Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Время выполнения заказа на заводе | Тип аксессуара | Оценочный комплект | Количество каналов | Максимальная температура перехода (Tj) | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение — вход | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Мощность — Выход | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Снижение сопротивления до источника | Напряжение — выход | Ток - Выход | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2033 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033-datasheets-1502.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 150 В | N-канал | 1140пФ при 75В | 7 МОм при 25 А, 5 В | 2,5 В при 9 мА | 31А Та | 10 нК при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2016C | EPC | $2,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2016c-datasheets-4986.pdf | умереть | 815 мкм | 12 недель | 1 | 150°С | умереть | 420пФ | 18А | 6В | 100В | 12мОм | 100В | N-канал | 420пФ при 50В | 16 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 18А Та | 4,5 нК при 5 В | 16 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2052 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2052-datasheets-6200.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 100В | N-канал | 575пФ при 50В | 13,5 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 8.2А Та | 4,5 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9047 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9047-datasheets-2844.pdf | 14 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2033 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 150 В, 12 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9093 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9093-datasheets-3918.pdf | 8 недель | ЕПК2053 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9036 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9036-datasheets-3167.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2100 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 30 В, 25 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC90122 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc90122-datasheets-4689.pdf | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9510 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9510-datasheets-3350.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9023 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 8 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8003 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9131 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc9131-datasheets-0535.pdf | 14 В~48 В | 27 Вт | ЕПК2112 | 19В | 1,42А | Совет(ы) | 300 кГц | DC/DC, шаг вверх или вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак-Бост, SEPIC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2021RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021eng-datasheets-5203.pdf | 22 недели | 60А | 80В | 2,5 мОм | 1,7 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2034ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034engr-datasheets-0086.pdf | 31А | 200В | 10 мОм | 940пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2032ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032engrt-datasheets-1463.pdf | 48А | 100В | 4 мОм | 1,53 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_RP-DC | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolrpdc-datasheets-3613.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2101ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf | умереть | 22 недели | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 300пФ при 30В | 11,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 9,5А 38А | 2,7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2034C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034c-datasheets-1439.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 200В | N-канал | 1140пФ при 100В | 8 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 48А Та | 11 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2020 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020-datasheets-5367.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,78 нФ | 90А | 60В | N-канал | 1780пФ при 30В | 2,2 мОм при 31 А, 5 В | 2,5 В @ 16 мА | 90А Та | 16 нК при 5 В | 2,2 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2021ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf | умереть | умереть | 1,7 нФ | 60А | 80В | N-канал | 1700пФ при 40В | 2,5 мОм при 29 А, 5 В | 2,5 В @ 14 мА | 60А Та | 15 нК при 5 В | 2,5 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9126 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126hc-datasheets-2762.pdf | 10 недель | Лазерный драйвер | ЕПК2212 | Встроенные светодиоды, контрольные точки | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9062 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3986.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2032 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 20 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9080 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9080-datasheets-3241.pdf | 10 недель | ЕПК2022, ЕПК2045 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9064 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9064-datasheets-4943.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2108 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Максимальный выходной ток 60 В, 1,5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9506 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9506-datasheets-3508.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2014 | 6,78 МГц | Передатчик | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9019 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9019-datasheets-0366.pdf | 8 недель | Да | ЕПК2001, ЕПК2021 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9101 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/epc-epc9101-datasheets-7530.pdf | 12 недель | Да | 8В~19В | ЕПК2014, ЕПК2015 | 1,2 В | 18А | Совет(ы) | 1 МГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2023RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023eng-datasheets-5390.pdf | 22 недели | 60А | 30 В | 1,3 мОм | 2,3 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2104RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2104eng-datasheets-8858.pdf | 22 недели | 23А | 100В | 6,3 мОм | 800пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2020ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020engr-datasheets-1571.pdf | 60А | 60В | 2,2 мОм | 1,8 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_MD-EM | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolmdem-datasheets-4776.pdf | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2102ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | умереть | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 23А Тдж | 6,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
