UFZVFH27B — стабилитрон с
MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 2,8 м Ом при 20 А, 10 В ± 12 В 1900 пФ при 15 В 20 нК при 4,5 В 30 В 8-PowerSMD, плоские выводы
MOSFET (металлооксид) N-канальная лампа 210 мОм при 14,5 А, 10 В 3470 пФ при 25 В 80 нК при 10 В 600 В ТО-268-3, D3Pak (2 вывода + вывод), ТО-268АА
Техническое описание BSC052N08NS5ATMA1 в формате pdf и Транзисторы — полевые транзисторы, МОП-транзисторы — подробные сведения о отдельных продуктах со склада Infineon Technologies доступны на сайте Feilidi.
МОП-транзистор (оксид металла) Н-канальная лампа 44 м Ом при 26,4 А, 10 В ±20 В 1,57 пФ при 25 В 65 нК при 10 В 100 В ТО-220-3
MOSFET (оксид металла) N-канальная лента и катушка (TR) 23 м Ом при 12 А, 10 В ±20 В 1016 пФ при 30 В 19,7 нК при 10 В 60 В 8-PowerTDFN
Техническое описание MJF6668G в формате pdf и транзисторы — биполярные (BJT) — подробные сведения об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
МОП-транзистор (оксид металла) с П-каналом, трубка 300 мОм при 8 А, 10 В, 80 нК при 20 В, 50 В ТО-220-3
MOSFET (металлооксид) P-канальная лента и катушка (TR) 29 м Ом при 3 А, 10 В ±20 В 1626 пФ при 20 В 34 нК при 10 В 40 В 8-PowerVDFN
SiCFET (карбид кремния) N-канальный, 26 м Ом при 50 А, 18 В +22 В, -10 В 3315 пФ при 520 В 162 нк при 18 В 650 В TO-263-8, D2Pak (7 выводов + вывод), TO-263CA
Техническое описание HS2G R5 в формате pdf и подробные сведения о диодах — радиочастотных продуктах со склада Taiwan Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
Техническое описание STPS660DDJFY-TR в формате pdf и сведения о диодах — выпрямителях — массивах со склада STMicroelectronics доступны на сайте Feilidi.
МОП-транзистор Н-Ч 150 В 90 А ПРЯМОЙ МОП-транзистор
Пятница, 21 февраля 2025 г.171
Пятница, 21 февраля 2025 г.140
Пятница, 21 февраля 2025 г.127
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.