EPC

ЕПК(476)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Время выполнения заказа на заводе Тип аксессуара Оценочный комплект Пакет устройств поставщика Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение стока к источнику (Vdss) Функция Используемая микросхема/деталь Вторичные атрибуты Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Встроенный Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Емкость — вход
EPC2031 ЕПК2031 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031-datasheets-1314.pdf умереть 12 недель умереть 60В N-канал 1800пФ при 300В 2,6 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В при 15 мА 31А Та 17 нК при 5 В
EPC2202 ЕПК2202 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2202-datasheets-2037.pdf умереть 14 недель Контур матрицы (6 припоев) 80В N-канал 415пФ при 50В 17 мОм при 11 А, 5 В 2,5 В при 3 мА 18А 4 нК при 5 В +5,75 В, -4 В
EPC2051 ЕПК2051 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2051-datasheets-5814.pdf умереть 10 недель умереть 100В N-канал 258пФ при 50В 25 мОм при 3 А, 5 В 2,5 В @ 1,5 мА 1,7 А 2,1 нК при 5 В +6В, -4В
EPC9065 ЕПК9065 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9065-datasheets-2470.pdf 15 недель Да Беспроводное питание/зарядка ЕПК2007С, ЕПК2038 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. Совет(ы) Нет
EPC9010C ЕПК9010С EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9010c-datasheets-3608.pdf 16 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2016C Совет(ы)
EPC9039 ЕПК9039 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9039-datasheets-3075.pdf 10 недель Да ЕПК2103 Совет(ы)
EPC9049 EPC9049 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2035-datasheets-0897.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2035 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 60 В, 4 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9063 EPC9063 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9063-datasheets-3088.pdf 10 недель ЕПК2107 Совет(ы)
EPC9027 ЕПК9027 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 8 недель Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8007 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 40 В, 4 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9025 ЕПК9025 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8005 Совет(ы) Нет
EPC9081 EPC9081 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
EPC2046ENGRT EPC2046ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
EPC2030ENGR EPC2030ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030engr-datasheets-5853.pdf 31А 40В 2,4 мОм 1,9 нФ
EPCDESIGNTOOL_XL-EM EPCDESIGNTOOL_XL-EM EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolxlem-datasheets-3353.pdf 16 недель Пакет с последовательным подключением
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf умереть 16 недель умереть 80пФ 3,4А 120 В 2 N-канальных (двойных) с общим источником 80пФ при 60В 60 мОм при 4 А, 5 В 2,5 В при 700 мкА 3,4А 0,8 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия) 60 мОм
EPC2032 ЕПК2032 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032-datasheets-1370.pdf умереть 12 недель умереть 1,53 нФ 48А 100В N-канал 1530пФ при 50В 4 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В при 11 мА 48А Та 15 нК при 5 В 4 мОм +6В, -4В
EPC2019 ЕПК2019 EPC 3,55 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019-datasheets-3327.pdf умереть 12 недель умереть 270пФ 8,5 А 200В N-канал 270пФ при 100В 50 мОм при 7 А, 5 В 2,5 В @ 1,5 мА 8,5А Та 2,5 нК при 5 В 50 мОм +6В, -4В
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf умереть 16 недель умереть 1,9 нФ 31А 40В N-канал 1900пФ при 20В 2,4 мОм при 30 А, 5 В 2,5 В @ 16 мА 31А Та 18 нК при 5 В 2,4 мОм +6В, -4В
EPC9078 ЕПК9078 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9078-datasheets-2679.pdf 10 недель ЕПК2045 Совет(ы)
EPC9203 ЕПК9203 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2021 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. Максимальный выходной ток 80 В, 20 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9092 EPC9092 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9092-datasheets-3119.pdf 8 недель ЕПК2052 Совет(ы)
EPC9038 ЕПК9038 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9038-datasheets-1698.pdf 10 недель Да ЕПК2102 Совет(ы)
EPC9041 EPC9041 EPC $199,72
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9041-datasheets-3126.pdf 10 недель Да ЕПК2105 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Совет(ы) Нет
EPC9202 ЕПК9202 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9202-datasheets-0232.pdf Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2001 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9028 ЕПК9028 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8008 Совет(ы) Нет
EPC2019ENG EPC2019RUS EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019eng-datasheets-4989.pdf 8,5 А 200В 50 мОм 270пФ
EPC9079 EPC9079 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031engr-datasheets-5924.pdf 31А 60В 2,6 мОм 1,8 нФ
EPCDESIGNTOOL_LG-EM EPCDESIGNTOOL_LG-EM EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoollgem-datasheets-3472.pdf 16 недель Пакет с последовательным подключением
EPC2102 ЕПК2102 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf умереть 14 недель умереть 60В 2 N-канала (полумост) 830пФ при 30 В 4,4 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В @ 7 мА 23А 6,8 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия)

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.