Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Тип аксессуара | Оценочный комплект | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение — вход | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Напряжение — выход | Ток - Выход | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPC2020ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020engr-datasheets-1571.pdf | 60А | 60В | 2,2 мОм | 1,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_RP-DC | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolrpdc-datasheets-3613.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2101ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf | умереть | 22 недели | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 300пФ при 30В | 11,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 9,5А 38А | 2,7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2034C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034c-datasheets-1439.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 200В | N-канал | 1140пФ при 100В | 8 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 48А Та | 11 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2020 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2020-datasheets-5367.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,78 нФ | 90А | 60В | N-канал | 1780пФ при 30В | 2,2 мОм при 31 А, 5 В | 2,5 В при 16 мА | 90А Та | 16 нК при 5 В | 2,2 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||
| EPC2021ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf | умереть | умереть | 1,7 нФ | 60А | 80В | N-канал | 1700пФ при 40В | 2,5 мОм при 29 А, 5 В | 2,5 В при 14 мА | 60А Та | 15 нК при 5 В | 2,5 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||
| EPC9126 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126hc-datasheets-2762.pdf | 10 недель | Лазерный драйвер | ЕПК2212 | Встроенные светодиоды, контрольные точки | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9062 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3986.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2032 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 20 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9080 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9080-datasheets-3241.pdf | 10 недель | ЕПК2022, ЕПК2045 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9064 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9064-datasheets-4943.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2108 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Максимальный выходной ток 60 В, 1,5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9506 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9506-datasheets-3508.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2014 | 6,78 МГц | Передатчик | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9019 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9019-datasheets-0366.pdf | 8 недель | Да | ЕПК2001, ЕПК2021 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9101 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/epc-epc9101-datasheets-7530.pdf | 12 недель | Да | 8В~19В | ЕПК2014, ЕПК2015 | 1,2 В | 18А | Совет(ы) | 1 МГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2024RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2024eng-datasheets-5532.pdf | 24 недели | 60А | 40В | 1,5 мОм | 2,1 нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2022ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2022engrt-datasheets-5504.pdf | 90А | 100В | 3,2 мОм | 1,4 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2023ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023engr-datasheets-2601.pdf | 60А | 30 В | 1,3 мОм | 2,3 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_MD-EM | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolmdem-datasheets-4776.pdf | Пакет с последовательным подключением | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2102ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | умереть | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 23А Тдж | 6,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2034 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2034-datasheets-1454.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 200В | N-канал | 950пФ при 100В | 10 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 48А Та | 8,8 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2023 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2023-datasheets-5485.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 30 В | N-канал | 2300пФ при 15 В | 1,3 мОм при 40 А, 5 В | 2,5 В @ 20 мА | 60А Та | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2007 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2007-datasheets-5891.pdf | умереть | Контур матрицы (5 припоев) | 205пФ | 6А | 100В | N-канал | 205пФ при 50В | 30 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В @ 1,2 мА | 6А Та | 2,8 нК при 5 В | 30 мОм | 5В | +6В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||
| EPC9204 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9204-datasheets-3073.pdf | 10 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2111 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5,5 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9113 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9113-datasheets-4330.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9013 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9013-datasheets-3551.pdf | 15 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2001С | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 35 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9066 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9066-datasheets-1488.pdf | 10 недель | Да | Драйвер H-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8004 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9509 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9509-datasheets-3530.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2036, ЕПК2108 | Встроенные светодиоды | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9042 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 2012 год | 8 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2025 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 300 В, 3 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9107 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/epc-epc9107-datasheets-8253.pdf | 12 недель | Да | 9В~28В | ЕПК2015 | 3,3 В | 15А | Совет(ы) | 1 МГц | DC/DC, шаг вниз | Полностью заселен | 1, неизолированный | Бак | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2801 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 25А | 100В | 7 мОм | 950пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2033ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2033engrt-datasheets-5638.pdf | 31А | 150 В | 7 мОм | 1,14 нФ |
