Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Количество каналов | Максимальная температура перехода (Tj) | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Снижение сопротивления до источника | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК90120 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | 8 недель | ЕПК2152 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8003ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2,5 А | 100В | 300 мОм | 38пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2111ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2015CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2015cengr-datasheets-8693.pdf | 36А | 40В | 4 мОм | 1нФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2104ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2104engrt-datasheets-2518.pdf | умереть | умереть | 800пФ | 23А | 100В | 2 N-канала (полумост) | 800пФ при 50В | 6,3 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 5,5 мА | 23А | 7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 6,3 мОм | ||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2104 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2104engrt-datasheets-2518.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 100В | 2 N-канала (полумост) | 800пФ при 50В | 6,3 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 5,5 мА | 23А | 7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2007C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2007c-datasheets-0314.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (5 припоев) | 220пФ | 6А | 100В | N-канал | 220пФ при 50В | 30 мОм при 6 А, 5 В | 2,5 В @ 1,2 мА | 6А Та | 2,2 нК при 5 В | 30 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||
| ЕПК2038 | EPC | $4,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2038-datasheets-3062.pdf | умереть | 815 мкм | 12 недель | 1 | 150°С | умереть | 500 мА | 6В | 100В | 2,1 Ом | 100В | N-канал | 8,4 пФ при 50 В | 3,3 Ом при 50 мА, 5 В | 2,5 В при 20 мкА | 500 мА Та | 0,044 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||
| ЕПК2015 | EPC | $28,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2015-datasheets-5918.pdf | умереть | 14 недель | Контур матрицы (11 шт. припоя) | 1,2 нФ | 33А | 40В | N-канал | 1200пФ при 20В | 4 мОм при 33 А, 5 В | 2,5 В при 9 мА | 33А Та | 11,6 нК при 5 В | 4 мОм | 5В | +6В, -5В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК9141 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9141-datasheets-3220.pdf | 8 недель | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9112 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/epc-epc9112-datasheets-5671.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2007С, ЕПК2038 | 6,78 МГц | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9017 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9017-datasheets-5418.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2001 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9004C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9004c-datasheets-2912.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2012C | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9114 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9114-datasheets-4463.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9005 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9005-datasheets-0321.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2014 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 40 В, 5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2212 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9126-datasheets-2873.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 100В | N-канал | 407пФ при 50В | 13,5 мОм при 11 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 18А Та | 4 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8005ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8005engr-datasheets-6699.pdf | 2,9 А | 65В | 275 мОм | 29пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2010CENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010cengr-datasheets-9381.pdf | 22А | 200В | 25 мОм | 380пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2038ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2038engr-datasheets-9095.pdf | 500 мА | 100В | 2,8 Ом | 7пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2100ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf | умереть | 16 недель | умереть | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В | 8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 4 мА, 2,5 В @ 16 мА | 10А Та 40А Та | 4,9 нК при 15 В, 19 нК при 15 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2001С | EPC | 1,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2001c-datasheets-9935.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (11 шт. припоя) | 900пФ | 36А | 100В | N-канал | 900пФ при 50В | 7 МОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 36А Та | 9 нК при 5 В | 7 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||
| ЕПК2012C | EPC | $6,30 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2012c-datasheets-1620.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (стержень с 4 припоями) | 140пФ | 5А | 200В | N-канал | 140пФ при 100В | 100 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В @ 1 мА | 5А Та | 1,3 нК при 5 В | 100 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||
| ЕПК2203 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2203-datasheets-9996.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 80В | N-канал | 88пФ при 50В | 80 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А | 0,83 нК при 5 В | 5В | +5,75 В, -4 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2025 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2012 год | умереть | умереть | 194пФ | 4А | 300В | N-канал | 194 пФ при 240 В | 150 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В @ 1 мА | 4А Та | 150 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||
| EPC9051 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9051-datasheets-3231.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2037 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 1 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9201 | EPC | $187,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9203-datasheets-3628.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2015 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 4,5–5 В. | Максимальный выходной ток 30 В, 40 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9024 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8004 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9121 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | Непригодный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9121-datasheets-2991.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2036, ЕПК2038, ЕПК2107 | Встроенные светодиоды | Передатчик и приемник | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9128 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9128-datasheets-4500.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2019, ЕПК2036, ЕПК2108 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9004 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9004-datasheets-0486.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2012 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 200 В, 3 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет |
