Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2103 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2103-datasheets-3103.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 80В | 2 N-канала (полумост) | 760пФ при 40В | 5,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 28А | 6,5 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2206 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2206-datasheets-1145.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 80В | N-канал | 1940пФ при 40В | 2,2 мОм при 29 А, 5 В | 2,5 В @ 13 мА | 90А Та | 19 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК8002 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8002-datasheets-2299.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 21пФ | 2А | 65В | N-канал | 21пФ при 32,5 В | 530 мОм при 500 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2А Та | 530 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||
| ЕПК2214 | EPC | 1,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2214-datasheets-8275.pdf | умереть | 14 недель | умереть | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2016 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2016-datasheets-9941.pdf | умереть | умереть | 520пФ | 11А | 100В | N-канал | 520пФ при 50В | 16 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 11А Та | 5,2 нК при 5 В | 16 мОм | 5В | +6В, -5В | ||||||||||||||||
| EPC9091 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | ЕПК2051 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9031 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9031-datasheets-2605.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2023 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9088 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9088-datasheets-5982.pdf | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2115 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9059 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9059-datasheets-3051.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2100 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9003C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9003c-datasheets-4600.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2010С | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9002 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9002-datasheets-0652.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2001 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2047ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8008ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2,7А | 40В | 325 мОм | 25пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2012CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012cengr-datasheets-0538.pdf | 5А | 200В | 100 мОм | 100пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2108ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2108engrt-datasheets-9346.pdf | 1,7 А | 100В | 190 мОм | 22пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2111 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2111-datasheets-3182.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 30В | 2 N-канала (полумост) | 230пФ при 15В 590пФ при 15В | 19 МОм при 15 А, 5 В, 8 МОм при 15 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 16А Та | 2,2 нК при 5 В, 5,7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2010С | EPC | $20,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010c-datasheets-1209.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (7 паяных стержней) | 540пФ | 22А | 200В | N-канал | 540пФ при 100В | 25 мОм при 12 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 22А Та | 5,3 нК при 5 В | 25 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||
| ЕПК8009 | EPC | $869,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8009-datasheets-2332.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 52пФ | 2,7А | 65В | N-канал | 52пФ при 32,5 В | 130 мОм при 500 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 0,45 нК при 5 В | 130 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||
| ЕПК2216 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2216-datasheets-3533.pdf | умереть | умереть | 15 В | N-канал | 118пФ при 7,5 В | 26 мОм при 1,5 А, 5 В | 1 В @ 1 мА | 10 мА Та | 0,87 нК при 5 В | Стандартный | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| EPC2049ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2049engrt-datasheets-4363.pdf | умереть | умереть | 40В | N-канал | 805пФ при 20 В | 5 мОм при 15 А, 5 В | 2,5 В при 6 мА | 16А Та | 7,6 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||
| EPC9144 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | /files/epc-epc9144-datasheets-3492.pdf | 8 недель | Лазерный драйвер | ЕПК2216 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9050 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2036-datasheets-9662.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2036 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 2,5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9512 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9061 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3988.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2031 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 60 В, 24 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9053 | EPC | $199,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9053-datasheets-5557.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2019 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9085 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9085-datasheets-6822.pdf | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2049 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2037ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2037engr-datasheets-9469.pdf | 1А | 100В | 550 мОм | 12,5 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8010ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8010engr-datasheets-7641.pdf | 2,7А | 100В | 160 мОм | 55пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2102RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2102eng-datasheets-4067.pdf | 22 недели | 23А | 60В | 4,4 мОм | 830пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2045ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS |
