EPC

ЕПК(476)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Время выполнения заказа на заводе Оценочный комплект Пакет устройств поставщика Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение стока к источнику (Vdss) Функция Используемая микросхема/деталь Вторичные атрибуты Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Встроенный Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Емкость — вход
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 /files/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf умереть 16 недель умереть 30 В 2 N-канала (полумост) 475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В 8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В 2,5 В @ 4 мА, 2,5 В @ 16 мА 10А Та 40А Та 4,9 нК при 15 В, 19 нК при 15 В GaNFET (нитрид галлия)
EPC2001C ЕПК2001С EPC 1,82 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2001c-datasheets-9935.pdf умереть 12 недель Контур матрицы (11 шт. припоя) 900пФ 36А 100В N-канал 900пФ при 50В 7 МОм при 25 А, 5 В 2,5 В @ 5 мА 36А Та 9 нК при 5 В 7 мОм +6В, -4В
EPC2012C ЕПК2012C EPC $6,30
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012c-datasheets-1620.pdf умереть 12 недель Контур матрицы (стержень с 4 припоями) 140пФ 200В N-канал 140пФ при 100В 100 мОм при 3 А, 5 В 2,5 В при 1 мА 5А Та 1,3 нК при 5 В 100 мОм +6В, -4В
EPC2203 ЕПК2203 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2203-datasheets-9996.pdf умереть 14 недель умереть 80В N-канал 88пФ при 50В 80 мОм при 1 А, 5 В 2,5 В @ 600 мкА 1,7 А 0,83 нК при 5 В +5,75 В, -4 В
EPC2025 ЕПК2025 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует RoHS 2012 год умереть умереть 194пФ 300В N-канал 194 пФ при 240 В 150 мОм при 3 А, 5 В 2,5 В при 1 мА 4А Та 150 мОм +6В, -4В
EPC9051 EPC9051 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9051-datasheets-3231.pdf 10 недель Да ЕПК2037 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 1 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9201 ЕПК9201 EPC $187,24
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2015 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. Максимальный выходной ток 30 В, 40 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9024 EPC9024 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8004 Совет(ы) Нет
EPC9121 EPC9121 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием Непригодный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9121-datasheets-2991.pdf 10 недель Да Беспроводное питание/зарядка ЕПК2036, ЕПК2038, ЕПК2107 Встроенные светодиоды Передатчик и приемник Совет(ы)
EPC9128 EPC9128 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9128-datasheets-4500.pdf 10 недель Беспроводное питание/зарядка ЕПК2019, ЕПК2036, ЕПК2108 Совет(ы) Нет
EPC9004 ЕПК9004 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9004-datasheets-0486.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2012 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 200 В, 3 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC2212 ЕПК2212 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126-datasheets-2873.pdf умереть 14 недель умереть 100В N-канал 407пФ при 50В 13,5 мОм при 11 А, 5 В 2,5 В при 3 мА 18А Та 4 нК при 5 В +6В, -4В
EPC8005ENGR EPC8005ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8005engr-datasheets-6699.pdf 2,9 А 65В 275 мОм 29пФ
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010cengr-datasheets-9381.pdf 22А 200В 25 мОм 380пФ
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2038engr-datasheets-9095.pdf 500 мА 100В 2,8 Ом 7пФ
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf умереть 16 недель умереть 300пФ 9,5А 80В 2 N-канала (полумост) 300пФ при 40В 14,5 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В при 2,5 мА 9,5А 2,5 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия) 14,5 мОм
EPC2015C ЕПК2015C EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2015c-datasheets-0127.pdf умереть 12 недель умереть 980пФ 53А 40В N-канал 1180пФ при 20В 4 мОм при 33 А, 5 В 2,5 В при 9 мА 53А Та 8,7 нК при 5 В 4 мОм +6В, -4В
EPC8004 ЕПК8004 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8004-datasheets-2202.pdf умереть 12 недель умереть 52пФ 2,7А 40В N-канал 52пФ при 20В 110 мОм при 500 мА, 5 В 2,5 В @ 250 мкА 2,7А Та 0,45 нК при 5 В 110 мОм +6В, -4В
EPC2030 ЕПК2030 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf умереть 12 недель умереть 40В N-канал 1900пФ при 20В 2,4 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В при 16 мА 31А Та 18 нК при 5 В
EPC2018 ЕПК2018 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 125°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2018-datasheets-1300.pdf умереть 14 недель умереть 540пФ 12А 150 В N-канал 540пФ при 100В 25 мОм при 6 А, 5 В 2,5 В при 3 мА 12А Та 7,5 нК при 5 В 25 мОм +6В, -5В
EPC9055 ЕПК9055 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2106 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 3 А, GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9014 EPC9014 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 10 недель Да ЕПК2019 Совет(ы)
EPC9089 ЕПК9089 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9089-datasheets-5687.pdf Беспроводное питание/зарядка ЕПК2112 Совет(ы) Нет
EPC9060 ЕПК9060 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3988.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2030 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 40 В, 25 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9048C EPC9048C EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 8 недель EPC2034C Совет(ы)
EPC9006 ЕПК9006 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9006-datasheets-0495.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2007 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 5 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC2021 ЕПК2021 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf умереть 12 недель умереть 1,65 нФ 90А 80В N-канал 1650пФ при 40В 2,5 мОм при 29 А, 5 В 2,5 В при 14 мА 90А Та 15 нК при 5 В 2,5 мОм +6В, -4В
EPC8007ENGR EPC8007ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 3,8А 40В 160 мОм 39пФ
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2029engrt-datasheets-0024.pdf 31А 80В 3,2 мОм 1,4 нФ
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2015 год /files/epc-epc2107engrt-datasheets-9234.pdf 1,7 А 100В 320 мОм 16пФ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.