| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Количество каналов | Максимальная температура перехода (Tj) | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение — вход | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Снижение сопротивления до источника | Напряжение — выход | Ток - Выход | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2107 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2107-datasheets-5106.pdf | 9-ВФБГА | 14 недель | 9-БГА (1,35х1,35) | 100В | 3 N-канала (полумост + синхронная загрузка) | 16пФ при 50В 7пФ при 50В | 320 мОм при 2 А, 5 В, 3,3 Ом при 2 А, 5 В | 2,5 В @ 100 мкА, 2,5 В @ 20 мкА | 1,7 А 500 мА | 0,16 нК при 5 В, 0,044 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2039 | EPC | 1,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2039-datasheets-8000.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 80В | N-канал | 210пФ при 40В | 25 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 6,8А Та | 2,4 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2012 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012-datasheets-5942.pdf | умереть | умереть | 145пФ | 3А | 200В | N-канал | 145пФ при 100В | 100 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В @ 1 мА | 3А Та | 1,8 нК при 5 В | 100 мОм | 5В | +6В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9034 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9034-datasheets-3114.pdf | 16 недель | Да | ЕПК2021 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9120 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9120-datasheets-4576.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9067 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9067-datasheets-3800.pdf | 10 недель | Да | Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8009 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9068 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9068-datasheets-2616.pdf | 10 недель | Да | Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8010 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9511 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9511-datasheets-3663.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9048 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9048-datasheets-1173.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2034 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 160 В, 12 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9118 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc9118-datasheets-8718.pdf | 10 недель | Да | 30 В~60 В | ЕПК2001С, ЕПК2021 | 5В | 20А | Совет(ы) | 400 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2815 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 33А | 40В | 4 мОм | 1,2 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2034ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034engrt-datasheets-5749.pdf | 31А | 200В | 10 мОм | 940пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2101RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2101eng-datasheets-5189.pdf | 22 недели | 38А | 60В | 11,5 мОм | 300пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2152ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2110 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 120 В | 2 N-канальных (двойных) с общим источником | 80пФ при 60В | 60 мОм при 4 А, 5 В | 2,5 В при 700 мкА | 3,4А | 0,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2036 | EPC | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2036-datasheets-9662.pdf | умереть | 815 мкм | 14 недель | 1 | 150°С | умереть | 90пФ | 1,7 А | 100В | 62мОм | 100В | N-канал | 90пФ при 50В | 65 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А Та | 0,91 нК при 5 В | 65 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК2035 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2035-datasheets-0897.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 115пФ | 1А | 60В | N-канал | 115пФ при 30В | 45 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 800 мкА | 1А Та | 1,15 нК при 5 В | 45 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2014 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2014-datasheets-5968.pdf | умереть | 14 недель | Контур матрицы (5 припоев) | 325пФ | 10А | 40В | N-канал | 325пФ при 20В | 16 мОм при 5 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 10А Та | 2,8 нК при 5 В | 16 мОм | 5В | +6В, -5В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9205 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9205-datasheets-3132.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2045 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5,5 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9129 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9129-datasheets-4964.pdf | 15 недель | Беспроводное питание/зарядка | EPC2016C, EPC2019, EPC2038, EPC8010 | Передатчик и приемник | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9514 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9514-datasheets-4241.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2016C | Получатель | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9001C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9001c-datasheets-2734.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2015C | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9054 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9054-datasheets-3792.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2010С | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9010 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9010-datasheets-4144.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2016 | Максимальный выходной ток 100 В, 7 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9115 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc9115-datasheets-9269.pdf | 10 недель | Да | 48В~60В | ЕПК2020, ЕПК2021 | 12 В | 5А | Совет(ы) | 300 кГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, изолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2818 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 12А | 150 В | 25 мОм | 540пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2040ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2040engrt-datasheets-5821.pdf | 3,4А | 15 В | 28 мОм | 100пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2105RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2105eng-datasheets-5266.pdf | 22 недели | 38А | 80В | 14,5 мОм | 300пФ |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.