ЕПК(476)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Время выполнения заказа на заводе	Интерфейс	Оценочный комплект	Приложения	Напряжение питания	Пакет устройств поставщика	Входная емкость	Напряжение — вход	Напряжение – нагрузка	Непрерывный ток стока (ID)	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Функция	Конфигурация выхода	Ток — пиковый выход	Ток — выход/канал	Используемая микросхема/деталь	Вторичные атрибуты	Напряжение — выход	Ток - Выход	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Первичные атрибуты	Поставляемый контент	RDS включен (тип.)	Тип нагрузки	Частота — переключение	Основная цель	Тип платы	Встроенный	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	РДС на Максе	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)	Емкость — вход	Выходы и тип	Топология регулятора
ЕПК2034	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034-datasheets-1454.pdf	умереть	12 недель					умереть					200В									N-канал	950пФ при 100В									10 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В @ 7 мА	48А Та	8,8 нК при 5 В			5В	+6В, -4В
ЕПК2023	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023-datasheets-5485.pdf	умереть	12 недель					умереть					30 В									N-канал	2300пФ при 15 В									1,3 мОм при 40 А, 5 В	2,5 В @ 20 мА	60А Та
ЕПК2007	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТДж	Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2007-datasheets-5891.pdf	умереть						Контур матрицы (5 припоев)	205пФ			6А	100В									N-канал	205пФ при 50В									30 мОм при 6 А, 5 В	2,5 В @ 1,2 мА	6А Та	2,8 нК при 5 В		30 мОм	5В	+6В, -5В
EPC9204	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9204-datasheets-3073.pdf		10 недель											Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК2111	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5,5 В.						Совет(ы)
EPC9113	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9113-datasheets-4330.pdf		10 недель		Да									Беспроводное питание/зарядка											Совет(ы)						Нет
EPC9013	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9013-datasheets-3551.pdf		15 недель		Да									Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК2001С	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.					Максимальный выходной ток 100 В, 35 А на GaNFET	Совет(ы)						Нет
EPC9066	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9066-datasheets-1488.pdf		10 недель		Да									Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК8004							Совет(ы)
ЕПК9509	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9509-datasheets-3530.pdf		10 недель		Да									Беспроводное питание/зарядка				ЕПК2036, ЕПК2108	Встроенные светодиоды						Совет(ы)						Нет
EPC9042	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)					2012 год			8 недель											Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК2025	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.					Максимальный выходной ток 300 В, 3 А на GaNFET	Совет(ы)						Нет
ЕПК9107	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2012 год	/files/epc-epc9107-datasheets-8253.pdf		12 недель		Да					9В~28В								ЕПК2015		3,3 В	15А				Совет(ы)			1 МГц	DC/DC, шаг вниз	Полностью заселен											1, неизолированный	Бак
EPC2024RUS	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024eng-datasheets-5532.pdf		24 недели									60А	40В																								1,5 мОм			2,1 нФ
EPC2022ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022engrt-datasheets-5504.pdf											90А	100В																								3,2 мОм			1,4 нФ
EPC2023ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023engr-datasheets-2601.pdf											60А	30 В																								1,3 мОм			2,3 нФ
EPC2112ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует ROHS3		/files/epc-epc2112engrt-datasheets-8340.pdf	10-ВФБГА		Вкл/Выкл		Преобразователи постоянного тока в постоянный	4,5 В~5,5 В	10-BGA (2,9x1,1)			160 В Макс.				Низкая сторона	40А	10А									32мОм	Индуктивный
EPC2103ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	/files/epc-epc2103-datasheets-3103.pdf	умереть	16 недель					умереть	7,6 нФ			23А	80В									2 N-канала (полумост)	7600пФ при 40В									5,5 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В @ 7 мА	23А	6,5 нК при 5 В	GaNFET (нитрид галлия)	5,5 мОм
ЕПК2024	EPC	$7,32	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024-datasheets-1632.pdf	умереть	12 недель					умереть	2,1 нФ			60А	40В									N-канал	2100пФ при 20 В									1,5 мОм при 37 А, 5 В	2,5 В @ 19 мА	60А Та			1,5 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК2037	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2037-datasheets-6807.pdf	умереть	12 недель					умереть					100В									N-канал	14пФ при 50В									550 мОм при 100 мА, 5 В	2,5 В @ 80 мкА	1,7 А Та	0,12 нК при 5 В			5В	+6В, -4В
ЕПК2010	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТДж	Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010-datasheets-5932.pdf	умереть	14 недель					умереть	540пФ			12А	200В									N-канал	540пФ при 100В									25 мОм при 6 А, 5 В	2,5 В при 3 мА	12А Та	7,5 нК при 5 В		25 мОм	5В	+6В, -4В
EPC9002C	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9002c-datasheets-3092.pdf		10 недель		Да													ЕПК2001С							Совет(ы)
EPC9033	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9033-datasheets-4432.pdf		10 недель		Да													ЕПК2020							Совет(ы)
ЕПК9515	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9515-datasheets-3780.pdf		10 недель											Беспроводное питание/зарядка				ЕПК2019						Получатель	Совет(ы)						Нет
EPC9052	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9052-datasheets-1743.pdf		10 недель		Да													ЕПК2012C							Совет(ы)
EPC9022	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf		10 недель		Да									Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК8002							Совет(ы)						Нет
ЕПК9003	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Не соответствует требованиям RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9003-datasheets-1710.pdf		10 недель		Да									Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)				ЕПК2010	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.					Максимальный выходной ток 200 В, 5 А на GaNFET	Совет(ы)						Нет
ЕПК9102	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2012 год	/files/epc-epc9102-datasheets-8434.pdf		12 недель		Да					36 В~60 В								ЕПК2001		12 В	8А				Совет(ы)			375 кГц	DC/DC, шаг вниз	Полностью заселен											1, изолированный	Бак
ЕПК2801	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					125°С	-40°С		Не соответствует требованиям RoHS													25А	100В																								7 мОм			950пФ
EPC2033ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engrt-datasheets-5638.pdf											31А	150 В																								7 мОм			1,14 нФ
EPC2024ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024engr-datasheets-3014.pdf											60А	40В																								1,5 мОм			2,1 нФ
EPC2115ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует ROHS3		/files/epc-epc2115engrt-datasheets-8359.pdf	10-ВФБГА		Вкл/Выкл		Преобразователи постоянного тока в постоянный	4,5 В~5,5 В	10-BGA (2,9x1,1)			120 В Макс.				Низкая сторона	18А	5А									70мОм	Индуктивный
ЕПК2101	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf	умереть	14 недель					умереть					60В									2 N-канала (полумост)	300пФ при 30В 1200пФ при 30В									11,5 мОм при 20 А, 5 В, 2,7 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В @ 3 мА, 2,5 В @ 12 мА	9,5А 38А	2,7 нК при 5 В, 12 нК при 5 В	GaNFET (нитрид галлия)

ЕПК(476)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии