ЕПК(476)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Время выполнения заказа на заводе	Оценочный комплект	Напряжение питания	Пакет устройств поставщика	Входная емкость	Тип выхода	Непрерывный ток стока (ID)	Тип усилителя	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Функция	Максимальная выходная мощность	Используемая микросхема/деталь	Вторичные атрибуты	Максимальная выходная мощность x каналов при нагрузке	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Первичные атрибуты	Поставляемый контент	Тип платы	Встроенный	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	РДС на Максе	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)	Емкость — вход
ЕПК2100	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf	умереть	14 недель			умереть					30В						2 N-канала (полумост)	475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В					8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В	2,5 В @ 4 мА, 2,5 В @ 16 мА	10А Та 40А Та	4,9 нК при 15 В, 19 нК при 15 В	GaNFET (нитрид галлия)
ЕПК2029	EPC	$7,84	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	/files/epc-epc2029-datasheets-1300.pdf	умереть	12 недель			умереть	1,41 нФ		48А		80В						N-канал	1410пФ при 40В					3,2 мОм при 30 А, 5 В	2,5 В при 12 мА	48А Та	13 нК при 5 В		3,2 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК2053	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2053-datasheets-2549.pdf	умереть	10 недель			умереть					100В						N-канал	1895 пФ при 50 В					3,8 мОм при 25 А, 5 В	2,5 В при 9 мА	48А	14,8 нК при 5 В			5В	+6В, -4В
EPC2031ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031-datasheets-1314.pdf	умереть				умереть	1,8 нФ		31А		60В						N-канал	1800пФ при 300В					2,6 мОм при 30 А, 5 В	2,5 В @ 15 мА	31А Та	17 нК при 5 В		2,6 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК9106	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®				Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2012 год	/files/epc-epc9106-datasheets-5237.pdf		12 недель	Да	±27 В			2-канальный (стерео)		Класс Д			250 Вт	ЕПК2016		250 Вт х 2 при 4 Ом				Совет(ы)	Полностью заселен
EPC9507	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9507-datasheets-3569.pdf		10 недель	Да								Беспроводное питание/зарядка		ЕПК2007С, ЕПК2038	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.				Передатчик	Совет(ы)		Нет
ЕПК9058	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9058-datasheets-3068.pdf		10 недель									Беспроводное питание/зарядка		ЕПК2110	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.					Совет(ы)		Нет
EPC9005C	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9005c-datasheets-0816.pdf		10 недель	Да								Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК2014C						Совет(ы)		Нет
ЕПК9018	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9018-datasheets-3072.pdf		10 недель	Да										ЕПК2015, ЕПК2023						Совет(ы)
ЕПК9087	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9087-datasheets-2272.pdf		10 недель											ЕПК2037						Совет(ы)
ЕПК9030	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf		10 недель	Да								Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК8010						Совет(ы)		Нет
EPC2025ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2025engr-datasheets-0205.pdf								4А		300В																	150 мОм			194пФ
EPC2039ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2039engrt-datasheets-9248.pdf								6,8А		80В																	22 мОм			210пФ
EPC2103RUS	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	/files/epc-epc2103eng-datasheets-5290.pdf								23А		80В																	5,5 мОм			760пФ
ЕПК2105	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf	умереть	14 недель			умереть					80В						2 N-канала (полумост)	300пФ при 40В 1100пФ при 40В					14,5 мОм при 20 А, 5 В, 3,4 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В @ 2,5 мА, 2,5 В @ 10 мА	9,5А 38А	2,5 нК при 5 В, 10 нК при 5 В	GaNFET (нитрид галлия)
ЕПК2031	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031-datasheets-1314.pdf	умереть	12 недель			умереть					60В						N-канал	1800пФ при 300В					2,6 мОм при 30 А, 5 В	2,5 В @ 15 мА	31А Та	17 нК при 5 В
ЕПК2202	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2202-datasheets-2037.pdf	умереть	14 недель			Контур матрицы (6 припоев)					80В						N-канал	415пФ при 50В					17 мОм при 11 А, 5 В	2,5 В при 3 мА	18А	4 нК при 5 В			5В	+5,75 В, -4 В
ЕПК2051	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2051-datasheets-5814.pdf	умереть	10 недель			умереть					100В						N-канал	258пФ при 50В					25 мОм при 3 А, 5 В	2,5 В @ 1,5 мА	1,7 А	2,1 нК при 5 В			5В	+6В, -4В
ЕПК9065	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9065-datasheets-2470.pdf		15 недель	Да								Беспроводное питание/зарядка		ЕПК2007С, ЕПК2038	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В.					Совет(ы)		Нет
ЕПК9010С	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9010c-datasheets-3608.pdf		16 недель	Да								Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК2016C						Совет(ы)
ЕПК9039	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9039-datasheets-3075.pdf		10 недель	Да										ЕПК2103						Совет(ы)
EPC9049	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2035-datasheets-0897.pdf		10 недель	Да								Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК2035	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.				Максимальный выходной ток 60 В, 4 А на GaNFET	Совет(ы)		Нет
EPC9063	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9063-datasheets-3088.pdf		10 недель											ЕПК2107						Совет(ы)
ЕПК9027	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)					2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf		8 недель									Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК8007	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.				Максимальный выходной ток 40 В, 4 А на GaNFET	Совет(ы)		Нет
ЕПК9025	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf		10 недель	Да								Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)		ЕПК8005						Совет(ы)		Нет
EPC9081	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1												Не соответствует требованиям RoHS
EPC2046ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1												Не соответствует требованиям RoHS
EPC2030ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030engr-datasheets-5853.pdf								31А		40В																	2,4 мОм			1,9 нФ

ЕПК(476)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии