 25А | 100В | N-канал | 950пФ при 50В | 7 МОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 25А Та | 10 нК при 5 В | 7 мОм | 5В | +6В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9086 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9086-datasheets-3162.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2111 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9111 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9111-datasheets-5113.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2014 | 6,78 МГц | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9001 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9001-datasheets-5185.pdf | 8 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2015 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 40 В, 15 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9032 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9032-datasheets-2795.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2024 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9127 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9127-datasheets-4022.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2019, ЕПК2036, ЕПК2107 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9057 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9057-datasheets-0305.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2039 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 80 В, 6 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9130 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc9130-datasheets-1331.pdf | 10 недель | 36 В~60 В | ЕПК2045 | 12 В | 50А | Совет(ы) | 500 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8002ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8002engr-datasheets-6043.pdf | 2А | 65В | 530 мОм | 21пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2100RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2100eng-datasheets-7484.pdf | 22 недели | 38А | 30 В | 8 мОм | 380пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2040ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2040engr-datasheets-0348.pdf | 3,4А | 15 В | 28 мОм | 100пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2104ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2104engrt-datasheets-2518.pdf | умереть | умереть | 800пФ | 23А | 100В | 2 N-канала (полумост) | 800пФ при 50В | 6,3 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 5,5 мА | 23А | 7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 6,3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2104 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2104engrt-datasheets-2518.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 100В | 2 N-канала (полумост) | 800пФ при 50В | 6,3 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 5,5 мА | 23А | 7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
