EPC

ЕПК(476)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Время выполнения заказа на заводе Тип аксессуара Оценочный комплект Пакет устройств поставщика Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение стока к источнику (Vdss) Функция Используемая микросхема/деталь Вторичные атрибуты Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Встроенный Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Емкость — вход
EPC2032 ЕПК2032 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032-datasheets-1370.pdf умереть 12 недель умереть 1,53 нФ 48А 100В N-канал 1530пФ при 50В 4 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В при 11 мА 48А Та 15 нК при 5 В 4 мОм +6В, -4В
EPC2019 ЕПК2019 EPC 3,55 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019-datasheets-3327.pdf умереть 12 недель умереть 270пФ 8,5 А 200В N-канал 270пФ при 100В 50 мОм при 7 А, 5 В 2,5 В @ 1,5 мА 8,5А Та 2,5 нК при 5 В 50 мОм +6В, -4В
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf умереть 16 недель умереть 1,9 нФ 31А 40В N-канал 1900пФ при 20В 2,4 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В при 16 мА 31А Та 18 нК при 5 В 2,4 мОм +6В, -4В
EPC9078 ЕПК9078 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9078-datasheets-2679.pdf 10 недель ЕПК2045 Совет(ы)
EPC9203 ЕПК9203 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2021 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. Максимальный выходной ток 80 В, 20 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9092 EPC9092 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9092-datasheets-3119.pdf 8 недель ЕПК2052 Совет(ы)
EPC9038 ЕПК9038 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9038-datasheets-1698.pdf 10 недель Да ЕПК2102 Совет(ы)
EPC9041 EPC9041 EPC $199,72
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9041-datasheets-3126.pdf 10 недель Да ЕПК2105 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Совет(ы) Нет
EPC9202 ЕПК9202 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9202-datasheets-0232.pdf Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2001 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9028 ЕПК9028 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8008 Совет(ы) Нет
EPC2019ENG EPC2019RUS EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019eng-datasheets-4989.pdf 8,5 А 200В 50 мОм 270пФ
EPC9079 EPC9079 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031engr-datasheets-5924.pdf 31А 60В 2,6 мОм 1,8 нФ
EPCDESIGNTOOL_LG-EM EPCDESIGNTOOL_LG-EM EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoollgem-datasheets-3472.pdf 16 недель Пакет с последовательным подключением
EPC2102 ЕПК2102 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf умереть 14 недель умереть 60В 2 N-канала (полумост) 830пФ при 30 В 4,4 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В @ 7 мА 23А 6,8 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия)
EPC2022 ЕПК2022 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022-datasheets-1407.pdf умереть 12 недель умереть 1,5 нФ 60А 100В N-канал 1500пФ при 50В 3,2 мОм при 25 А, 5 В 2,5 В @ 12 мА 60А Та 3,2 мОм +6В, -4В
EPC2014C ЕПК2014C EPC 1,50 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2014c-datasheets-4644.pdf умереть 12 недель Контур матрицы (5 припоев) 300пФ 10А 40В N-канал 300пФ при 20В 16 мОм при 10 А, 5 В 2,5 В при 2 мА 10А Та 2,5 нК при 5 В 16 мОм +6В, -4В
EPC8010 ЕПК8010 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8010-datasheets-3100.pdf умереть 12 недель умереть 55пФ 2,7А 100В N-канал 55пФ при 50В 160 мОм при 500 мА, 5 В 2,5 В @ 250 мкА 2,7А Та 0,48 нК при 5 В 160 мОм +6В, -4В
EPC9126HC EPC9126HC EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126hc-datasheets-2762.pdf 10 недель Лазерный драйвер ЕПК2001С Встроенные светодиоды, контрольные точки Совет(ы) Нет
EPC9035 ЕПК9035 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9035-datasheets-3881.pdf 10 недель Да ЕПК2022 Совет(ы)
EPC9040 ЕПК9040 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9040-datasheets-3135.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2104 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 15 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9046 EPC9046 EPC $199,72
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9046-datasheets-1841.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2029 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальная выходная мощность GaNFET 80 В, 22 А Совет(ы) Нет
EPC9513 EPC9513 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® Непригодный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9513-datasheets-3303.pdf 10 недель Беспроводное питание/зарядка ЕПК2019 Получатель Совет(ы) Нет
EPC9508 ЕПК9508 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9508-datasheets-0254.pdf 12 недель Да Беспроводное питание/зарядка ЕПК2007, ЕПК8009 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Передатчик Совет(ы) Нет
EPC9029 EPC9029 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8009 Совет(ы) Нет
EPC2020ENG EPC2020RUS EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/epc-epc2020eng-datasheets-5105.pdf 60А 60В 2,2 мОм 1,8 нФ
EPC2033ENGR EPC2033ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engr-datasheets-9900.pdf 31А 150 В 7 мОм 1,14 нФ
EPC2032ENGR EPC2032ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032engr-datasheets-6061.pdf 48А 100В 4 мОм 1,53 нФ
EPCDESIGNTOOL_XL-DC EPCDESIGNTOOL_XL-DC EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolxldc-datasheets-3592.pdf 16 недель Пакет с последовательным подключением
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf умереть 16 недель умереть 75пФ 1,7 А 100В 2 N-канала (полумост) 75пФ при 50В 70 мОм при 2 А, 5 В 2,5 В @ 600 мкА 1,7 А 0,73 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия) 70 мОм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.