Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Тип аксессуара | Оценочный комплект | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2031 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031-datasheets-1314.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 60В | N-канал | 1800пФ при 300В | 2,6 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 15 мА | 31А Та | 17 нК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2202 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2202-datasheets-2037.pdf | умереть | 14 недель | Контур матрицы (6 припоев) | 80В | N-канал | 415пФ при 50В | 17 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 18А | 4 нК при 5 В | 5В | +5,75 В, -4 В | |||||||||||||||||||||||
| ЕПК2051 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2051-datasheets-5814.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 100В | N-канал | 258пФ при 50В | 25 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В @ 1,5 мА | 1,7 А | 2,1 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||
| ЕПК9065 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9065-datasheets-2470.pdf | 15 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2007С, ЕПК2038 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9010С | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9010c-datasheets-3608.pdf | 16 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2016C | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9039 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9039-datasheets-3075.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2103 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9049 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2035-datasheets-0897.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2035 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 60 В, 4 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9063 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9063-datasheets-3088.pdf | 10 недель | ЕПК2107 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9027 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 8 недель | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8007 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 40 В, 4 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9025 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8005 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9081 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2046ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2030ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030engr-datasheets-5853.pdf | 31А | 40В | 2,4 мОм | 1,9 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_XL-EM | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoolxlem-datasheets-3353.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2110ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 80пФ | 3,4А | 120 В | 2 N-канальных (двойных) с общим источником | 80пФ при 60В | 60 мОм при 4 А, 5 В | 2,5 В при 700 мкА | 3,4А | 0,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 60 мОм | ||||||||||||||||||
| ЕПК2032 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2032-datasheets-1370.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,53 нФ | 48А | 100В | N-канал | 1530пФ при 50В | 4 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 11 мА | 48А Та | 15 нК при 5 В | 4 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| ЕПК2019 | EPC | 3,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019-datasheets-3327.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 270пФ | 8,5 А | 200В | N-канал | 270пФ при 100В | 50 мОм при 7 А, 5 В | 2,5 В @ 1,5 мА | 8,5А Та | 2,5 нК при 5 В | 50 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||
| EPC2030ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 1,9 нФ | 31А | 40В | N-канал | 1900пФ при 20В | 2,4 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 16 мА | 31А Та | 18 нК при 5 В | 2,4 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| ЕПК9078 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9078-datasheets-2679.pdf | 10 недель | ЕПК2045 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9203 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2021 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 80 В, 20 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9092 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9092-datasheets-3119.pdf | 8 недель | ЕПК2052 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9038 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9038-datasheets-1698.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2102 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9041 | EPC | $199,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9041-datasheets-3126.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2105 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9202 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9202-datasheets-0232.pdf | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2001 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9028 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8008 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2019RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2019eng-datasheets-4989.pdf | 8,5 А | 200В | 50 мОм | 270пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9079 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2031ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031engr-datasheets-5924.pdf | 31А | 60В | 2,6 мОм | 1,8 нФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPCDESIGNTOOL_LG-EM | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epcdesigntoollgem-datasheets-3472.pdf | 16 недель | Пакет с последовательным подключением | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2102 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 60В | 2 N-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 23А | 6,8 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
