Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPC2100ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В | 8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 4 мА, 2,5 В @ 16 мА | 10А Та 40А Та | 4,9 нК при 15 В, 19 нК при 15 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2001С | EPC | 1,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2001c-datasheets-9935.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (11 шт. припоя) | 900пФ | 36А | 100В | N-канал | 900пФ при 50В | 7 МОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 36А Та | 9 нК при 5 В | 7 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||
| ЕПК2012C | EPC | $6,30 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012c-datasheets-1620.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (стержень с 4 припоями) | 140пФ | 5А | 200В | N-канал | 140пФ при 100В | 100 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 5А Та | 1,3 нК при 5 В | 100 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||
| ЕПК2203 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2203-datasheets-9996.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 80В | N-канал | 88пФ при 50В | 80 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А | 0,83 нК при 5 В | 5В | +5,75 В, -4 В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК2025 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2012 год | умереть | умереть | 194пФ | 4А | 300В | N-канал | 194 пФ при 240 В | 150 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 4А Та | 150 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||
| EPC9051 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9051-datasheets-3231.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2037 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 1 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9201 | EPC | $187,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2015 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 30 В, 40 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| EPC9024 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8004 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9121 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9121-datasheets-2991.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2036, ЕПК2038, ЕПК2107 | Встроенные светодиоды | Передатчик и приемник | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9128 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9128-datasheets-4500.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2019, ЕПК2036, ЕПК2108 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9004 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9004-datasheets-0486.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2012 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 200 В, 3 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2212 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126-datasheets-2873.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 100В | N-канал | 407пФ при 50В | 13,5 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 18А Та | 4 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| EPC8005ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8005engr-datasheets-6699.pdf | 2,9 А | 65В | 275 мОм | 29пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2010CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010cengr-datasheets-9381.pdf | 22А | 200В | 25 мОм | 380пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2038ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2038engr-datasheets-9095.pdf | 500 мА | 100В | 2,8 Ом | 7пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2105ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 300пФ | 9,5А | 80В | 2 N-канала (полумост) | 300пФ при 40В | 14,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 2,5 мА | 9,5А | 2,5 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 14,5 мОм | |||||||||||||||||
| ЕПК2015C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2015c-datasheets-0127.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 980пФ | 53А | 40В | N-канал | 1180пФ при 20В | 4 мОм при 33 А, 5 В | 2,5 В при 9 мА | 53А Та | 8,7 нК при 5 В | 4 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| ЕПК8004 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8004-datasheets-2202.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 52пФ | 2,7А | 40В | N-канал | 52пФ при 20В | 110 мОм при 500 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 0,45 нК при 5 В | 110 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| ЕПК2030 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 40В | N-канал | 1900пФ при 20В | 2,4 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 16 мА | 31А Та | 18 нК при 5 В | ||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2018 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2018-datasheets-1300.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 540пФ | 12А | 150 В | N-канал | 540пФ при 100В | 25 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 12А Та | 7,5 нК при 5 В | 25 мОм | 5В | +6В, -5В | |||||||||||||||
| ЕПК9055 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2106 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 3 А, GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9014 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | Да | ЕПК2019 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9089 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9089-datasheets-5687.pdf | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2112 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9060 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3988.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2030 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 40 В, 25 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9048C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | EPC2034C | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9006 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9006-datasheets-0495.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2007 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2021 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,65 нФ | 90А | 80В | N-канал | 1650пФ при 40В | 2,5 мОм при 29 А, 5 В | 2,5 В при 14 мА | 90А Та | 15 нК при 5 В | 2,5 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| EPC8007ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 3,8А | 40В | 160 мОм | 39пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2029ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2029engrt-datasheets-0024.pdf | 31А | 80В | 3,2 мОм | 1,4 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2107ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2107engrt-datasheets-9234.pdf | 1,7 А | 100В | 320 мОм | 16пФ |
