ЕПК(476)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Время выполнения заказа на заводе	Оценочный комплект	Пакет устройств поставщика	Входная емкость	Непрерывный ток стока (ID)	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Функция	Используемая микросхема/деталь	Вторичные атрибуты	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Первичные атрибуты	Поставляемый контент	Встроенный	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	РДС на Максе	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)	Емкость — вход
ЕПК2021	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2021engr-datasheets-3897.pdf	умереть	12 недель		умереть	1,65 нФ	90А	80В				N-канал	1650пФ при 40В				2,5 мОм при 29 А, 5 В	2,5 В при 14 мА	90А Та	15 нК при 5 В		2,5 мОм	5В	+6В, -4В
EPC8007ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS								3,8А	40В														160 мОм			39пФ
EPC2029ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2029engrt-datasheets-0024.pdf						31А	80В														3,2 мОм			1,4 нФ
EPC2107ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2015 год	/files/epc-epc2107engrt-datasheets-9234.pdf						1,7 А	100В														320 мОм			16пФ
EPC2105ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С		Соответствует ROHS3	2015 год	/files/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf	умереть	16 недель		умереть	300пФ	9,5А	80В				2 N-канала (полумост)	300пФ при 40В				14,5 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В при 2,5 мА	9,5А	2,5 нК при 5 В	GaNFET (нитрид галлия)	14,5 мОм
ЕПК2015C	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2015c-datasheets-0127.pdf	умереть	12 недель		умереть	980пФ	53А	40В				N-канал	1180пФ при 20В				4 мОм при 33 А, 5 В	2,5 В при 9 мА	53А Та	8,7 нК при 5 В		4 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК8004	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8004-datasheets-2202.pdf	умереть	12 недель		умереть	52пФ	2,7А	40В				N-канал	52пФ при 20В				110 мОм при 500 мА, 5 В	2,5 В @ 250 мкА	2,7А Та	0,45 нК при 5 В		110 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК2030	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2030-datasheets-4243.pdf	умереть	12 недель		умереть			40В				N-канал	1900пФ при 20В				2,4 мОм при 30 А, 5 В	2,5 В при 16 мА	31А Та	18 нК при 5 В
ЕПК2018	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	125°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2018-datasheets-1300.pdf	умереть	14 недель		умереть	540пФ	12А	150 В				N-канал	540пФ при 100В				25 мОм при 6 А, 5 В	2,5 В при 3 мА	12А Та	7,5 нК при 5 В		25 мОм	5В	+6В, -5В
ЕПК9055	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf		10 недель	Да					Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)	ЕПК2106	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.			Максимальный выходной ток 100 В, 3 А, GaNFET	Совет(ы)	Нет
EPC9014	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3				10 недель	Да						ЕПК2019					Совет(ы)
ЕПК9089	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9089-datasheets-5687.pdf								Беспроводное питание/зарядка	ЕПК2112					Совет(ы)	Нет
ЕПК9060	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3988.pdf		10 недель	Да					Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)	ЕПК2030	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.			Максимальный выходной ток 40 В, 25 А на GaNFET	Совет(ы)	Нет
EPC9048C	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3				8 недель							EPC2034C					Совет(ы)
ЕПК9006	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9006-datasheets-0495.pdf		10 недель	Да					Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)	ЕПК2007	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.			Максимальный выходной ток 100 В, 5 А на GaNFET	Совет(ы)	Нет
EPC2047ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1												Не соответствует требованиям RoHS
EPC8008ENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS								2,7А	40В														325 мОм			25пФ
EPC2012CENGR	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012cengr-datasheets-0538.pdf						5А	200В														100 мОм			100пФ
EPC2108ENGRT	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1				Поверхностный монтаж					150°С	-40°С		Соответствует RoHS	2015 год	/files/epc-epc2108engrt-datasheets-9346.pdf						1,7 А	100В														190 мОм			22пФ
ЕПК2103	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2103-datasheets-3103.pdf	умереть	14 недель		умереть			80В				2 N-канала (полумост)	760пФ при 40В				5,5 мОм при 20 А, 5 В	2,5 В @ 7 мА	28А	6,5 нК при 5 В	GaNFET (нитрид галлия)
ЕПК2206	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®		Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2206-datasheets-1145.pdf	умереть	14 недель		умереть			80В				N-канал	1940пФ при 40В				2,2 мОм при 29 А, 5 В	2,5 В @ 13 мА	90А Та	19 нК при 5 В			5В	+6В, -4В
ЕПК8002	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~150°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	150°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8002-datasheets-2299.pdf	умереть	12 недель		умереть	21пФ	2А	65В				N-канал	21пФ при 32,5 В				530 мОм при 500 мА, 5 В	2,5 В @ 250 мкА	2А Та			530 мОм	5В	+6В, -4В
ЕПК2214	EPC	1,53 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2214-datasheets-8275.pdf	умереть	14 недель		умереть
ЕПК2016	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЭГАН®	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°C~125°C ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)	125°С	-40°С	GaNFET (нитрид галлия)	Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2016-datasheets-9941.pdf	умереть			умереть	520пФ	11А	100В				N-канал	520пФ при 50В				16 мОм при 11 А, 5 В	2,5 В при 3 мА	11А Та	5,2 нК при 5 В		16 мОм	5В	+6В, -5В
EPC9091	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3				10 недель							ЕПК2051					Совет(ы)
EPC9031	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9031-datasheets-2605.pdf		10 недель	Да						ЕПК2023					Совет(ы)
ЕПК9088	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9088-datasheets-5982.pdf								Беспроводное питание/зарядка	ЕПК2115					Совет(ы)	Нет
ЕПК9059	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9059-datasheets-3051.pdf		10 недель	Да						ЕПК2100					Совет(ы)
EPC9003C	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Соответствует ROHS3	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9003c-datasheets-4600.pdf		10 недель	Да					Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)	ЕПК2010С					Совет(ы)	Нет
ЕПК9002	EPC		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Управление питанием	ЭГАН®					1 (без ограничений)				Не соответствует требованиям RoHS	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9002-datasheets-0652.pdf		10 недель	Да					Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор)	ЕПК2001	Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В.			Максимальный выходной ток 100 В, 10 А на GaNFET	Совет(ы)	Нет

ЕПК(476)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии