EPC

ЕПК(476)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Время выполнения заказа на заводе Тип аксессуара Оценочный комплект Пакет устройств поставщика Входная емкость Напряжение — вход Непрерывный ток стока (ID) Напряжение стока к источнику (Vdss) Функция Используемая микросхема/деталь Вторичные атрибуты Напряжение — выход Ток - Выход Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Частота — переключение Основная цель Тип платы Встроенный Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Емкость — вход Выходы и тип Топология регулятора
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020engr-datasheets-1571.pdf 60А 60В 2,2 мОм 1,8 нФ
EPCDESIGNTOOL_RP-DC EPCDESIGNTOOL_RP-DC EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolrpdc-datasheets-3613.pdf 16 недель Пакет с последовательным подключением
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год /files/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf умереть 22 недели умереть 60В 2 N-канала (полумост) 300пФ при 30В 11,5 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В при 2 мА 9,5А 38А 2,7 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия)
EPC2034C EPC2034C EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034c-datasheets-1439.pdf умереть 10 недель умереть 200В N-канал 1140пФ при 100В 8 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В @ 7 мА 48А Та 11 нК при 5 В +6В, -4В
EPC2020 ЕПК2020 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020-datasheets-5367.pdf умереть 12 недель умереть 1,78 нФ 90А 60В N-канал 1780пФ при 30В 2,2 мОм при 31 А, 5 В 2,5 В при 16 мА 90А Та 16 нК при 5 В 2,2 мОм +6В, -4В
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) 150°С -40°С GaNFET (нитрид галлия) Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf умереть умереть 1,7 нФ 60А 80В N-канал 1700пФ при 40В 2,5 мОм при 29 А, 5 В 2,5 В при 14 мА 60А Та 15 нК при 5 В 2,5 мОм +6В, -4В
EPC9126 EPC9126 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126hc-datasheets-2762.pdf 10 недель Лазерный драйвер ЕПК2212 Встроенные светодиоды, контрольные точки Совет(ы) Нет
EPC9062 EPC9062 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3986.pdf 10 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2032 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 20 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9080 ЕПК9080 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9080-datasheets-3241.pdf 10 недель ЕПК2022, ЕПК2045 Совет(ы)
EPC9064 EPC9064 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9064-datasheets-4943.pdf 10 недель Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2108 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. Максимальный выходной ток 60 В, 1,5 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9506 EPC9506 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9506-datasheets-3508.pdf 10 недель Да Беспроводное питание/зарядка ЕПК2014 6,78 МГц Передатчик Совет(ы) Нет
EPC9019 ЕПК9019 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9019-datasheets-0366.pdf 8 недель Да ЕПК2001, ЕПК2021 Совет(ы)
EPC9101 ЕПК9101 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2013 год /files/epc-epc9101-datasheets-7530.pdf 12 недель Да 8В~19В ЕПК2014, ЕПК2015 1,2 В 18А Совет(ы) 1 МГц DC/DC, шаг вниз Полностью заселен 1, неизолированный Бак
EPC2024ENG EPC2024RUS EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024eng-datasheets-5532.pdf 24 недели 60А 40В 1,5 мОм 2,1 нФ
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022engrt-datasheets-5504.pdf 90А 100В 3,2 мОм 1,4 нФ
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023engr-datasheets-2601.pdf 60А 30 В 1,3 мОм 2,3 нФ
EPCDESIGNTOOL_MD-EM EPCDESIGNTOOL_MD-EM EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolmdem-datasheets-4776.pdf Пакет с последовательным подключением
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf умереть умереть 60В 2 N-канала (полумост) 830пФ при 30 В 4,4 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В @ 7 мА 23А Тдж 6,8 нК при 5 В GaNFET (нитрид галлия)
EPC2034 ЕПК2034 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж -40°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034-datasheets-1454.pdf умереть 12 недель умереть 200В N-канал 950пФ при 100В 10 мОм при 20 А, 5 В 2,5 В @ 7 мА 48А Та 8,8 нК при 5 В +6В, -4В
EPC2023 ЕПК2023 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023-datasheets-5485.pdf умереть 12 недель умереть 30 В N-канал 2300пФ при 15 В 1,3 мОм при 40 А, 5 В 2,5 В @ 20 мА 60А Та
EPC2007 ЕПК2007 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) GaNFET (нитрид галлия) Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2007-datasheets-5891.pdf умереть Контур матрицы (5 припоев) 205пФ 100В N-канал 205пФ при 50В 30 мОм при 6 А, 5 В 2,5 В @ 1,2 мА 6А Та 2,8 нК при 5 В 30 мОм +6В, -5В
EPC9204 EPC9204 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9204-datasheets-3073.pdf 10 недель Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2111 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5,5 В. Совет(ы)
EPC9113 EPC9113 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9113-datasheets-4330.pdf 10 недель Да Беспроводное питание/зарядка Совет(ы) Нет
EPC9013 EPC9013 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9013-datasheets-3551.pdf 15 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2001С Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 100 В, 35 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9066 EPC9066 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9066-datasheets-1488.pdf 10 недель Да Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК8004 Совет(ы)
EPC9509 ЕПК9509 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9509-datasheets-3530.pdf 10 недель Да Беспроводное питание/зарядка ЕПК2036, ЕПК2108 Встроенные светодиоды Совет(ы) Нет
EPC9042 EPC9042 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием ЭГАН® 1 (без ограничений) 2012 год 8 недель Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) ЕПК2025 Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. Максимальный выходной ток 300 В, 3 А на GaNFET Совет(ы) Нет
EPC9107 ЕПК9107 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭГАН® 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2012 год /files/epc-epc9107-datasheets-8253.pdf 12 недель Да 9В~28В ЕПК2015 3,3 В 15А Совет(ы) 1 МГц DC/DC, шаг вниз Полностью заселен 1, неизолированный Бак
EPC2801 ЕПК2801 EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 125°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 25А 100В 7 мОм 950пФ
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engrt-datasheets-5638.pdf 31А 150 В 7 мОм 1,14 нФ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.