Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Тип аксессуара | Оценочный комплект | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2032 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032-datasheets-1370.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,53 нФ | 48А | 100В | N-канал | 1530пФ при 50В | 4 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 11 мА | 48А Та | 15 нК при 5 В | 4 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| ЕПК2019 | EPC | 3,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019-datasheets-3327.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 270пФ | 8,5 А | 200В | N-канал | 270пФ при 100В | 50 мОм при 7 А, 5 В | 2,5 В @ 1,5 мА | 8,5А Та | 2,5 нК при 5 В | 50 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| EPC2030ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 1,9 нФ | 31А | 40В | N-канал | 1900пФ при 20В | 2,4 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 16 мА | 31А Та | 18 нК при 5 В | 2,4 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| ЕПК9078 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9078-datasheets-2679.pdf | 10 недель | ЕПК2045 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9203 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2021 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 80 В, 20 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9092 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9092-datasheets-3119.pdf | 8 недель | ЕПК2052 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9038 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9038-datasheets-1698.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2102 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9041 | EPC | $199,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9041-datasheets-3126.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2105 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9202 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9202-datasheets-0232.pdf | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2001 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9028 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8008 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2019RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019eng-datasheets-4989.pdf | 8,5 А | 200В | 50 мОм | 270пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9079 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2031ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031engr-datasheets-5924.pdf | 31А | 60В | 2,6 мОм | 1,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_LG-EM | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoollgem-datasheets-3472.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2102 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 23А | 6,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2022 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022-datasheets-1407.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,5 нФ | 60А | 100В | N-канал | 1500пФ при 50В | 3,2 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 12 мА | 60А Та | 3,2 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||
| ЕПК2014C | EPC | 1,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2014c-datasheets-4644.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (5 припоев) | 300пФ | 10А | 40В | N-канал | 300пФ при 20В | 16 мОм при 10 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 10А Та | 2,5 нК при 5 В | 16 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| ЕПК8010 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8010-datasheets-3100.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 55пФ | 2,7А | 100В | N-канал | 55пФ при 50В | 160 мОм при 500 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 0,48 нК при 5 В | 160 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| EPC9126HC | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126hc-datasheets-2762.pdf | 10 недель | Лазерный драйвер | ЕПК2001С | Встроенные светодиоды, контрольные точки | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9035 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9035-datasheets-3881.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2022 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9040 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9040-datasheets-3135.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2104 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 15 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9046 | EPC | $199,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9046-datasheets-1841.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2029 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальная выходная мощность GaNFET 80 В, 22 А | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9513 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9513-datasheets-3303.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2019 | Получатель | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9508 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9508-datasheets-0254.pdf | 12 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2007, ЕПК8009 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Передатчик | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9029 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8009 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2020RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/epc-epc2020eng-datasheets-5105.pdf | 60А | 60В | 2,2 мОм | 1,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2033ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engr-datasheets-9900.pdf | 31А | 150 В | 7 мОм | 1,14 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2032ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032engr-datasheets-6061.pdf | 48А | 100В | 4 мОм | 1,53 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_XL-DC | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolxldc-datasheets-3592.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2106ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 75пФ | 1,7 А | 100В | 2 N-канала (полумост) | 75пФ при 50В | 70 мОм при 2 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А | 0,73 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 70 мОм |
